三菱半导体<GaAs FET>
MGFC40V6472
6.4 - 7.2GHz波段10W内部匹配的GaAs FET
描述
该MGFC40V6472A是一个内部阻抗匹配
砷化镓功率FET特别设计用于在6.4 - 7.2
GHz频带放大器。气密密封的金属陶瓷
封装保证了高可靠性。
外形绘图
24+/-0.3
R1.25
(1)
单位：毫米（英寸）
特点
内部匹配到50欧姆系统
高输出功率
的P1dB = 10W （典型值） @ F = 6.4 - 7.2 GHz的
高功率增益
GLP = 9分贝（ TYP 。 ） @ F = 6.4 - 7.2 GHz的
高功率附加效率
P.A.E. = 32 ％ （ TYP 。 ） @ F = 6.4 - 7.2 GHz的
低失真[项目- 51 ]
IM3 = -45 dBm的dBc(TYP.)@Po=29 S.C.L.
0.6+/-0.15
2MIN
R1.2
(2)
8.0+/-0.2
17.4+/-0.3
15.8
2MIN
(3)
20.4+/-0.2
13.4
0.1 2.4+/-0.2
应用
项目01 ： 6.4 - 7.2 GHz频段功率放大器
51项： 6.4 - 7.2 GHz频段数字无线通信
质量等级
IG
4.0+/-0.4
1.4
推荐的偏置条件
V
DS
= 10 (V)
ID = 2.4 （ A）
RG = 50 （欧姆）
（ 1 ） ： GATE
（ 2 ） ： SOURCE （法兰）
（3）：漏极
请参考偏置程序
GF-18
绝对最大额定值
符号
VGDO
VGSO
ID
IGR
IGF
PT
总胆固醇
TSTG
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
评级
-15
-15
7.5
-20
42
42.8
175
-65 / +175
单位
V
V
A
mA
mA
W
℃保温
℃保温
<保持安全第一在你的电路设计！ >
三菱电机公司把最大的精力投入到
制造半导体产品的质量和可靠性，
但总是有可能出现麻烦的可能性
用它们。麻烦半导体可能导致人身
人身伤害，火灾或财产损失。记得要给予应有的
考虑到使你的电路设计时的安全性，
适当的措施，如（ 1 ）安置
替代，辅助电路，（2）使用不易燃
材料或（ 3 ）预防对任何故障或事故。
* 1 ：TC = 25 ℃保温
绝对最大额定值
符号
IDSS
Gm
VGS （关闭）
P1dB
GLP
ID
PAE
IM3
参数
饱和漏极电流
跨
栅极到源截止电压
在1分贝增益输出功率
压缩
线性功率增益
漏电流
功率附加效率
三阶失真IM
*1
*2
三角洲Vf的方法
测试条件
民
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，ID = 2.2A
VDS = 3V ，ID = 40毫安
-
-
-2
39.5
VDS = 10V ， ID（ RF关闭） = 2.4A ， F = 6.4-7.2GHz
7
-
-
-42
-
范围
典型值
4.5
2
-3
40.5
9
2.4
32
-45
-
最大
6
-
-4
-
-
-
-
-
3.5
A
S
V
DBM
dB
A
%
dBc的
℃保温/ W
单位
RTH （ CH-C ）热电阻
* 1 ：项目-51,2音测试， PO = 29.0dBm单载波级， F = 7.2GHz ，台达F = 10MHz时* 2 ：通道的情况下，
三菱
电
June/2004
三菱半导体<GaAs FET>
MGFC40V6472
6.4 - 7.2GHz波段10W内部匹配的GaAs FET
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