初步
请注意：这不是最终规范
有些参数的限制有可能发生变化。
三菱半导体<GaAs MMIC>
MGFC5215
K波段2级功率放大器
描述
该MGFC5215是GaAs MMIC芯片特别是
专为27.5 30.0 GHz频段中
功率放大器（ MPA ） 。
框图
Vg1
Vg2
特点
RF频率： 27.5 30.0千兆赫
线性增益：
≥
13分贝
P1dB为：
≥
23 dBm的
直流电源： VD = 5 V ，ID1 +型Id2 = 270毫安
In
OUT
Vd1
Vd2
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
符号
VD1，VD2
VG1 ， VG2
Id1
Id2
针
Ta
TSTG
TMAX
参数
漏极供电电压
门电源电压
漏电流1
漏电流2
RF输入功率
背面的环境温度。
储存温度。
大会的最大温度。
评级
6
-3
~ 0.5
120
240
16
-20 ~ +70
-65 ~ +175
+300
单位
V
V
mA
mA
DBM
C
C
C
电气特性（Ta = 25 ° C）
符号
收益
在VSWR
VSWR OUT
P1dB
IM3
收益
输入VSWR
输出VSWR
1 dB输出功率
压缩点
互调电平
参数
条件
分钟。
VD = 5 V
ID1 = 90毫安
ID2 = 180毫安
（ RF OFF）
F = 27.5 ， 30.0千兆赫
单音
F = 27.5 ， 30.0千兆赫
拖音（ 10MHz时关闭）
POUT = 20 dBm的
13.0
3.0
3.0
23.0
(22.0)
范围
单位
典型值。
马克斯。
dB
-
-
DBM
dBc的
三菱
电
截至7月98的
初步
请注意：这不是最终规范
有些参数的限制有可能发生变化。
三菱半导体<GaAs MMIC>
MGFC5215
K波段2级功率放大器
芯片尺寸和焊盘位置（单位：μm ）
1205
460
GND
GND
950
在RF
GND
550
Vd1
R（ Vd1的）R （ Vd2的） GND Vd2的
Vg1
Vg2
GND
RF OUT
GND
550
350
760
910
1210
1700
X蕴含1.70毫米
蕴含0.95毫米
三菱
电
截至7月98的
初步
请注意：这不是最终规范
有些参数的限制有可能发生变化。
三菱半导体<GaAs MMIC>
MGFC5215
K波段2级功率放大器
典型特征
小信号性能
（VD = 5 V ，ID1 = 90毫安，ID2 = 180 mA时， TA = 25 ℃）
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
26
28
30
32
频率[ GHz的]
34
S22
S11
S21
输出功率性能
（VD = 5 V ，ID1 = 90毫安，ID2 = 180 mA时， TA = 25 ℃）
30
25
20
15
10
5
-10
噘
50
40
30
20
10
0
15
PAE
-5
0
5
10
频率[ GHz的]
三菱
电
截至7月98的
初步
请注意：这不是最终规范
有些参数的限制有可能发生变化。
三菱半导体<GaAs MMIC>
MGFC5215
K波段2级功率放大器
描述
该MGFC5215是GaAs MMIC芯片特别是
专为27.5 30.0 GHz频段中
功率放大器（ MPA ） 。
框图
Vg1
Vg2
特点
RF频率： 27.5 30.0千兆赫
线性增益：
≥
13分贝
P1dB为：
≥
23 dBm的
直流电源： VD = 5 V ，ID1 +型Id2 = 270毫安
In
OUT
Vd1
Vd2
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
符号
VD1，VD2
VG1 ， VG2
Id1
Id2
针
Ta
TSTG
TMAX
参数
漏极供电电压
门电源电压
漏电流1
漏电流2
RF输入功率
背面的环境温度。
储存温度。
大会的最大温度。
评级
6
-3
~ 0.5
120
240
16
-20 ~ +70
-65 ~ +175
+300
单位
V
V
mA
mA
DBM
C
C
C
电气特性（Ta = 25 ° C）
符号
收益
在VSWR
VSWR OUT
P1dB
IM3
收益
输入VSWR
输出VSWR
1 dB输出功率
压缩点
互调电平
参数
条件
分钟。
VD = 5 V
ID1 = 90毫安
ID2 = 180毫安
（ RF OFF）
F = 27.5 ， 30.0千兆赫
单音
F = 27.5 ， 30.0千兆赫
拖音（ 10MHz时关闭）
POUT = 20 dBm的
13.0
3.0
3.0
23.0
(22.0)
范围
单位
典型值。
马克斯。
dB
-
-
DBM
dBc的
三菱
电
截至7月98的
初步
请注意：这不是最终规范
有些参数的限制有可能发生变化。
三菱半导体<GaAs MMIC>
MGFC5215
K波段2级功率放大器
芯片尺寸和焊盘位置（单位：μm ）
1205
460
GND
GND
950
在RF
GND
550
Vd1
R（ Vd1的）R （ Vd2的） GND Vd2的
Vg1
Vg2
GND
RF OUT
GND
550
350
760
910
1210
1700
X蕴含1.70毫米
蕴含0.95毫米
三菱
电
截至7月98的
初步
请注意：这不是最终规范
有些参数的限制有可能发生变化。
三菱半导体<GaAs MMIC>
MGFC5215
K波段2级功率放大器
典型特征
小信号性能
（VD = 5 V ，ID1 = 90毫安，ID2 = 180 mA时， TA = 25 ℃）
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
26
28
30
32
频率[ GHz的]
34
S22
S11
S21
输出功率性能
（VD = 5 V ，ID1 = 90毫安，ID2 = 180 mA时， TA = 25 ℃）
30
25
20
15
10
5
-10
噘
50
40
30
20
10
0
15
PAE
-5
0
5
10
频率[ GHz的]
三菱
电
截至7月98的
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