三菱半导体<GaAs FET>
MGFC42V3436
3.4 - 3.6GHz的波段16W内部匹配的GaAs FET
描述
该MGFC42V3436是内部阻抗匹配
砷化镓功率FET特别设计用于在3.4 - 3.6
GHz频带放大器。气密密封的金属陶瓷
封装保证了高可靠性。
外形绘图
单位：毫米
24+/-0.3
R1.25
2MIN
(1)
0.6+/-0.15
特点
A类操作
内部匹配50 （欧姆）系统
高输出功率
的P1dB = 16W （典型值） @ F = 3.4 - 3.6 GHz的
高功率增益
GLP = 14分贝（ TYP 。 ） @ F = 3.4 - 3.6GHz的
高功率附加效率
P.A.E. = 37 ％ （ TYP 。 ） @ F = 3.4 - 3.6GHz的
低失真[项目-51 ]
IM3 = -45dBc （最小值） @宝= 32dBm的S.C.L.
R1.2
17.4+/-0.3
8.0+/-0.2
(2)
2MIN
(3)
20.4+/-0.2
13.4
0.1
1.4
人身伤害，火灾或财产损失。记得要给予应有的
考虑到使你的电路设计时的安全性，
适当的措施，如（ 1 ）安置
替代，辅助电路，（2）使用不易燃
材料或（ 3 ）预防对任何故障或事故。
应用
项目01 ： 3.4 - 3.6 GHz频段功率放大器
51项： 3.4 - 3.6 GHz频段数字无线通信
质量等级
IG
4.0+/-0.4
推荐的偏置条件
VDS = 10 （V）的
ID = 4.5 （ A）
RG = 25 （欧姆）
GF-18
（ 1 ） ： GATE
（ 2 ） ： SOURCE （法兰）
（3）：漏极
绝对最大额定值
符号
VGDO
VGSO
ID
IGR
IGF
PT
总胆固醇
TSTG
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
*1
(Ta=25deg.C)
评级
-15
-15
15
-40
84
78.9
175
-65 / +175
单位
V
V
A
mA
mA
W
℃保温
℃保温
<保持安全第一在你的电路设计！ >
三菱电机公司把最大的精力投入到
制造半导体产品的质量和可靠性，
但总是有可能出现麻烦的可能性
用它们。麻烦半导体可能导致人身
* 1 ：TC = 25deg.C
电气特性
符号
IDSS
gm
VGS （关闭）
P1dB
GLP
ID
P.A.E.
IM3
RTH （ CH -C ）
(Ta=25deg.C)
测试条件
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，ID = 4.4A
VDS = 3V ，ID = 80毫安
分钟。
-
-
-
41.5
VDS = 10V ， ID（ RF关闭） = 4.5A ， F = 3.4 - 3.6GHz的
12
-
-
范围
典型值。
11
4
-
42.5
14
4.5
37
-45
-
单位
马克斯。
-
-
-4.5
-
-
-
-
-
1.9
A
S
V
DBM
dB
A
%
dBc的
℃保温/ W
参数
饱和漏极电流
跨
栅极到源截止电压
在1分贝增益输出功率
压缩
线性功率增益
漏电流
功率附加效率
三阶失真IM
热阻
*1
*2
-42
三角洲Vf的方法
-
* 1 ： -51项， 2音测试， PO = 32dBm的单载波级， F = 3.6GHz的，三角形F = 5MHz时
* 2：信道情况下的
三菱
电
2.4+/-0.2
June/2004
15.8
三菱半导体<GaAs FET>
MGFC42V3436
3.4 - 3.6GHz的波段16W内部匹配的GaAs FET
三菱
电
June/2004
三菱半导体<GaAs FET>
MGFC42V3436
3.4 - 3.6GHz的波段16W内部匹配的GaAs FET
描述
该MGFC42V3436是内部阻抗匹配
砷化镓功率FET特别设计用于在3.4 - 3.6
GHz频带放大器。气密密封的金属陶瓷
封装保证了高可靠性。
N
I
3
M
.
2
0
-
/
+
4
.
7
1
N
I
M
2
4
.
0
-
/
+
0
.
4
R1.25
2
.
0
R1.2
-
/
+
0
.
8
24+/-0.3
(1)
0.6+/-0.15
外形绘图
单位：毫米
特点
A类操作
内部匹配50 （欧姆）系统
高输出功率
的P1dB = 16W （典型值） @ F = 3.4 - 3.6 GHz的
高功率增益
GLP = 13分贝（ TYP 。 ） @ F = 3.4 - 3.6GHz的
高功率附加效率
P.A.E. = 37 ％ （ TYP 。 ） @ F = 3.4 - 3.6GHz的
低失真[项目-51 ]
IM3 = -45dBc （最小值） @宝= 32dBm的S.C.L.
