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三菱
June/2004
三菱
June/2004
三菱半导体<GaAs FET>
MGFC36V5258
5.2 5.8GHz频段4W内部匹配的GaAs FET
三菱
June/2004
< C波段内部匹配功率GaAs FET >
MGFC36V5258
5.2 - 5.8 GHz频带/ 4W
描述
该MGFC36V5258是内部阻抗匹配
砷化镓功率FET特别设计用于在5.2 - 5.8
GHz频带放大器。气密密封的金属陶瓷
封装保证了高可靠性。
外形绘图
单位:毫米
21.0 +/-0.3
(1)
2MIN
特点
A类操作
内部匹配50 (欧姆)系统
高输出功率
的P1dB = 4W ( TYP 。 ) @ F = 5.2 - 5.8GHz的
高功率增益
GLP = 10分贝( TYP 。 ) @ F = 5.2 - 5.8GHz的
高功率附加效率
P.A.E. = 32 % ( TYP 。 ) @ F = 5.2 - 5.8GHz的
0.6 +/-0.15
12.9 +/-0.2
(2)
(2)
R-1.6
11.3
2.6 +/-0.2
2MIN
(3)
10.7
应用
质量
IG
17.0 +/-0.2
5.2 - 5.8 GHz频段功率放大器
4.5 +/-0.4
0.1
1.6
0.2
12.0
推荐的偏置条件
VDS=10V
ID = 1.2A参照偏置程序
RG=100ohm
GF-8
( 1 )门
( 2 ) SOURCE (法兰)
( 3 )排水
绝对最大额定值
符号
VGDO
VGSO
ID
IGR
IGF
PT * 1
总胆固醇
TSTG
(Ta=25C)
参数
栅漏击穿电压
栅源击穿电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
运河温度
储存温度
评级
-15
-15
2.8
-10
21
25
175
-65到+175
单位
V
V
A
mA
mA
W
C
C
保持安全第一在你的电路设计!
三菱电机公司提出的最大
努力为半导体制造更好的产品
和更可靠的,但总是有
可能故障可能与它们发生。
麻烦半导体可能导致人身
人身伤害,火灾或财产损失。记得给
制作时充分考虑到您的安全
电路设计,配合适当的措施,如
作为替代,辅助电路(I)的位置,
(ⅱ)使用不易燃的材料或(iii)预防
对任何故障或事故。
* 1 :TC = 25°C
电气特性
符号
IDSS
gm
VGS (关闭)
P1dB
GLP
ID
P.A.E.
RTH ( CH-C ) * 2
(Ta=25C)
参数
饱和漏极电流
栅极到源截止电压
在1分贝增益压缩输出功率
测试条件
分钟。
VDS=3V,VGS=0V
VDS=3V,ID=1.1A
VDS=3V,ID=10mA
VDS = 10V , ID( RF关闭) = 1.2A
F = 5.2 - 5.8GHz的
-
-
-2
35
9
-
-
三角洲Vf的方法
-
范围
典型值。
2.0
1
-3
36
10
1.1
33
-
单位
马克斯。
2.8
-
-4
-
-
1.4
-
6
A
S
V
DBM
dB
A
%
° C / W
线性功率增益
漏电流
功率附加效率
热阻
* 2:信道情况下的
出版日期: 2011年4月
1
< C波段内部匹配功率GaAs FET >
MGFC36V5258
5.2 - 5.8 GHz频带/ 4W
MGFC36V5258典型特征
(大= 25deg.C )
的P1dB , GLP与F
宝, PAE与引脚
S11 , S22与F
S21 , S12与F
MGFC36V5258 S参数
(大= 25deg.C , VDS = 10 ( V) , IDS = 1.2 ( a)条)
f
(千兆赫)
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
5.7
5.8
MAGN 。
0.43
0.30
0.19
0.18
0.28
0.39
0.51
的S参数(典型值)。
S11
角(度)
13
-3
-41
-99
-152
179
161
MAGN 。
3.27
3.30
3.45
3.61
3.61
3.45
3.19
S21
角(度)
138
122
105
89
73
55
36
MAGN 。
0.062
0.062
0.062
0.060
0.061
0.059
0.058
S12
角(度)
156
138
120
102
78
56
32
MAGN 。
0.51
0.48
0.46
0.43
0.34
0.26
0.17
S22
角(度)
-17
-28
-39
-51
-66
-80
-98
出版日期: 2011年4月
2
< C波段内部匹配功率GaAs FET >
MGFC36V5258
5.2 - 5.8 GHz频带/ 4W
保持安全第一在你的电路设计!
三菱电机公司把最大的精力投入到制造半导体产品更好,更
可靠的,但总有麻烦可能会与他们发生的可能性。麻烦半导体
可能导致人身伤害,火灾或财产损失。记住要充分考虑到安全性时,给
让您的电路设计,配合适当的措施,如替代,辅助(一)配售
电路,(ⅱ)使用的针对任何故障或事故不燃材料或(iii)预防。
对于这些材料的注意事项
这些材料的目的是作为一个参考,帮助我们的客户在三菱的选择
半导体产品最适合客户的应用;他们不构成对任何任何许可证
知识产权,或任何其他权利,属于三菱电机公司或第三方。
三菱电机公司不承担任何对任何损害概不负责,或侵权
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这些材料所含的电路应用实例。
包含在这些资料,包括产品数据,图,表,程序和所有信息
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在购买产品前,三菱半导体产品分销商了解最新的产品信息
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包括三菱半导体主页( http://www.MitsubishiElectric.com/ ) 。
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考虑到产品的本文中的任何特定的目的,例如装置或系统中使用
交通,汽车,医疗,航空航天,核能,或海底中继器的使用。
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在部分这些材料。
如果这些产品或技术受日本出口管制的限制,它们必须是
日本政府根据许可证出口,不能导入到比其他国家
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任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或法规的国家
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请与三菱电机公司或授权的三菱半导体产品分销商
对这些材料的详细信息或其中包含的产品。
2011三菱电机。版权所有。
出版日期: 2011年4月
3
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