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三菱SEMICONDUTOR <GaAs FET>
Feb./2007
MGF4961B
超低噪音的InGaAs HEMT
描述
该MGF4961B超低噪音HEMT (高电子迁移率
晶体管)被设计为在K波段放大器。
外形绘图
4.0±0.2
(1.05)
1.9±0.1
(1.05)
(单位:毫米)
特点
低噪声系数
@ F = 20GHz的
NFmin 。 = 0.7分贝(典型值)。
高增益相关
@ F = 20GHz的
GS = 13.5分贝(典型值)。
(1.05)
C到K波段低噪声放大器
0.5±0.1
1.19±0.2
0.125
±0.05
质量等级
GG
GD-31
(1.05)
应用
1.02±0.1
1.9±0.1
推荐的偏置条件
V
DS
= 2V ,我
D
=10mA
三菱专有
为了不被复制或披露
未经三菱电机权限
订购信息
磁带&卷轴
4000pcs./reel
保持安全第一在你的电路设计!
三菱电机公司提出的最大
努力为半导体制造更好的产品
和更可靠的,但总是有
可能故障可能与它们发生。
麻烦半导体可能导致人身
人身伤害,火灾或财产损失。记得给
制作时充分考虑到您的安全
电路设计,配合适当的措施,如
作为替代,辅助电路(I)的位置,
(ⅱ)使用不易燃的材料或(iii)预防
对任何故障或事故。
绝对最大额定值
符号
V
GDO
V
GSO
I
D
PT
T
ch
T
英镑
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
( TA = 25 ° C)
评级
-4
-4
IDSS
50
125
-55到+125
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
Synbol
V
( BR ) GDO
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
Gs
NFmin 。
参数
栅漏击穿电压
门源漏电流
饱和漏极电流
栅极到源截止电压
相关的增益
最小噪声科幻gure
( TA = 25 ° C)
测试条件
分钟。
I
G
=-10A
V
GS
=-2V,V
DS
=0V
V
GS
=0V,V
DS
=2V
V
DS
=2V,I
D
=500A
V
DS
=2V,I
D
=10mA
f=20GHz
-3
--
15
-0.1
11.5
--
范围
典型值。
--
--
--
--
13.5
0.70
最大
--
50
60
-1.5
--
0.95
4.0±0.2
- 门
=源
=漏
单位
V
A
mA
V
dB
dB
三菱
(1/4)
三菱SEMICONDUTOR <GaAs FET>
Feb./2007
MGF4961B
超低噪音的InGaAs HEMT
典型特征
I
D
与V
DS
50
V
GS
=-0.1V/STEP
(Ta=25°C)
I
D
与V
GS
50
VDS=2V
I
D
(MA )
40
漏电流,我
D
(MA )
0
1
2
3
40
30
漏电流
30
20
20
10
10
0
0
-1.0
-0.5
0.0
漏极至源极电压V
DS
(V)
门源电压,V
GS
(V)
NF & Gs的与我
D
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
NF
0.6
0.4
0
5
10
15
20
6
4
VDS=2V
F = 20GHz的
16
14
Gs
12
10
8
漏极电流ID (MA )
三菱
(2/4)
相关的增益,
GS (分贝)
噪声系数
, NF (分贝)
三菱SEMICONDUTOR <GaAs FET>
Feb./2007
MGF4961B
超低噪音的InGaAs HEMT
的S参数
频率。
(千兆赫)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
S11
( MAG )
( ANG)
0.991
-16.4
0.967
-32.5
0.928
-48.5
0.886
-64.5
0.835
-80.3
0.782
-98.8
0.729 -115.0
0.682 -130.4
0.637 -145.0
0.563 -155.8
0.536 -165.2
0.527 -175.0
0.520
172.8
0.509
160.4
0.474
145.5
0.459
129.1
0.449
104.5
0.445
74.9
0.473
40.8
0.534
8.1
0.597
-21.4
0.657
-44.1
0.695
-64.0
0.696
-79.4
0.686
-93.5
0.656 -105.2
S21
( MAG )
( ANG)
4.743
162.8
4.652
146.3
4.525
129.9
4.403
113.8
4.252
98.3
4.089
81.6
3.885
66.6
3.665
52.2
3.437
39.2
3.265
28.3
3.248
17.1
3.266
5.0
3.303
-8.4
3.422
-21.6
3.542
-36.3
3.659
-52.3
3.881
-68.5
4.101
-89.4
4.063 -111.4
3.940 -134.0
3.685 -157.2
3.324
179.7
2.969
158.8
2.570
138.3
2.294
119.4
2.038
100.1
(Ta=25°C,VDS=2V,ID=10mA)
S12
S22
( MAG )
( ANG)
( MAG )
( ANG)
0.015
0.028
0.041
0.052
0.059
0.065
0.068
0.067
0.066
0.063
0.051
0.043
0.047
