三菱半导体<GaAs MMIC>
技术说明
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
MGF7169C
UHF波段砷化镓功率放大器
描述
该MGF7169C是单片微波集成电路
电路中的CDMA基站手持电话的使用。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
Pi
Vg1
Vd1
MC
Vg2
： RF输入
Pi
： RF输出
Po
VD1 ：漏极偏置1
VD2 ：漏极偏置2
：栅极偏置
Vg
MC ：注1
GND ：连接到GND
案例：连接到GND
注1 ：连接到匹配电路
GND
GND
VD2 /蒲
特点
低电压工作：
Vd=3.0V
高输出功率：
宝= 28dBm的典型值。 @ F = 1.85 1.91GHz
低失真：
ACP = -46dBc最大。 @宝= 28dBm的
高效率：
ID = 520毫安（典型值） 。 @宝= 28dBm的
体积小：
7.0 X 6.1 X 1.1毫米
表面贴装封装
2级放大器
外部匹配电路是必需的
应用
1.9GHz的频段手持电话
质量等级
GG
该IC和应用电路示例的框图。
VDD
调节器
电池
VD1
VD2
匹配
电路
MGF7169C
匹配
电路
百帕
VG1
VG2
针
噘
负电压
发电机
·三菱电机公司把最大的精力投入到半导体制造更好的产品和可靠的，但有
总是觉得麻烦可以与他们发生的可能性。麻烦半导体可能会导致人身伤害，火灾或
财产损失。记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的
例如（i ）放置替代，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或（iii）预防措施
对任何故障或事故。
三菱电机
(1/20)
八月'97
三菱半导体<GaAs MMIC>
初步
信息
MGF7169C
UHF波段砷化镓功率放大器
绝对最大额定值（Ta = 25
C
)
符号
Vd1,Vd2
Vg
Pi
TC （ OP ）
TSTG
参数
漏极供电电压
门电源电压
输入功率
工作温度
储存温度
评级
6
-4
15
-30 ~ +85
-30 ~ +100
单位
V
V
DBM
C
C
* 1.Each最大额定值是独立的保证。
电气特性（ TA = 25 ℃
C
)
符号
f
参数
频率
ACP<-42dBc （ 1.25MHz的偏移。 ） Vd1的= Vd2的= 3.0V
ACP<-44dBc （ 1.25MHz的偏移。 ） Vd1的= Vd2的= 3.0V
测试条件
民
1850
范围
TYP MAX
单位
—
450
480
1910兆赫
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-3
-30
3
DBM
mA
dBc的
mA
mA
IDT
总漏电流
ACP<-46dBc （ 1.25MHz的偏移。 ） Vd1的= Vd2的= 3.0V
ACP<-44dBc （ 1.25MHz的抵销。 ） Vd1的= Vd2的= 3.3V
520
450
Idle_Id
噘
Ig
2sp
凛
空载电流
输出功率
栅电流
第二谐波
输入VSWR
VG1 = VG2 = -2.0V ，宝= 28dBm的
VG1 = VG2 = -2.5V ，宝= 12dBm时
150
50
28
Vd1=Vd2=3.0V,Vg1=Vg2=-2.0V,
PIN = 7dBm CDMA调制信号
基于IS- 95标准型。
（ 1.2288Mbps蔓延， OQPSK ）
Vd1=Vd2=3.0V,
Pin=7dBm,
负载VSWR = 10 ，所有阶段
时间= 10秒
Vd1=Vd2=3.0V,
Pin=7dBm,
负载电压驻波比= 3：1，所有的相
—
—
—
—
—
损坏
与站立
记
无损伤
—
稳定性
记
无振荡
杂散电平
≤
-60dBc
* CDMA是码分多址。 OQPSK是调制方法，抵销正交相移键控。
电气特性由外部匹配电路改变。
限制使用三菱测试夹具保证。
注：抽样检验
三菱电机
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八月'97
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