三菱半导体<GaAs FET>
MGFC45V3642A
3.6 - 4.2GHz波段32W内部匹配的GaAs FET
描述
该MGFC45V3642A是内部阻抗匹配
砷化镓功率FET特别设计用于在3.6 - 4.2
GHz频带放大器。气密密封的金属陶瓷
封装保证了高可靠性。
ü TLIN ê
24 +/- 0.3
单位： M M
2MIN
特点
A类操作
内部匹配50 （欧姆）系统
高输出功率
的P1dB = 32W （典型值） @ F = 3.6 - 4.2 GHz的
高功率增益
GLP = 11分贝（ TYP 。 ） @ F = 3.6 - 4.2GHz
高功率附加效率
P.A.E. = 36 ％ （ TYP 。 ） @ F = 3.6 - 4.2GHz
低失真[项目-51 ]
IM3 = -45dBc （ TYP 。 ） @宝= 34.5dBm S.C.L.
(1)
R1.2
0.6 +/- 0.15
17.4 +/- 0.2
2MIN
8.0 +/- 0.2
(2)
(3)
20.4 +/- 0.2
应用
项目01 ： 3.6 - 4.2 GHz频段功率放大器
51项： 3.6 - 4.2 GHz频段数字无线通信
0.1 +/- 0.05
范围
典型值。
24
8
-
45
11
8
36
-45
0.8
马克斯。
-
-
-5
-
-
-
-
-
1
质量等级
4.3 +/- 0.4
IG
推荐的偏置条件
VDS = 10 （V）的
ID = 8 （A ）
RG = 25 （欧姆）
1.4
绝对最大额定值
符号
VGDO
VGSO
ID
IGR
IGF
PT * 1
总胆固醇
TSTG
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
(Ta=25deg.C)
评级
-15
-15
25
-80
168
150
175
-65 / +175
单位
V
V
A
mA
mA
W
G F - 38
（ 1 ）门
（ 2 ）■ ourc E（法兰）
(3)drain
<保持安全第一在你的电路设计！ >
三菱电机公司把最大的精力投入到
制造半导体产品的质量和可靠性，
但总是有可能出现麻烦的可能性
用它们。麻烦半导体可能导致人身
人身伤害，火灾或财产损失。记得要给予应有的
考虑到使你的电路设计时的安全性，
适当的措施，如（ 1 ）安置
替代，辅助电路，（2）使用不易燃
材料或（ 3 ）预防对任何故障或事故。
℃保温
℃保温
* 1 ：TC = 25deg.C
电气特性
符号
IDSS
gm
VGS （关闭）
P1dB
GLP
ID
P.A.E.
IM3 * 2
RTH （ CH-C ） * 3
(Ta=25deg.C)
测试条件
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，ID = 8A
VDS = 3V ，ID = 160毫安
分钟。
-
-
-2
44
VDS = 10V ， ID（射频关闭） = 8A ， F = 3.6 - 4.2GHz
10
-
-
-42
三角洲Vf的方法
-
单位
A
S
V
DBM
dB
A
%
dBc的
℃保温/ W
参数
饱和漏极电流
跨
栅极到源截止电压
在1分贝增益输出功率
压缩
线性功率增益
漏电流
功率附加效率
三阶失真IM
热阻
* 2 ：项目-51,2音测试， PO = 34.5dBm单载波级， F = 3.6,3.9,4.2GHz ，三角洲F = 10MHz时
* 3 ：信道情况下的
三菱
电
June/2004
2.4 +/- 0.2
16.7
三菱半导体<GaAs FET>
MGFC45V3642A
3.6 - 4.2GHz波段32W内部匹配的GaAs FET
典型特征
的P1dB ， GLP与F
47
VDS=10V
IDS=8A
P1dB
宝， P.A.E.与引脚
22
50
VDS=10V
IDS=8A
f=3.9GHz
Po
40
60
100
46
