三菱半导体<GaAs FET>
MGFC44V3436
3.4 3.6GHz的波段25W内部匹配的GaAs FET
描述
该MGFC44V3436是匹配的内部阻抗
砷化镓功率FET特别是在3.4 3.6而设计的
GHz频带放大器。气密密封的金属陶瓷
封装保证了高可靠性。
外形绘图
直到：毫米（英寸）
(1)
特点（ TARGET ）
A类操作
内部匹配50 （ Ω ）系统
高输出功率
P
1dB
= 25W （典型值） @ F = 3.4 3.6GHz的
高功率增益
G
LP
= 12分贝（ TYP 。 ） @ F = 3.4 3.6GHz的
高功率附加效率
P.A.E. = 36 ％ （ TYP 。 ） @ F = 3.4 3.6GHz的
洛失真[项目-51 ]
IM3 = -45dBc （ TYP 。 ） @宝= 33.5dBm S.C.L.
(2)
(3)
应用
项目01 ： 3.4 3.6GHz的频段功率放大器
51项： 3.4 3.6GHz的频段数字无线通信
质量等级
IG
推荐的偏置条件
V
DS
=10V
I
D
=6.4A
RG=25
GF-38
（ 1 ）门
（ 2 ） SOURCE （法兰）
（ 3 ）排水
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
符号
V
GDO
V
GSO
I
D
I
GR
I
GF
P
T
总胆固醇
TSTG
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
*1
评级
-15
-15
20
-60
126
125
175
-65 ~ +175
单位
V
V
A
mA
mA
W
°C
°C
<保持安全第一在你的电路设计！ >
三菱电机公司把最大的精力投入到
制造半导体产品的质量和可靠性，
但总是有可能出现麻烦的可能性
人身伤害，火灾或财产损失。记得要给予应有的
考虑到使你的电路设计时的安全性，
适当的措施，如（一）配售
替代，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃
材料或（iii ）预防对任何故障或事故。
* 1 ：TC = 25°C
电气特性（Ta = 25℃）
范围
符号
I
DSS
gm
V
GS
（关闭）
P
1dB
G
LP
ID
P.A.E.
IM3
*2
参数
饱和漏极电流
跨
门源截止电压
在1分贝增益输出功率
压缩
线性功率增益
漏电流
功率附加效率
三阶失真IM
热阻
*3
测试条件
V
DS
=3V, V
GS
=0V
V
DS
= 3V ，我
D
=6.4A
V
DS
= 3V ，我
D
=120mA
分钟。
—
—
-2
43
典型值。
18
6.5
—
44
12
6.4
36
-45
—
最大
—
—
-5
—
—
—
—
—
1.2
单位
A
S
V
DBM
dB
A
%
dBc的
° C / W
V
DS
= 10V ，我
D
（ RF关闭） = 6.4A ， F = 3.4-3.6GHz
11
—
—
-42
RTH （ CH-C ）
V
f
法
—
* 2 ：项目- 51 ， 2音测试， PO = 33.5dBm单载波级， F = 3.4 ， 3.5 ， 3.6GHz的，
f=10MHz
* 3 ：信道来区分
作为Feb.'98的
三菱
电
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