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< C波段内部匹配功率GaAs FET >
MGFC36V4450A
4.4 - 5.0 GHz频带/ 4W
描述
该MGFC36V4450A是内部阻抗匹配
砷化镓功率FET特别是在4.4 5.0而设计的
GHz频带放大器。气密密封的金属陶瓷
封装保证了高可靠性。
外形绘图
单位:毫米
21.0 +/-0.3
(1)
2MIN
特点
A类操作
内部匹配50 (欧姆)系统
高输出功率
的P1dB = 4W ( TYP 。 ) @ F = 4.4 - 5.0GHz的
高功率增益
GLP = 12分贝( TYP 。 ) @ F = 4.4 - 5.0GHz的
高功率附加效率
P.A.E. = 32 % ( TYP 。 ) @ F = 4.4 - 5.0GHz的
低失真[项目-51 ]
IM3 = -45dBc @宝= 25dBm的S.C.L ( TYP 。 )
0.6 +/-0.15
12.9 +/-0.2
(2)
(2)
R-1.6
11.3
2.6 +/-0.2
2MIN
(3)
10.7
17.0 +/-0.2
应用
4.5 +/-0.4
质量
IG
1.6
项目01 : 4.4 - 5.0 GHz频段功率放大器
51项: 4.4 - 5.0 GHz频段数字无线通信
推荐的偏置条件
VDS=10V
ID = 1.2A参照偏置程序
RG=100ohm
GF-8
0.2
12.0
( 1 )门
( 2 ) SOURCE (法兰)
( 3 )排水
绝对最大额定值
符号
VGDO
VGSO
ID
IGR
IGF
PT * 1
总胆固醇
TSTG
(Ta=25C)
参数
栅漏击穿电压
栅源击穿电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
运河温度
储存温度
评级
-15
-15
3.75
-10
21
25
175
-65到+175
单位
V
V
A
mA
mA
W
C
C
保持安全第一在你的电路设计!
三菱电机公司提出的最大
努力为半导体制造更好的产品
和更可靠的,但总是有
可能故障可能与它们发生。
麻烦半导体可能导致人身
人身伤害,火灾或财产损失。记得给
制作时充分考虑到您的安全
电路设计,配合适当的措施,如
作为替代,辅助电路(I)的位置,
(ⅱ)使用不易燃的材料或(iii)预防
对任何故障或事故。
* 1 :TC = 25°C
电气特性
符号
IDSS
gm
VGS (关闭)
P1dB
GLP
ID
P.A.E.
IM3 * 2
RTH ( CH-C ) * 3
(Ta=25C)
参数
饱和漏极电流
栅极到源截止电压
在1分贝增益压缩输出功率
测试条件
分钟。
VDS=3V,VGS=0V
VDS=3V,ID=1.1A
VDS=3V,ID=10mA
VDS = 10V , ID( RF关闭) = 1.2A
F = 4.4 - 5.0GHz的
-
-
-
35
11
-
-
-42
三角洲Vf的方法
-
范围
典型值。
-
1
-
37
12
-
32
-45
5
0.1
单位
马克斯。
3.75
-
-4.5
-
-
1.8
-
-
6
A
S
V
DBM
dB
A
%
dBc的
° C / W
线性功率增益
漏电流
功率附加效率
三阶失真IM
热阻
* 2 :项目-51 , 2音测试, PO = 25dBm的单载波级, F = 5.0GHz的,三角形F = 10MHz时
* 3 :信道情况下的
出版日期: 2011年4月
1
< C波段内部匹配功率GaAs FET >
MGFC36V4450A
4.4 - 5.0 GHz频带/ 4W
保持安全第一在你的电路设计!