输出功率的P1dB （ dBm的）
20
输出功率Po （ DBM）
44
16
线性功率增益GLP （分贝）
45
18
35
43
GLP
14
ηadd
40
42
12
30
20
41
3.5 3.6
3.7 3.8
3.9
4
4.1
4.2 4.3
频率f（ GHz）的
宝， IM3主场迎战针
40
38
VDS=10V
IDS=8A
f1=4.20GHz
f2=4.21GHz
2音测试
10
25
20
25
30
35
40
输入功率Pin （ DBM）
0
10
0
Po
-10
-20
输出功率Po （ dBm的S.C.L. ）
36
34
32
30
IM3
-30
-40
28
26
17
19
21
23
25
27
29
输入功率Pin （ dBm的S.C.L. ）
31
-50
-60
的S参数
f
（千兆赫）
3.50
3.60
3.70
3.80
3.90
4.00
4.10
4.20
4.30
（大= 25deg.C ， VDS = 10 （ V） ， IDS = 8 （ a）条）
S参数（ TYP 。 ）
S21
MAGN 。
角（度）
3.71
42
3.82
14
3.84
3.81
3.86
3.87
3.83
3.64
3.25
-15
-41
-68
-97
-125
-156
174
S12
MAGN 。
角（度）
0.05
-21
0.06
-52
0.07
0.07
0.08
0.09
0.09
0.09
0.09
-80
-107
-134
-162
169
141
108
S22
MAGN 。
角（度）
0.39
-29
0.29
-56
0.22
0.21
0.23
0.26
0.26
0.21
0.09
-94
-142
-177
149
122
93
63
S11
MAGN 。
角（度）
0.51
165
0.55
125
0.56
0.54
0.47
0.37
0.27
0.26
0.40
93
67
40
5
-42
-117
-174
三菱
电
IM3 （ DBC）
June/2004
功率附加效率（ ％ ）
45
80
三菱半导体<GaAs FET>
MGFC45V3642A
3.6 - 4.2GHz波段32W内部匹配的GaAs FET
三菱
电
June/2004
初步
三菱半导体<GaAs FET>
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化。
MGFC45V3642A
3.6 - 4.2GHz波段32W内部匹配的GaAs FET
描述
该MGFC45V3642A是内部阻抗匹配
砷化镓功率FET特别设计用于在3.6 - 4.2
GHz频带放大器。气密密封的金属陶瓷
封装保证了高可靠性。
概要
24 +/- 0.3
2
N
.
I
0
M
2
-
/
+
4
.
7
1
N
I
M
2
4
.
0
-
/
+
3
.
4
2
.
0
-R1.2
/
+
0
.
8
单位：mm
特点
A类操作
内部匹配50 （欧姆）系统
高输出功率
的P1dB = 32W （典型值） @ F = 3.6 - 4.2 GHz的
高功率增益
GLP = 11分贝（ TYP 。 ） @ F = 3.6 - 4.2GHz
高功率附加效率
P.A.E. = 36 ％ （ TYP 。 ） @ F = 3.6 - 4.2GHz
低失真[项目-51 ]
IM3 = -45dBc （ TYP 。 ） @宝= 34.5dBm S.C.L.
(1)
0.6 +/- 0.15
(2)
(3)
20.4 +/- 0.2
16.7
5
0
.
0
-
/
+
1
.
0
2
.
0
-
/
+
4
.
2
应用
项目01 ： 3.6 - 4.2 GHz频段功率放大器
51项： 3.6 - 4.2 GHz频段的数字比通信
质量等级
IG
推荐的偏置条件
VDS = 10 （V）的
ID = 8 （A ）
RG = 25 （欧姆）
4
.