0.047
0.044
0.052
0.058
0.062
0.059
0.052
0.050
0.046
0.058
0.065
0.082
0.095
76.9
66.2
54.8
43.4
33.1
21.3
11.7
2.6
-6.2
-15.5
-21.9
-19.3
-17.7
-15.3
-19.1
-15.0
-26.7
-44.4
-68.0
-93.8
-125.1
-155.7
169.5
148.6
128.7
118.8
0.658
0.643
0.622
0.596
0.571
0.541
0.517
0.492
0.474
0.461
0.461
0.479
0.480
0.487
0.489
0.482
0.488
0.473
0.402
0.325
0.251
0.198
0.216
0.247
0.289
0.346
-13.0
-25.8
-38.9
-51.4
-63.0
-76.5
-87.6
-98.0
-106.1
-116.0
-121.0
-128.9
-139.8
-147.7
-157.0
-167.4
-177.8
164.4
143.4
118.7
86.6
46.3
3.2
-27.3
-45.2
-56.5
噪声参数
频率。
(千兆赫)
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
Γopt
( MAG )
0.525
0.462
0.403
0.348
0.297
0.249
0.204
0.186
0.168
0.223
0.276
0.296
0.315
0.333
0.350
( VDS = 2V , ID = 10毫安,TA = 25 ° C)
Rn
NFmin
( dB)的
0.43
0.47
0.51
0.55
0.58
0.61
0.64
0.67
0.70
0.80
0.89
0.97
1.05
1.13
1.20
的S参数测量:
主板:
εr=2.6
厚度= 0.4毫米
( ANG)
144.8
166.2
-174.0
-155.5
-138.3
-122.1
-106.8
-72.3
-39.5
-14.6
17.5
36.8
55.2
72.9
89.9
0.08
0.09
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.19
0.23
0.29
0.35
0.39
0.43
0.47
0.51
0.135
0.48
4-φ0.3TH
0.4TH
参考点
1.90
0.31
0.61
(单位:毫米)
注)氡是由50欧姆归
三菱
(3/4)
1.1
2.5
三菱SEMICONDUTOR <GaAs FET>
Feb./2007
MGF4961B
超低噪音的InGaAs HEMT
请求关于安全设计
三菱电机不断努力提高其质量和可靠性的水平。尽管众志成城,
然而,会出现的场合,当我们的半导体产品遭受故障,故障或其它问题。
鉴于这一现实,它要求一切可行措施采取在追求的冗余设计,
故障的预防设计等与安全有关的设计,以防止我们的产品故障或失灵
从造成的事故涉及人,火灾,社会损失或其他问题,从而维护的最高水平
安全产品在客户使用的时候。
使用这些材料时,重要的事项
1.这些材料被设计为参考材料,以确保所有的客户购买三菱电机
半导体最适合其特定用途的应用程序。请注意,但是,该技术信息
包含在这些材料不包括同意的知识产权或其他执行或使用
三菱电机株式会社拥有的权利。
2.三菱电机不承担因使用产品数据,图表所造成的损害的责任,
在这些材料中描述的程序,算法或其它应用电路的例子,或者的侵权
此类使用所引起的第三方所有者的权利。
3,数据,图形,图表,程序,算法以及在这些材料中描述的所有其它信息均电流
这些材料的问题,与三菱电机保留作出任何必要的更新或修改的权利
在产品或技术规格中的这些材料,恕不另行通知。购买三菱电机前
半导体产品,因此,请直接获得三菱电机最新的资料或
授权经销商。
4.已经尽了一切努力,以确保这些材料中描述的信息是完全准确的。
然而,三菱电机不对因不准确而造成的损失范围内发生的这些不负责
材料。
5.当使用的产品数据,技术内容说明中所述的图形,图表,程序或算法
这些材料中,评估不应仅限于所述的技术内容,程序和算法单元。
更确切地说,它是要求足够的评价进行每个单独的系统作为一个整体的,与客户
假设对应用程序的正当性决定负全部责任。三菱电机不接受
负责应用程序的正当性。
6.在这些材料中描述的,具有特别提到有关使用和可靠性的例外产品,有
在设计和使用在一般的电子机器的使用目的制造。因此这些产品
没有被设计并在机械或系统的应用,将用于该目的的制
这需要一个可以影响人的一生,或机械或社会基础设施系统的使用条件下,
特别高程度的可靠性。当考虑使用这些材料中描述的产品
运输机械(汽车,火车,船舶) ,对有关医疗,航空航天,核能目标
功率控制,海底中继器或系统或其他专门的应用程序,请与三菱协商
电气直接或授权经销商。
7.当考虑的目的不是在这些材料中描述的特定应用其他用途的产品,
请咨询三菱电机或授权经销商。
8.需要这些材料的任何转载或复制三菱电机的书面同意。
9.请直接有关这些材料,或任何其他意见或关注事项之进一步详情有任何疑问,
三菱电机或授权经销商。
三菱
(4/4)
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MGF4961B
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
MGF4961B
MITSUBISH
21+
7020
SMD
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MGF4961B
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