三菱SEMICONDUCTOR<GaAs FET>
MGF0952P
L & S波段砷化镓场效应管
[塑料模具铅少PKG ]
描述
该MGF0952P砷化镓场效应管与N沟道肖特基
门，是专为使用L / S波段放大器。
特点
高输出功率
宝= 36.5dBm （典型值） @ F = 2.15GHz ， PIN = 25Bm
高功率增益
GLP = 13.5分贝（ TYP 。 ） @ F = 2.15GHz
高功率附加效率
ηadd=50%(TYP.)
@f=2.15GHz,Pin=25dBm
塑胶模具铅少PKG
应用
对于L / S波段功率放大器
Fig.1
质量
GG
推荐的偏置条件
Vds=10V
Ids=700mA
Rg=100
交货
磁带&卷（ 1.5K ）
(Ta=25°C)
绝对最大额定值
符号
V
GSO
V
GDO
I
D
I
GR
I
GF
P
T
总胆固醇
TSTG
参数
大门sourcebreakdown电压
栅漏击穿电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
运河温度
储存温度
评级
-15
-15
3.5
-10
21
20.0
150
-40到+150
(Ta=25°C)
单位
V
V
A
mA
mA
W
°C
°C
推荐的最大额定值
符号
总胆固醇
参数
运河温度
评级
150
(Ta=25°C)
单位
°C
电气特性
符号
V
GS （ OFF ）
Po
*1
ηadd
G
LP
IM3
*1
*2
参数
栅极到源截止电压
输出功率
功率附加效率
线性功率增益
3
rd
为了调制失真
热阻
*1
测试条件
V
DS
=3V,I
D
=12.6mA
V
DS
=10V,I
D
=700mA,f=2.15GHz
* 1 ：引脚= 25dBm的， * 2 ： PIN = 15dBm的
* 3 ： F1 = 2.15GHz ， F2 = 2.16GHz的
Po(SCL)=25dBm
-VF
法
分钟。
-1
35.0
--
11
--
--
范围
典型值。
-3
36.5
50
13.5
-42
4.5
马克斯。
-5
--
--
--
--
6.5
单位
V
DBM
%
dB
dBc的
° C / W
*3
RTH （ CH -C ）
*1:
通道的情况下/
以上参数，收视率，限制有可能发生变化。
(1/50)
三菱电机
Mar./2005
MGF0952P的S参数
(Ta=25°C,VD=10V,ID=700mA)
！频率。
！ （千兆赫）
0.60
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
1.80
2.00
2.20
2.40
2.60
2.80
3.00
3.20
3.40
3.60
3.80
4.00
4.20
4.40
4.60
4.80
5.00
5.20
5.40
5.60
5.80
6.00
6.20
6.40
6.60
6.80
7.00
S11
（ MAG ）
0.941
0.945
0.945
0.946
0.948
0.949
0.945
0.943
0.944
0.946
0.946
0.945
0.945
0.942
0.950
0.945
0.942
0.940
0.942
0.942
0.941
0.941
0.940
0.939
0.938
0.936
0.936
0.933
0.932
0.933
0.931
0.930
0.931
（ ANG）
-155.46
-161.45
-165.05
-167.53
-169.74
-170.98
-172.20
-173.14
-173.68
-174.29
-174.91
-175.53
-176.04
-176.30
-176.75
-178.34
-178.98
-179.40
179.63
178.51
177.39
176.53
175.20
173.69
172.28
171.29
169.82
167.83
166.34
165.13
163.73
162.01
160.33
S21
（ MAG ）
3.198
2.434
1.970
1.656
1.383
1.223
1.097
0.998
0.918
0.855
0.802
0.755
0.717
0.681
0.658
0.624
0.600
0.581
0.562
0.543
0.525
0.511
0.495
0.481
0.467
0.457
0.449
0.440
0.430
0.424
0.421
0.420
0.418
（ ANG）
95.74
90.37
86.23
82.72
79.43
76.56
73.77
71.28
68.77
66.48
64.21
61.97
59.85
57.82
55.70
53.05
51.01
48.78
46.21
43.59
40.94
38.30
35.58
32.70
30.04
27.42
24.82
21.94
19.46
17.22
14.95
12.61
10.17
S12
（ MAG ）
0.020
0.020
0.021
0.021
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.020