1
GF-38
(Ta=25deg.C)
评级
-15
-15
20
-80
168
150
175
-65 / +175
单位
V
V
A
mA
mA
W
℃保温
℃保温
（ 1 ）门
（ 2 ）源（法兰）
(3)drain
绝对最大额定值
符号
VGDO
VGSO
ID
IGR
IGF
PT * 1
总胆固醇
TSTG
* 1 ：TC = 25deg.C
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
<保持安全第一在你的电路设计！ >
三菱电机公司把最大的精力投入到
制造半导体产品的质量和可靠性，
但总是有可能出现麻烦的可能性
用它们。麻烦半导体可能导致人身
人身伤害，火灾或财产损失。记得要给予应有的
考虑到使你的电路设计时的安全性，
适当的措施，如（ 1 ）安置
替代，辅助电路，（2）使用不易燃
材料或（ 3 ）预防对任何故障或事故。
电气特性
符号
IDSS
gm
VGS （关闭）
P1dB
GLP
ID
P.A.E.
IM3 * 2
RTH （ CH-C ） * 3
(Ta=25deg.C)
测试条件
分钟。
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，ID = 8A
VDS = 3V ，ID = 160毫安
-
-
-2
44
VDS = 10V ， ID（射频关闭） = 8A ， F = 3.6 - 4.2GHz
10
-
-
-42
三角洲Vf的方法
-
范围
典型值。
24
8
-
45
11
8
36
-45
0.8
马克斯。
-
-
-5
-
-
-
-
-
1
A
S
V
DBM
dB
A
%
dBc的
℃保温/ W
参数
饱和漏极电流
跨
栅极到源截止电压
在1分贝增益输出功率
压缩
线性功率增益
漏电流
功率附加效率
三阶失真IM
热阻
单位
* 2 ：项目-51,2音测试， PO = 34.5dBm单载波级， F = 3.6,3.9,4.2GHz ，三角洲F = 10MHz时
* 3 ：信道情况下的
三菱
电
Feb.'99
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化。
三菱半导体<GaAs FET>
MGFC45V3642A
3.6 - 4.2GHz波段32W内部匹配的GaAs FET
宝， P.A.E.与引脚
22
50
VDS=10V
IDS=8A
f=3.9GHz
Po
40
60
100
典型特征
的P1dB ， GLP与F
47
VDS=10V
IDS=8A
P1dB
输出功率的P1dB （ dBm的）
44
16
线性功率增益GLP （分贝）
45
18
35
43
GLP
14
添加
40
42
12
30
20
41
3.5
3.6
3.7
3.8
3.9
4
4.1
4.2
4.3
频率f（ GHz）的
10
25
20
25
30
35
40
输入功率Pin （ DBM）
0
宝， IM3主场迎战针
40
38
36
34
32
30
28
26
17
19
21
23
25
27
29
输入功率Pin （ dBm的S.C.L. ）
31
IM3
VDS=10V
IDS=8A
f1=4.20GHz
f2=4.21GHz
2音测试
10
0
Po
-10
-20
-30
-40
-50
-60
输出功率Po （ dBm的S.C.L. ）
的S参数
f
（千兆赫）
3.50
3.60
3.70
3.80
3.90
4.00
4.10
4.20
4.30
MAGN 。
0.51
0.55
0.56
0.54
0.47
0.37
0.27
0.26
0.40
（大= 25deg.C ， VDS = 10 （ V） ， IDS = 8 （ a）条）
S参数（ TYP 。 ）
S11
角（度）
165
125
93
67
40
5
-42
-117
-174
MAGN 。
3.71
3.82
3.84
3.81
3.86
3.87
3.83
3.64
3.25
S21
角（度）
42
14
-15
-41
-68
-97
-125
-156
174
MAGN 。
0.05
0.06
0.07
0.07
0.08
0.09
0.09
0.09
0.09
S12
角（度）
-21
-52
-80
-107
-134
-162
169
141
108
MAGN 。
0.39
0.29
0.22
0.21
0.23
0.26
0.26
0.21
0.09
S22
角（度）
-29
-56
-94
-142
-177
149
122
93
63
IM3 （ DBC）
三菱
电
功率附加效率（ ％ ）
Feb.'99
46
20
输出功率Po （ DBM）
45
80
QQ：2881677436 复制
