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< L / S波段内部匹配功率GaAs FET >
MGFS45A2527B
2.5 - 2.7 GHz频段/ 32W
描述
该MGFS45V2527B是内部阻抗匹配
砷化镓功率FET特别设计用于在2.5 - 2.7
GHz频带放大器。气密密封的金属陶瓷
封装保证了高可靠性。
外形绘图
单位：毫米（英寸）
24.0± 0.3(0.945±0.012)
2.0MIN.
(0.079MIN.)
1
特点
A类操作
内部匹配50 （欧姆）系统
高输出功率
的P1dB = 32W （典型值） @ F = 2.5 - 2.7GHz的
高功率增益
GLP = 12.0分贝（ TYP 。 ） @ F = 2.5 - 2.7GHz的
高功率附加效率
P.A.E. = 40 ％ （ TYP 。 ） @ F = 2.5 - 2.7GHz的
低失真[项目-51 ]
IM3 = -45dBc （ TYP 。 ） @宝= 34.5dBm S.C.L
0.6± 0.15
(0.024± 0.006)
17.4±0.2
(0.685±0.008)
8.0±0.2
(0.315±0.008)
2
2.0MIN.
(0.079MIN.)
3
20.4± 0.2(0.803± 0.008)
2.4±0.2
(0.094±0.008)
应用
15.8(0.622)
3.65±0.4
(0.144±0.016)
质量
GG
推荐的偏置条件
VDS=10V
ID=6.5A
RG=25ohm
1.4
(0.055)
1
2
门
SOURCE （法兰）
漏
GF-51
3
保持安全第一在你的电路设计！
绝对最大额定值
符号
VGDO
VGSO
PT * 1
总胆固醇
TSTG
(Ta=25C)
参数
栅漏击穿电压
栅源击穿电压
总功耗
运河温度
储存温度
评级
-20
-10
107
175
-65到+175
单位
V
V
W
C
C
* 1 ：TC = 25°C
三菱电机公司提出的最大
努力为半导体制造更好的产品
和更可靠的，但总是有
可能故障可能与它们发生。
麻烦半导体可能导致人身
人身伤害，火灾或财产损失。记得给
制作时充分考虑到您的安全
电路设计，配合适当的措施，如
作为替代，辅助电路（I）的位置，
（ⅱ）使用不易燃的材料或（iii）预防
对任何故障或事故。
电气特性
符号
VGS （关闭）
P1dB
GLP
ID
P.A.E.
IM3 * 2
RTH （ CH-C ） * 3
(Ta=25C)
参数
栅极到源截止电压
在1分贝增益压缩输出功率
测试条件
分钟。
VDS=3V,ID=84mA
VDS = 10V ， ID（ RF关闭） = 6.5A
F = 2.5 - 2.7GHz的
-
44
11
-
-
-42
三角洲Vf的方法
-
范围
典型值。
-
45
12
7.5
40
-45
1.2
单位
马克斯。
-5
-
-
-
-
-
1.4
V
DBM
dB
A
%
dBc的
° C / W
线性功率增益
漏电流
功率附加效率
三阶失真IM
热阻
* 2 ：项目-51 ， 2音测试， PO = 34.5dBm单载波级， F = 2.5,2.6,2.7GHz ，三角洲F = 5MHz时
* 3 ：信道情况下的
出版日期： 2011年4月
1
0.1±0.05
项目01 ： 2.5 - 2.7 GHz频段功率放大器
51项： 2.5 - 2.7 GHz频段数字无线通信
< L / S波段内部匹配功率GaAs FET >
MGFS45A2527B
2.5 - 2.7 GHz频段/ 32W
MGFS45A2527B典型特征
噘嘴， PAE ，增益与引脚
50
F = 2 0.5 GHz的
宝（ DBM）
PAE （％）
AIN（ dB）的
18
50
F = 2 6GHz的
宝（ DBM）
PAE （％）
增益（ dB）的
18
50
F = 2 0.7 GHz的
宝（ DBM）
PAE （％）
增益（ dB）的
18
45
17
45
17
45
17
40
16
40
16
40
16
35
15
35
15
35
15
宝（ DBM） P.A.E （ ％ ）
宝（ DBM） P.A.E （ ％ ）
宝（ DBM） P.A.E （ ％ ）
30
14
GP （分贝）
30
14
GP （分贝）
30
14
GP （分贝）
25
13
25
13
25
13
20
12
20
12
20
12
15
11
15
11
15
11
10
10
10
10
10
10
5
9
5
9
5
9
0
15
20
25
30
PIN （ DBM）
35
40
8
0
15
20
25
30
35
40
PIN （ DBM）
8
0
15
20
25
30
35
40
PIN （ DBM）
8
增益与F
14.5
45.5
的P1dB主场迎战F
q
y
-51
IM3主场迎战F
q
y
14
45
13.5
-49
P1dB(dBm)
13
44.5
IM3(dBC)
44
-47
12
43.5
-48
-50
GLP （分贝）
12.5
Ｖ½½=10(Ｖ)　Ｉ½½(ＲＦOFF）=6.5(Ａ)
11.5
Ｖ½½=10(Ｖ)　Ｉ½½(ＲＦOFF）=6.5(Ａ)
Ｖ½½=10(Ｖ)　Ｉ½½(ＲＦOFF）=6.5(Ａ)
-46
11
2.4
2.5
2.6
频率（千兆赫）
2.7
2.8
43
2.4
2.5
2.6
频率（千兆赫）
2.7
2.8
-45
2.4
2.5
2.6
频率（千兆赫）
2.7
2.8
出版日期： 2011年4月
2
< L / S波段内部匹配功率GaAs FET >
MGFS45A2527B
2.5 - 2.7 GHz频段/ 32W
MGFS45A2528B S参数
（大= 25deg.C ， VDS = 10 （ V） ， IDS = 6.5 （ a）条）
频率
2.00
2.05
2.10
2.15
2.20
2.25
2.30
2.35
2.40
2.45
2.50
2.55
2.60
2.65
2.70
2.75
2.80
2.85
2.90
2.95
3.00
S11
（ MAG ）
0.88
0.87
0.85
0.82
0.79
0.76
0.72
0.66
0.59
0.51
0.40
0.28
0.16
0.07
0.12
0.22
0.30
0.38
0.45
0.51
0.58
（ ANG）
74.01
67.63