(2)
8
.
5
1
(3)
20.4+/-0.2
13.4
1
.
0
4
.
1
应用
项目01 ： 3.4 - 3.6 GHz频段功率放大器
51项： 3.4 - 3.6 GHz频段的数字比通信
2
.
0
-
/
+
4
.
2
质量等级
IG
推荐的偏置条件
VDS = 10 （V）的
ID = 4.5 （ A）
RG = 25 （欧姆）
GF-18
（ 1 ） ： GATE
（ 2 ） ： SOURCE （法兰）
（3）：漏极
绝对最大额定值
符号
VGDO
VGSO
ID
IGR
IGF
PT
总胆固醇
TSTG
* 1 ：TC = 25deg.C
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
*1
(Ta=25deg.C)
评级
-15
-15
12
-40
84
78.9
175
-65 / +175
单位
V
V
A
mA
mA
W
℃保温
℃保温
<保持安全第一在你的电路设计！ >
三菱电机公司把最大的精力投入到
制造半导体产品的质量和可靠性，
但总是有可能出现麻烦的可能性
用它们。麻烦半导体可能导致人身
人身伤害，火灾或财产损失。记得要给予应有的
考虑到使你的电路设计时的安全性，
适当的措施，如（ 1 ）安置
替代，辅助电路，（2）使用不易燃
材料或（ 3 ）预防对任何故障或事故。
电气特性
符号
IDSS
gm
VGS （关闭）
P1dB
GLP
ID
P.A.E.
IM3
RTH （ CH -C ）
(Ta=25deg.C)
测试条件
分钟。
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，ID = 4.4A
VDS = 3V ，ID = 80毫安
-
-
-
41.5
VDS = 10V ， ID（ RF关闭） = 4.5A ， F = 3.4 - 3.6GHz的
12
-
-
范围
典型值。
11
4
-
42.5
13
4.5
37
-45
-
单位
马克斯。
-
-
-4.5
-
-
-
-
-
1.9
A
S
V
DBM
dB
A
%
dBc的
℃保温/ W
参数
饱和漏极电流
跨
栅极到源截止电压
在1分贝增益输出功率
压缩
线性功率增益
漏电流
功率附加效率
三阶失真IM
热阻
*1
*2
-42
三角洲Vf的方法
-
* 1 ： -51项， 2音测试， PO = 32dBm的单载波级， F = 3.6GHz的，三角形F = 5MHz时
* 2：信道情况下的
三菱
电
1998年9月
三菱半导体<GaAs FET>
MGFC42V3436
3.4 - 3.6GHz的波段16W内部匹配的GaAs FET
典型特征
(Ta=25deg.C)
的P1dB ， GLP与F
输出功率的P1dB （ dBm的）
宝， PAE与引脚
输出功率Po （ DBM）
45
44
43
42
VDS=10(V)
IDS=4.5(A)
P1dB
19
18
17
线性功率增益GLP （分贝）
45
VDS=10(V)
IDS=4.5(A)
f=3.5(GHz)
100
Po
90
80
70
功率附加EFFICIECY PAE （ ％ ）
40
35
60
50
16
GLP
30
PAE
40
30
41
40
39
3.3
3.4
3.5
频率f（ GHz）的
15
14
13
3.6
3.7
25
20
10
20
10
15
20
25
30
35
0
输入功率Pin （ DBM）
宝， PAE与引脚
输出功率Po （ DBM）
45
VDS=10(V)
IDS=4.5(A)
f=3.5(GHz)
100
Po
90
80
70
功率附加EFFICIECY PAE （ ％ ）
40
35
60
50
30
PAE
40
30
25
20
10
20
10
15
20
25
30
35
0
输入功率Pin （ DBM）
的S参数
（大= 25deg.C ， VDS = 10 （ V） ， IDS = 4.5 （ a）条）
S参数（ TYP 。 ）
f
（千兆赫）
3.30
3.35
3.40
3.45
3.50
3.55
3.60
3.65
3.70
MAGN 。
0.43
0.30
0.25
0.23
0.30
0.36
0.39
0.42
0.43
S11
角（度）
-19
-56
-80
-138
-179
154
143
126
118
MAGN 。
4.592
5.044
5.124
5.188
5.114
4.895
4.758
4.546
4.433
S21
角（度）
133
112
103
82
63
45
37
21
14
MAGN 。
0.04
0.05
0.05
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
S12
角（度）
74
55
42
21
4
-20
-29
-43
-52
MAGN 。
0.40
0.31
0.26
0.20
0.18
0.19
0.20
0.24
0.25
S22
角（度）
10
-14
-26
-59
-96
-129
-139
-157
-163
三菱
电
1998年9月
QQ：2880707522 复制
