【三菱半导体<GaAs FET>MGFC42V52585.2 - 5.8GHz频段16W内】,IC型号MGFC42V5258,MGFC42V5258 PDF资料,MGFC42V5258经销商,ic,电子元器件-51电子网

三菱半导体<GaAs FET>

MGFC42V5258

5.2 - 5.8GHz频段16W内部匹配的GaAs FET

描述

该MGFC42V5258是内部阻抗匹配

砷化镓功率FET特别设计用于在5.2 - 5.8

GHz频带放大器。气密密封的金属陶瓷

封装保证了高可靠性。

外形绘图

单位：毫米

24+/-0.3

R1.25

2MIN

(1)

0.6+/-0.15

特点

A类操作

内部匹配50 （欧姆）系统

高输出功率

的P1dB = 16W （典型值） @ F = 5.2 - 5.8 GHz的

高功率增益

GLP为10.5分贝（典型值） @ F = 5.2 - 5.8GHz的

高功率附加效率

P.A.E. = 31 ％（ TYP 。） @ F = 5.2 - 5.8GHz的

R1.2

17.4+/-0.3

8.0+/-0.2

(2)

2MIN

(3)

20.4+/-0.2

13.4

0.1

1.4

人身伤害，火灾或财产损失。记得要给予应有的

考虑到使你的电路设计时的安全性，

适当的措施，如（ 1 ）安置

替代，辅助电路，（2）使用不易燃

材料或（ 3 ）预防对任何故障或事故。

应用

5.2 - 5.8 GHz频段功率放大器

质量等级

4.0+/-0.4

推荐的偏置条件

VDS = 10 （V）的

ID = 4.5 （ A）

RG = 25 （欧姆）

GF-18

（ 1 ）： GATE

（ 2 ）： SOURCE （法兰）

（3）：漏极

绝对最大额定值

符号

VGDO

VGSO

IGR

IGF

总胆固醇

TSTG

参数

栅漏电压

栅极至源极电压

漏电流

反向栅电流

正向栅电流

总功耗

通道温度

储存温度

(Ta=25deg.C)

评级

-15

-40

78.9

175

-65 / +175

单位

℃保温

<保持安全第一在你的电路设计！ >

三菱电机公司把最大的精力投入到

制造半导体产品的质量和可靠性，

但总是有可能出现麻烦的可能性

用它们。麻烦半导体可能导致人身

* 1 ：TC = 25deg.C

电气特性

符号

IDSS

VGS （关闭）

P1dB

GLP

P.A.E.

RTH （ CH -C ）

(Ta=25deg.C)

测试条件

VDS = 3V ， VGS = 0V

VDS = 3V ，ID = 4.4A

VDS = 3V ，ID = 80毫安

分钟。

-2

41.5

VDS = 10V ， ID（ RF关闭） = 4.5A ， F = 5.2 - 5.8GHz的

范围

典型值。

-3

42.5

10.5

4.5

单位

马克斯。

-4

1.9

DBM

℃保温/ W

参数

饱和漏极电流

跨

栅极到源截止电压

在1分贝增益输出功率

压缩

线性功率增益

漏电流

功率附加效率

热阻

三角洲Vf的方法

* 1 ：信道情况下的

三菱

电

2.4+/-0.2

June/2004

15.8

三菱半导体<GaAs FET>

MGFC42V5258

5.2 - 5.8GHz频段16W内部匹配的GaAs FET

三菱

电

June/2004

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