27-March'98
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化。
三菱半导体<GaAs FET>
MGFC45V5964A
5.9 - 6.4GHz波段32W内部匹配的GaAs FET
外形绘图单位：毫米（英寸）
描述
该MGFC45V5964A是一个内部阻抗匹配
砷化镓功率FET特别设计用于在5.9 - 6.4
GHz频带放大器。气密密封的金属陶瓷
封装保证了高可靠性。
24 +/- 0.3
特点
内部匹配到50欧姆系统
高输出功率
的P1dB = 32W （典型值） @ F = 5.9 - 6.4 GHz的
高功率增益
GLP = 9.0分贝（典型值） @ F = 5.9 - 6.4 GHz的
高功率附加效率
P.A.E. = 33 ％ （ TYP 。 ） @ F = 5.9 - 6.4 GHz的
低失真[项目- 51 ]
IM3 = -42 dBc(MIN.)@Po=34.5dBm S.C.L.
(1)
2
R1.2
0.6 +/- 0.15
(2)
1
8
应用
5.9 - 6.4 GHz频段放大器
2
(3)
.
20.4 +/- 0.2
16.7
质量等级
IG
V
DS
= 10V
ID = 8的
RG = 25欧姆
4
7
推荐的偏置条件
.
1
0
请参考偏置程序
绝对最大额定值
符号
VGDO
VGSO
ID
IGR
IGF
PT
总胆固醇
TSTG
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
评级
-15
-15
30
-60
126
125
175
-65/+175
单位
V
. 4
GF-38
.
（ 1 ）门
（ 2 ） SOURCE （ FIANGE ）
（ 3 ）排水
.
.
M
0
A
mA
mA
W
℃保温
℃保温
M
3
V
* 1 ：TC = 25 ℃保温
绝对最大额定值
I
4
符号
IDSS
Gm
VGS （关闭）
P1dB
GLP
PAE
IM3
RTH （ CH -C ）
参数
饱和漏极电流
跨
栅极到源截止电压
在1分贝增益输出功率
压缩
线性功率增益
功率附加效率
三阶失真IM
热电阻* 1
测试条件
民
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，ID = 8A
VDS = 3V ，ID = 160毫安
I
范围
典型值
24
8
-
45
9
33
-45
-
最大
-
-
-5
-
-
-
-
1.0
单位
A
S
V
DBM
dB
%
dBc的
℃保温/ W
-
-
-
44.5
VDS = 10V ， ID = 8A ， F = 5.9 - 6.4 GHz的
8
-
-42
三角洲Vf的方法
-
* 1：通道到外壳
* 2 ：项目- 51,2tone测试， PO = 34.5dBm单载波级， F = 6.4GHz ，台达F = 10MHz时
N
三菱
电
1
4
2
27-March'98
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化。
三菱半导体<GaAs FET>
MGFC45V5964A
5.9 - 6.4 GHz频段32W内部匹配的GaAs FET
（ TA = 25 ℃保温）
宝， PAE与引脚
典型特征
的P1dB ， GLP与F
输出功率的P1dB （ dBm的）
47
46
45
44
43
42
41
VDS=10(V)
IDS=8(A)
14
P1dB
50
VDS=10(V)
IDS=8(A)
f=6.15(GHz)
Po
50
13
12
11
10
9
8
5.8
5.9
6.0
6.1 6.2
6.3
6.4
6.5
线性功率增益GLP （分贝）
输出功率Po （ DBM）
45
40
40
30
GLP
35
PAE
20
30
10
25
20
25
30
35
40
45
0
FERQUENCY （千兆赫）
INPUTPOWER引脚（ DBM）
宝IM3主场迎战针
44
输出功率Po （ dBm的S.C.L. ）
42
40
38
36
34
32
30
28
26
24
22
20
VDS=10(V)
IDS=8(A)
f=6.4(GHz)
德尔塔F = 10 （ MHz）的
0
Po
-10
-20
-30
-40
IM3
-50
-60
18 20 22 24 26
28 30 32 34 36
输入功率Pin （ dBm的S.C.L. ）
的S参数
f
（千兆赫）
5.90
6.00
6.10
6.20
6.30
6.40
MAGN 。
0.61
0.55
0.48
0.41
0.34
0.28
（ TA = 25 ℃保温，V
DS
= 10V ，我
DS
=8A)
的S参数（ TYP 。 ）
S
21
MAGN 。
2.957
3.071
3.119
3.148
3.143
3.122
角（度）
-44
-62
-81
-100
-118
-137
MAGN 。
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
159
138
115
92
65
36
S
12
角（度）
-117
-134
-152
-167
175
160
MAGN 。
0.21
0.22
0.25
0.26
0.26
0.25
S
22
角（度）
160
134
112
91
73
55
S
11
角（度）
三菱
电
IM3(dBc)
功率附加EFFICIECY PAE （ ％ ）
三菱半导体<GaAs FET>
MGFC45V5964A
5.9 - 6.4GHz波段32W内部匹配的GaAs FET
描述
该MGFC45V5964A是一个内部阻抗匹配
砷化镓功率FET特别设计用于在5.9 - 6.4
GHz频带放大器。气密密封的金属陶瓷
封装保证了高可靠性。
OUTL IN亿图中顾尼特：M illim 印机（INC他为s）
24 + /- 0 .3
特点
内部匹配到50欧姆系统
高输出功率
的P1dB = 32W （典型值） @ F = 5.9 - 6.4 GHz的
高功率增益
GLP = 9.0分贝（典型值） @ F = 5.9 - 6.4 GHz的
高功率附加效率
P.A.E. = 33 ％ （ TYP 。 ） @ F = 5.9 - 6.4 GHz的
低失真[项目- 51 ]
IM3 = -45 dBc(TYP.)@Po=34.5dBm S.C.L.