60.94
53.50
45.38
36.25
26.06
14.95
1.86
-13.16
-31.23
-51.53
-78.16
-146.41
127.83
95.47
74.56
56.47
40.38
24.35
8.80
S21
（ MAG ）
1.42
1.56
1.72
1.91
2.12
2.38
2.66
2.99
3.34
3.70
4.01
4.24
4.32
4.27
4.09
3.80
3.51
3.18
2.88
2.58
2.30
（ ANG）
-115.63
-124.88
-134.47
-144.48
-155.53
-167.27
-179.79
166.21
150.86
133.43
115.11
95.76
75.62
55.31
35.45
16.42
-1.65
-19.06
-35.49
-51.73
-67.16
S12
（ MAG ）
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
（ ANG）
-79.30
-86.26
-102.29
-111.11
-129.00
-140.42
-159.19
176.25
155.14
126.07
98.68
71.43
43.53
15.41
-11.45
-33.34
-54.63
-75.33
-94.35
-111.68
-126.90
S22
（ MAG ）
0.79
0.77
0.75
0.73
0.70
0.67
0.64
0.59
0.54
0.48
0.43
0.39
0.38
0.40
0.45
0.49
0.53
0.57
0.60
0.62
0.64
（ ANG）
101.57
95.64
89.25
83.20
75.83
67.92
58.86
47.67
34.08
16.39
-5.01
-31.79
-61.12
-87.87
-109.18
-125.33
-137.70
-147.32
-154.95
-161.21
-166.56
这对每一个单端FET进行S参数数据显示测量结果
出版日期： 2011年4月
3
< L / S波段内部匹配功率GaAs FET >
MGFS45A2527B
2.5 - 2.7 GHz频段/ 32W
保持安全第一在你的电路设计！
三菱电机公司把最大的精力投入到制造半导体产品更好，更
可靠的，但总有麻烦可能会与他们发生的可能性。麻烦半导体
可能导致人身伤害，火灾或财产损失。记住要充分考虑到安全性时，给
让您的电路设计，配合适当的措施，如替代，辅助（一）配售
电路，（ⅱ）使用的针对任何故障或事故不燃材料或（iii）预防。
对于这些材料的注意事项
这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在三菱的选择
半导体产品最适合客户的应用;他们不构成对任何任何许可证
知识产权，或任何其他权利，属于三菱电机公司或第三方。
三菱电机公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权
第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或
这些材料所含的电路应用实例。
包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并有可能
三菱电机株式会社，恕不另行通知更改由于产品改进或其他原因。它
因此，建议广大客户来电咨询三菱电机公司或其授权
在购买产品前，三菱半导体产品分销商了解最新的产品信息
本文列出的。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。三菱
电力公司不承担任何损害赔偿，法律责任概不负责，或由这些其他损失上升
不准确或错误。
另请注意公布的三菱电机公司通过各种方式的信息，
包括三菱半导体主页（ http://www.MitsubishiElectric.com/ ） 。
当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，
图表，程序和算法，请务必使前评估的所有信息作为一个整体系统
有关的信息和产品的适用性作出最后决定。三菱电机公司承担
对于任何损害，责任或此处包含的信息所导致的其他损失不承担任何责任。
三菱电机株式会社半导体没有设计或在设备制造中使用或
系统，是在何种情况下人类的生活可能是危在旦夕使用。请联系
三菱电机公司或授权的三菱半导体产品分销商时，
考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或系统中使用
交通，汽车，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
三菱电机公司的事先书面批准，不得翻印或者复制全部或
在部分这些材料。
如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是
日本政府根据许可证出口，不能导入到比其他国家
经批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或法规的国家
被禁止的目的。
请与三菱电机公司或授权的三菱半导体产品分销商
对这些材料的详细信息或其中包含的产品。
2011三菱电机。版权所有。
出版日期： 2011年4月
4
三菱半导体<GaAs FET>
MGFS45A2527B
2.5 - 2.7GHz的波段32W内部匹配的GaAs FET
描述
该MGFS45A2527B是内部阻抗匹配
砷化镓功率FET特别设计用于在2.5 - 2.7
GHz频段amplifiers.The密封的金属陶瓷
封装保证了高可靠性。
176.+0'&4#9+0)
7PKV ？ ？ 2 O KN NKOGV GTU ？ KPEJG ú ？
r r 
特点
A类操作
内部匹配50 （欧姆）系统
高输出功率
的P1dB = 32W （典型值） @ F = 2.5 - 2.7 GHz的
高功率增益
GLP = 12分贝（ TYP 。 ） @ F = 2.5 - 2.7GHz的
高功率附加效率
P.A.E. = 40 ％ （ TYP 。 ） @ F = 2.5 - 2.7GHz的
三阶失真IM
2.7GHz的 - IM = -45dBc @ F = 2.5 （ TYP 。 ）
/+ 0
 /+0