0.021
0.021
0.020
0.018
0.018
0.019
0.020
0.021
0.020
0.021
0.022
0.021
0.021
0.022
0.022
0.023
0.023
0.023
0.024
0.024
0.025
（ ANG）
14.53
12.33
12.00
10.97
11.07
11.75
9.96
10.52
11.92
12.32
11.26
10.49
10.21
8.73
5.23
4.47
12.59
16.08
13.00
12.22
9.78
8.54
6.78
4.96
3.17
1.75
0.51
-0.94
-1.38
-2.56
-2.05
-3.27
-2.88
S22
（ MAG ）
0.775
0.777
0.777
0.776
0.784
0.783
0.782
0.783
0.782
0.782
0.781
0.781
0.780
0.780
0.785
0.783
0.778
0.776
0.776
0.778
0.779
0.779
0.780
0.783
0
784
0.786
0.790
0.792
0.794
0.797
0.801
0.804
0.807
（ ANG）
-176.77
-176.95
-176.88
-176.62
-176.51
-176.15
-175.84
-175.41
-174.89
-174.38
-173.87
-173.41
-172.87
-172.57
-172.11
-172.82
-172.69
-172.55
-173.07
-173.71
-174.47
-175.57
-176.58
-177.54
-178.54
-179.32
179.87
178.97
178.44
178.03
177.89
177.64
177.45
顶部
SIDE
(0.2)
底部
2-C0.2
2-R0.2
4.5+/-0.15
0952P
4.0
3.4+/-0.15
0.9+/-0.1
0.12
0.45
1.48
2.26
0.2+/-0.1
答：门
B：排水
C：来源
单位：mm
公差： +/- 0.05毫米
0.68
1.08
2.10
0.20
参考点
Fig1 。外形绘图
(4/50)
三菱电机
Mar./2005
1.8
3.0
a
Lot.No
b
(0.6)
(3.9)
b
c
a
<高功率GaAs FET（小信号增益级） >
MGF0952P
L & S波段/ 4.5W
SMD /塑胶模具非 - 匹配
描述
该MGF0952P砷化镓场效应管与N沟道肖特基
门，是专为使用L / S波段放大器。
特点
高输出功率
宝= 36.5dBm （典型值） @ F = 2.15GHz ， PIN = 25dBm的
高功率增益
GP = 13.5分贝（ TYP 。 ） @ F = 2.15GHz
高功率附加效率
add=50%(TYP.)
@f=2.15GHz,Pin=25dBm
塑胶模具铅 - 少包
应用
对于L / S波段功率放大器
质量
GG
Fig.1
Ids=700mA
Rg=100
推荐的偏置条件
Vds=10V
交货
磁带&卷（ 1.5K ）
(Ta=25C)
绝对最大额定值
符号
V
GSO
V
GDO
I
D
I
GR
I
GF
P
T
总胆固醇
TSTG
参数
栅源击穿电压
栅漏击穿电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
运河温度
储存温度
评级
-15
-15
3.5
-10
21
20.0
150
-40到+150
单位
V
V
A
mA
mA
W
C
C
电气特性
符号
V
GS （ OFF ）
Po
*1
ηadd
*1
G
LP * 2
IM3
*3
RTH （ CH -C ）
(Ta=25C)
参数
栅极到源截止电压
输出功率
功率附加效率
线性功率增益
3阶调制失真
热阻
*4
测试条件
V
DS
=3V,I
D
=12.6mA
V
DS
=10V,I
D
=700mA,f=2.15GHz
*1:
Pin=25dBm,
*2
:P
in
=15dB
*3:
f1=2.15GHz,f2=2.16GHz
Po(SCL)=25dBm
-VF
法
分钟。
-1
35.0
-
11
-
-
范围
典型值。
-3
36.5
50
13.5
-42
4.5
马克斯。
-5
-
-
-
-
6.5
单位
V
DBM
%
dB
dBc的
° C / W
*4
:
通道的情况下/
以上参数，收视率，限制有可能发生变化。
出版日期： 2011年4月
1
<高功率GaAs FET（小信号增益级） >
MGF0952P
L & S波段/ 4.5W
SMD /塑胶模具非 - 匹配
MGF0952P的S参数
（大= 25C ， VD = 10V ， ID = 700毫安，参考面见图1 ）
出版日期： 2011年4月
4
<高功率GaAs FET（小信号增益级） >
MGF0952P
L & S波段/ 4.5W
SMD /塑胶模具非 - 匹配
MGF0952P测试治具： F = 2.15GHz
出版日期： 2011年4月
5
QQ：2881677436 复制