在2米
(1 )
R 1 .2
0.6 + /- 0 .1 5
1 7 .4 + /- 0 .2
8 .0 + /- 0 .2
(2 )
在2米
(3 )
20 .4 + /- 0 .2
应用
5.9 - 6.4 GHz频段功率放大器
4 .3 + /- 0 .4
0 .1 + /- 0 .0 5
16 .7
质量等级
IG
推荐的偏置条件
VDS = 10 （V）的
ID = 8 （A ）
RG = 25 （欧姆）
1 .4
G F -38
请参考偏置程序
（ 1 ）门
（ 2 ） SOURCE （ FIANGE ）
（ 3 ）排水
绝对最大额定值
符号
VGDO
VGSO
ID
IGR
IGF
PT
总胆固醇
TSTG
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
评级
-15
-15
25
-80
168
150
175
-65 / +175
单位
V
V
A
mA
mA
W
℃保温
℃保温
<保持安全第一在你的电路设计！ >
三菱电机公司把最大的精力投入到
制造半导体产品的质量和可靠性，
但总是有可能出现麻烦的可能性
用它们。麻烦半导体可能导致人身
人身伤害，火灾或财产损失。记得要给予应有的
考虑到使你的电路设计时的安全性，
适当的措施，如（ 1 ）安置
替代，辅助电路，（2）使用不易燃
材料或（ 3 ）预防对任何故障或事故。
* 1 ：TC = 25 ℃保温
绝对最大额定值
符号
IDSS
Gm
VGS （关闭）
P1dB
GLP
PAE
IM3
参数
饱和漏极电流
跨
栅极到源截止电压
在1分贝增益输出功率
压缩
线性功率增益
功率附加效率
三阶失真IM
*1
*2
三角洲Vf的方法
测试条件
民
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，ID = 8A
VDS = 3V ，ID = 160毫安
-
-
-2
44
VDS = 10V， ID（射频关闭）= 8A中，f = 5.9-6.4GHz
8
-
-42
-
范围
典型值
24
8
-
45
9
33
-45
0.8
最大
-
-
-5
-
-
-
-
1.0
A
S
V
DBM
dB
%
dBc的
℃保温/ W
单位
RTH （ CH-C ）热电阻
* 1 ：项目-51,2音测试， PO = 34.5dBm单载波级， F = 6.4GHz ，台达F = 10MHz时* 2 ：通道的情况下，
三菱
电
2 .4 + /- 0 .2
June/2004
三菱半导体<GaAs FET>
MGFC45V5964A
5.9 - 6.4 GHz频段32W内部匹配的GaAs FET
典型特征
（ TA = 25 ℃保温）
宝， PAE与引脚
的P1dB ， GLP与F
输出功率的P1dB （ dBm的）
47
46
45
44
43
42
41
VDS=10(V)
IDS=8(A)
14
P1dB
50
VDS=10(V)
IDS=8(A)
f=6.15(GHz)
Po
50
13
12
11
10
9
8
5.8
5.9
6.0
6.1
6.2
6.3
6.4
6.5
线性功率增益GLP （分贝）
输出功率Po （ DBM）
45
40
40
30
GLP
35
PAE
20
30
10
25
20
25
30
35
40
45
0
FERQUENCY （千兆赫）
INPUTPOWER引脚（ DBM）
宝IM3主场迎战针
44
输出功率Po （ dBm的S.C.L. ）
VDS=10(V)
IDS=8(A)
f=6.4(GHz)
德尔塔F = 10 （ MHz）的
0
Po
42
40
38
36
34
32
30
28
26
24
22
20
-10
-20
-30
-40
IM3
-50
-60
18 20 22 24 26 28 30 32 34 36
输入功率Pin （ dBm的S.C.L. ）
的S参数
f
（千兆赫）
5.90
6.00
6.10
6.20
6.30
6.40
（ TA = 25 ℃保温，V
DS
= 10V ，我
DS
=8A)
的S参数（ TYP 。 ）
S
21
MAGN 。
角（度）
2.957
3.071
3.119
3.148
3.143
3.122
-44
-62
-81
-100
-118
-137
S
12
MAGN 。
角（度）
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
-117
-134
-152
-167
175
160
S
22
MAGN 。
角（度）
0.21
0.22
0.25
0.26
0.26
0.25
160
134
112
91
73
55
S
11
MAGN 。
角（度）
0.61
0.55
0.48
0.41
0.34
0.28
159
138
115
92
65
36
三菱
电
IM3(dBc)
June/2004
功率附加EFFICIECY PAE （ ％ ）
三菱半导体<GaAs FET>
MGFC45V5964A
5.9 - 6.4GHz波段32W内部匹配的GaAs FET
三菱
电
June/2004
QQ：2881677436 复制
