三菱半导体<GaAs FET>
MGFS45V2527
2.5 2.7GHz的波段30W INTERNALLY MATCHD的GaAs FET
描述
该MGFS45V2527是匹配的内部阻抗
砷化镓功率FET特别是在2.5 2.7而设计的
GHz频带放大器。气密密封的金属陶瓷
封装保证了高可靠性。
外形绘图
直到：毫米（英寸）
24±0.3 (0.945±0.012)
(0.024±0.006)
0.6±0.15
特点
A类操作
内部匹配50 （ Ω ）系统
高输出功率
P
1dB
= 30W （典型值） @ F = 2.5 2.7GHz的
高功率增益
G
LP
= 12分贝（ TYP 。 ） @ F = 2.5 2.7GHz的
高功率附加效率
ηadd=45%
（ TYP 。 ） @ F = 2.5 2.7GHz的
洛失真[项目-51 ]
IM3 = -45dBc （ TYP 。 ） @宝= 34.5dBm S.C.L.
R1.2
应用
项目01 ： 2.5 2.7GHz的频段功率放大器
51项： 2.5 2.7GHz的频段数字无线通信
20.4±0.2 (0.803±0.008)
16.7 (0.658)
质量等级
IG
推荐的偏置条件
V
DS
=10V
I
D
=6.5A
RG=25
GF-38
（ 1 ）门
（ 2 ） SOURCE （法兰）
（ 3 ）排水
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
符号
V
GDO
V
GSO
I
D
I
GR
I
GF
P
T
总胆固醇
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
通道温度
*1
<保持安全第一在你的电路设计！ >
单位
三菱电机公司把最大的精力投入到
评级
-15
-15
22
-61
76
88
175
-65 ~ +175
V
制造半导体产品的质量和可靠性，
V
但总是有可能出现麻烦的可能性
A
与them.Trouble与半导体可能导致人身
mA
mA
W
°C
°C
人身伤害，火灾或财产损失。记得要给予应有的
考虑到使你的电路设计时的安全性，
适当的措施，如（一）配售
替代，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃
材料或（iii ）预防对任何故障或事故。
TSTG
储存温度
* 1 ：TC = 25°C
电气特性（Ta = 25℃）
符号
VGS （关闭）
P
1dB
G
LP
ID
ηadd
IM3
RTH （ CH-C ）
参数
饱和漏极电流
在1分贝增益输出功率
压缩
线性功率增益
漏电流
功率附加效率
三阶失真IM
热阻
*2
*1
测试条件
V
DS
= 3V ，我
D
=60mA
范围
分钟。
—
44
典型值。
—
45
12
7.5
45
-45
—
最大
-5
—
—
—
—
—
1.7
单位
V
DBM
dB
A
%
dBc的
° C / W
V
DS
= 10V ，我
D
（ RF关闭） = 6.5A ， F = 2.5 2.7GHz的
11
—
—
-42
V
f
法
—
* 1：通道到外壳
* 2 ：项目-51 ， 2音测试， PO = 34.5dBm单载波级， F = 2.5 ， 2.6 ， 2.7GHz的， ΔF = 5MHz时，
三菱
电
三菱半导体<GaAs FET>
MGFS45V2527
2.5 2.7GHz的波段30W INTERNALLY MATCHD的GaAs FET
典型特征
的P1dB ， GLP与F
46
VDS=10(V)
IDS=6.5(A)
PO ，
ηadd
与引脚
16
50
噘
45
15
40
VDS = 10 （V）的
IDS=6.5(A)
F = 2.6 （千兆赫）
70
P1dB
60
45
50
44
GLP
14
35
40
43
13
30
η
添加
25
30
20
42
12
20
10
41
2.45
2.5
2.55
2.6
2.65
频率f（ GHz）的
2.7
11
2.75
15
15
20
25
30
35
输入功率Pin （ DBM）
0
宝， IM3主场迎战针
42
40
38
36
34
IM3
VDS=10(V)
IDS=6.5(A)
f1=2.700(GHz)
f2=2.705(GHz)
20
10
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
输入功率Pin （ dBm的S.C.L. ）
Po
32
30
28
26
24
的S参数（TC = 25°C ， VDS = 10V ， IDS = 6.5A ）
f
（千兆赫）
2.40
2.45
2.50
2.55
2.60
2.65
2.70
2.75
2.80
S11
MAGN 。角（度）
0.57
0.54
0.52
0.45
0.39
0.30
0.19
0.18
0.30
165
152
138
123
106
82
37
-25
-73
S参数（ TYP 。 ）
S21
S12
MAGN 。角（度）在励磁。角（度）
4.25
4.35
4.40
4.49
4.60
4.68
4.68
4.57
4.29
50
36
21
6
-10
-28
-47
-66
-86
0.03
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.05
0.04
15
0
-21
-35
-60
-73
-89
-117
-133
S22
MAGN 。角（度）
0.15
0.13
0.12
0.12
0.12
0.13
0.12
0.13
0.10
-24
-37
-60
-82
-111
-134
-156
176
160
三菱
电
QQ：2880707522 复制