r
r 
r
r 
r
 r 

/+0
/+0

r r 
应用
项目01 ： 2.5 - 2.7 GHz频段功率放大器
51项： 2.5 - 2.7 GHz频段的数字比通信
 
质量等级
GG
r
 r 
推荐的偏置条件
VDS = 10 （V）的
ID = 6.5 （ A）
RG = 25 （欧姆）

 


)#6'
5174%' (.#0 )'
&4#+0
)(
(Ta=25deg.C)
评级
-20
-10
107
175
-65 / +175
单位
V
V
W
℃保温
℃保温

绝对最大额定值
符号
参数
VGDO栅漏电压
VGSO栅极至源极电压
PT * 1总功耗
总胆固醇
通道温度
TSTG
储存温度
* 1 ：TC = 25deg.C
<保持安全第一在你的电路设计！ >
三菱电机公司把最大的精力投入到
制造半导体产品的质量和可靠性，
但总是有可能出现麻烦的可能性
与them.Trouble与半导体可能导致人身
人身伤害，火灾或财产损失。记得要给予应有的
考虑到使你的电路设计时的安全性，
适当的措施，如（ 1 ）安置
替代，辅助电路，（2）使用不易燃
材料或（ 3 ）预防对任何故障或事故。
电气CARACTERISTICS
符号
VGS （关闭）
P1dB
GLP
ID
P.A.E.
IM3 * 2
RTH （ CH-C ） * 3
(Ta=25deg.C)
测试条件
VDS = 3V ，ID = 84毫安
分钟。
-
44
11
-
-
-42
-
范围
典型值。
马克斯。
-
-5
45
-
12
-
7.5
-
40
-
-45
-
1.2
1.4
单位
V
DBM
dB
A
%
dBc的
℃保温/ W
参数
栅 - 源截止
í
电压
输出功率
线性功率增益
漏电流
功率附加效率
三阶失真IM
热阻
VDS = 10V ， ID（ RF关闭） = 6.5A ， F = 2.5 - 2.7GHz的
三角洲Vf的方法
* 2 ：项目-51,2音测试， PO = 34.5dBm单载波级， F = 2.5,2.6,2.7GHz ，三角洲F = 5MHz时
* 3 ：信道情况下的
三菱
电
(1/6)
r
 r 
r
June-'04
S波段30W功率GaAs FET
176.+0'&4#9+0)
/+0
/+0
7PKVOKNNKOGVGTUKPEJGU
rr

