三菱半导体<GaAs FET>
MGFC39V7177A
7.1 7.7GHz波段8W内部匹配的GaAs FET
描述
该MGFC39V7177A是内部阻抗匹配
砷化镓功率FET特别是在7.1 7.7 GHz的使用而设计
带amplifiers.The密封的金属陶瓷
封装保证了高可靠性。
外形绘图
单位：毫米
21.0 +/-0.3
特点
A类操作
内部匹配50 （欧姆）系统
高输出功率
的P1dB = 8W （ TYP 。 ） @ F = 7.1 7.7GHz
高功率增益
GLP = 8分贝（ TYP 。 ） @ F = 7.1 7.7GHz
高功率附加效率
P.A.E. = 28 ％ （ TYP 。 ） @ F = 7.1 7.7GHz
低失真[项目-51 ]
IM3 = -45 dBc的（ TYP 。 ） @宝= 28dBm的S.C.L.
2MIN
(1)
0.6 +/-0.15
12.9 +/-0.2
(2)
(2)
R-1.6
11.3
2MIN
(3)
10.7
17.0 +/-0.2
4.5 +/-0.4
项目01 ： 7.1 7.7 GHz频段功率放大器
51项： 7.1 7.7 GHz频段数字无线通信
IG
推荐的偏置条件
VDS = 10 （V）的
ID = 2.4 （ A）
RG = 50 （欧姆）
请参考偏置程序
（ TA = 25 ℃保温）
评级
-15
-15
7.5
-20
42
42.8
175
-65 / +175
单位
V
V
A
mA
mA
W
℃保温
℃保温
0.2
质量等级
1.6
12.0
GF-8
（ 1 ）门
（ 2 ） SOURCE （法兰）
（ 3 ）排水
绝对最大额定值
符号
参数
VGDO
栅漏电压
VGSO
栅极至源极电压
ID
漏电流
IGR
反向栅电流
IGF
正向栅电流
PT
总功耗* 1
总胆固醇
通道温度
TSTG
储存温度
* 1 ：TC = 25 ℃保温
<保持安全第一在你的电路设计！ >
三菱电机公司把最大的精力投入到
制造半导体产品的质量和可靠性，但
总是有麻烦可能与他们发生的可能性。
麻烦半导体可能会导致人身伤害，火灾或
财产损失。记住要充分考虑到安全性
让您的电路设计，配合适当的措施时，
如（1）放置的替代，辅助电路，（2）使用的
针对任何故障不燃材料或（3）的预防
或事故。
电气特性
符号
参数
（ TA = 25 ℃保温）
测试条件
分钟。
-
-
-
38
7
-
-
-42
-
范围
典型值。
-
2
-
39.5
8
-
28
-45
-
马克斯。
7.5
-
-4.5
-
-
3
-
-
3.5
单位
A
S
V
DBM
dB
A
%
dBc的
℃保温/ W
IDSS
饱和漏极电流
VDS = 3V ， VGS = 0V
gm
跨
VDS = 3V ，ID = 2.2A
栅极到源截止电压
VGS （关闭）
VDS = 3V ， ID = 20mA下
P1dB
在1分贝增益压缩输出功率
GLP
线性功率增益
VDS = 10V ， ID（ RF关闭） = 2.4A ， F = 7.1 7.7GHz
ID
漏电流
P.A.E.
功率附加效率
IM3
三阶失真IM
*1
RTH （ CH-C ）热电阻
*2
三角洲Vf的方法
* 1 ： -51项， 2音测试， PO = 28dBm的单载波级， F = 7.7GHz ，台达F = 10MHz时
* 2 ：通道到外壳
三菱
电
June/2004
2.6 +/-0.2
应用
0.1
三菱半导体<GaAs FET>
MGFC39V7177A
7.1 7.7GHz波段8W内部匹配的GaAs FET
三菱
电
June/2004
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