三菱电机公司把最大的精力投入到制造半导体产品更好,更
可靠的,但总有麻烦可能会与他们发生的可能性。麻烦半导体
可能导致人身伤害,火灾或财产损失。记住要充分考虑到安全性时,给
让您的电路设计,配合适当的措施,如替代,辅助(一)配售
电路,(ⅱ)使用的针对任何故障或事故不燃材料或(iii)预防。
对于这些材料的注意事项
这些材料的目的是作为一个参考,帮助我们的客户在三菱的选择
半导体产品最适合客户的应用;他们不构成对任何任何许可证
知识产权,或任何其他权利,属于三菱电机公司或第三方。
三菱电机公司不承担任何对任何损害概不负责,或侵权
第三方的权利,对原产于使用任何产品数据,图,表,程序,算法,或
这些材料所含的电路应用实例。
包含在这些资料,包括产品数据,图,表,程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息,并有可能
三菱电机株式会社,恕不另行通知更改由于产品改进或其他原因。它
因此,建议广大客户来电咨询三菱电机公司或其授权
在购买产品前,三菱半导体产品分销商了解最新的产品信息
本文列出的。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。三菱
电力公司不承担任何损害赔偿,法律责任概不负责,或由这些其他损失上升
不准确或错误。
另请注意公布的三菱电机公司通过各种方式的信息,
包括三菱半导体主页( http://www.MitsubishiElectric.com/ ) 。
当使用任何包含在这些资料,包括产品数据,图形或所有信息,
图表,程序和算法,请务必使前评估的所有信息作为一个整体系统
有关的信息和产品的适用性作出最后决定。三菱电机公司承担
对于任何损害,责任或此处包含的信息所导致的其他损失不承担任何责任。
三菱电机株式会社半导体没有设计或在设备制造中使用或
系统,是在何种情况下人类的生活可能是危在旦夕使用。请联系
三菱电机公司或授权的三菱半导体产品分销商时,
考虑到产品的本文中的任何特定的目的,例如装置或系统中使用
交通,汽车,医疗,航空航天,核能,或海底中继器的使用。
三菱电机公司的事先书面批准,不得翻印或者复制全部或
在部分这些材料。
如果这些产品或技术受日本出口管制的限制,它们必须是
日本政府根据许可证出口,不能导入到比其他国家
经批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或法规的国家
被禁止的目的。
请与三菱电机公司或授权的三菱半导体产品分销商
对这些材料的详细信息或其中包含的产品。
2011三菱电机。版权所有。
出版日期: 2011年4月
2
三菱半导体<GaAs FET>
MGFC39V6472A
6.4 7.2GHz波段8W内部匹配的GaAs FET
描述
该MGFC39V6472A是内部阻抗匹配
砷化镓功率FET特别设计用于在6.4 - 7.2
GHz频段amplifiers.The密封的金属 -
陶瓷封装保证了高可靠性。
外形绘图
单位:毫米
21.0 +/-0.3
特点
A类操作
内部匹配50 (欧姆)系统
高输出功率
的P1dB = 8W ( TYP 。 ) @ F = 6.4 7.2GHz
高功率增益
GLP = 9分贝( TYP 。 ) @ F = 6.4 7.2GHz
高功率附加效率
P.A.E. = 28 % ( TYP 。 ) @ F = 6.4 7.2GHz
低失真[项目-51 ]
IM3 = -45 dBc的( TYP 。 ) @宝= 28dBm的S.C.L.
2MIN
(1)
0.6 +/-0.15
12.9 +/-0.2
(2)
(2)
R-1.6
11.3
2.6 +/-0.2
2MIN
(3)
10.7
17.0 +/-0.2
应用
4.5 +/-0.4
项目01 : 6.4 7.2 GHz频段功率放大器
51项: 6.4 7.2 GHz频段数字无线通信
IG
推荐的偏置条件
VDS = 10 (V)的
ID = 2.4 ( A)
RG = 50 (欧姆)
请参考偏置Procedure"
( TA = 25 ℃保温)
评级
-15
-15
7.5
-20
42
42.8
175
-65 / +175
单位
V
V
A
mA
mA
W
℃保温
℃保温
0.2
质量等级
1.6
12.0
GF-8
( 1 )门
( 2 ) SOURCE (法兰)
( 3 )排水
绝对最大额定值
符号
参数
VGDO
栅漏电压
VGSO
栅极至源极电压
ID
漏电流
IGR
反向栅电流
IGF
正向栅电流
PT
总功耗* 1
总胆固醇
通道温度
TSTG
储存温度
* 1 :TC = 25 ℃保温
<保持安全第一在你的电路设计! >
三菱电机公司把最大的精力投入到
制造半导体产品的质量和可靠性,但
总是有麻烦可能与他们发生的可能性。
麻烦半导体可能导致人身伤害,火灾
或财产损失。记住要充分考虑到
安全让您的电路设计的时候,用适当的
如( 1 )安置的替代,辅助措施
电路, (2)使用不易燃的材料或(3)的预防
对任何故障或事故。
电气特性
符号
参数
( TA = 25 ℃保温)
测试条件
分钟。
-
-
-
38
7
-
-
-42
-
范围
典型值。
-
2
-
39.5
9
-
28
-45
-
单位
马克斯。
7.5
A
-
S
-4.5
V
-
DBM
-
dB
3
A
-
%
-
dBc的
3.5 ℃保温/ W
IDSS
饱和漏极电流
VDS = 3V , VGS = 0V
gm
VDS = 3V ,ID = 2.2A
VGS (关闭)
栅极到源截止电压
VDS = 3V , ID = 20mA下
P1dB
在1分贝增益压缩输出功率
GLP
线性功率增益
VDS = 10V , ID( RF关闭) = 2.4A , F = 6.4 7.2GHz
ID
漏电流
P.A.E.
功率附加效率
IM3
三阶失真IM
*1
RTH ( CH-C )热电阻
*2
三角洲Vf的方法
* 1 : -51项, 2音测试, PO = 28dBm的单载波级, F = 7.2GHz ,台达F = 10MHz时
* 2 :通道到外壳
三菱
0.1
June/2004
三菱半导体<GaAs FET>
MGFC39V6472A
6.4 7.2GHz波段8W内部匹配的GaAs FET
三菱
June/2004
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高频管原装进口正品现货供应,假一罚十。
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