r
r
r
r
r
r

/+0
/+0

r
r
rr

r
r
r




)#6'
5174%'(.#0)'
&4#+0
)(

三菱电机
(2/6)
June-'04
S波段30W功率GaAs FET MGFS45A2527B
输出功率&功率附加效率随输入功率
50
45
宝（ DBM）
PAE （％）
增益（ dB）的
f=2.5GHz
18
50
f=2.6GHz
宝（ DBM）
PAE （％）
增益（ dB）的
18
50
f=2.7GHz
宝（ DBM）
PAE （％）
增益（ dB）的
18
17
45
17
45
17
40
16
40
16
40
16
35
宝（ DBM）
P.A.E （
％）
15
宝（ DBM）
P.A.E （
％）
35
15
宝（ DBM）
P.A.E （
％）
35
15
30
14
GP （分贝）
30
14
GP （分贝）
30
14
GP （分贝）
25
13
25
13
25
13
20
12
20
12
20
12
15
11
15
11
15
11
10
10
10
10
10
10
5
9
5
9
5
9
0
15
20
25
30
PIN （ DBM）
35
40
8
0
15
20
25
30
PIN （ DBM）
35
40
8
0
15
20
25
30
PIN （ DBM）
35
40
8
三菱电机
(3/6)
June-'04
S波段30W功率GaAs FET MGFS45A2527B
S PARAMETERES （T = 25deg.C ， VDS = 10V ， ID = 6.5A ）
频率
2.00
2.05
2.10
2.15
2.20
2.25
2.30
2.35
2.40
2.45
2.50
2.55
2.60
2.65
2.70
2.75
2.80
2.85
2.90
2.95
3.00
S11
（ MAG ）
0.88
0.87
0.85
0.82
0.79
0.76
0.72
0.66
0.59
0.51
0.40
0.28
0.16
0.07
0.12
0.22
0.30
0.38
0.45
0.51
0.58
（ ANG）
74.01
67.63
60.94
53.50
45.38
36.25
26.06
14.95
1.86
-13.16
-31.23
-51.53
-78.16
-146.41
127.83
95.47
74.56
56.47
40.38
24.35
8.80
S21
（ MAG ）
1.42
1.56
1.72
1.91
2.12
2.38
2.66
2.99
3.34
3.70
4.01
4.24
4.32
4.27
4.09
3.80
3.51
3.18
2.88
2.58
2.30
（ ANG）
-115.63
-124.88
-134.47
-144.48
-155.53
-167.27
-179.79
166.21
150.86
133.43
115.11
95.76
75.62
55.31
35.45
16.42
-1.65
-19.06
-35.49
-51.73
-67.16
S12
（ MAG ）
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
（ ANG）
-79.30
-86.26
-102.29
-111.11
-129.00
-140.42
-159.19
176.25
155.14
126.07
98.68
71.43
43.53
15.41
-11.45
-33.34
-54.63
-75.33
-94.35
-111.68
-126.90
S22
（ MAG ）
0.79
0.77
0.75
0.73
0.70
0.67
0.64
0.59
0.54
0.48
0.43
0.39
0.38
0.40
0.45
0.49
0.53
0.57
0.60
0.62
0.64
（ ANG）
101.57
95.64
89.25
83.20
75.83
67.92
58.86
47.67
34.08
16.39
-5.01
-31.79
-61.12
-87.87
-109.18
-125.33
-137.70
-147.32
-154.95
-161.21
-166.56
这对每一个单端FET进行S参数数据显示测量结果
三菱电机
(4/6)
S波段30W功率GaAs FET MGFS45A2527B
频率特性
14.5
工频突变VS GLP
45.5
工频突变VS的P1dB
-51
工频突变VS IM3
14
45
-50
13.5
-49
P1dB(dBm)
44.5
IM3(dBC)
44
-47
-48
GLP （分贝）
13
12.5
12
Ｖ½
½ =10(Ｖ Ｉ½ Ｆ
)½ (Ｒ OFF）
=6.5(Ａ
)
11.5
43.5
Ｖ½
½ =10(Ｖ Ｉ½ Ｆ
)½ (Ｒ OFF）
=6.5(Ａ
)
-46
Ｖ½
½ =10(Ｖ Ｉ½ Ｆ
)½ (Ｒ OFF）
=6.5(Ａ
)
11
2.4
2.5
2.6
频率（千兆赫）
2.7
2.8
43
2.4
2.5
2.6
频率（千兆赫）
2.7
2.8
-45
2.4
2.5
2.6
频率（千兆赫）
2.7
2.8
三菱电机
(5/6)
June-'04
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