三菱SEMICONDUCTOR<GaAs FET>
MGF0951P
L & S波段砷化镓场效应管
[塑料模具铅少PKG ]
描述
该MGF0951P砷化镓场效应管与N沟道肖特基
门，是专为使用L / S波段放大器。
特点
高输出功率
宝= 31dBm的（ TYP 。 ） @ F = 2.15GHz ， PIN = 20dBm的
高功率增益
GLP = 13分贝（ TYP 。 ） @ F = 2.15GHz
高功率附加效率
ηadd=50%(TYP.)
@f=2.15GHz,Pin=20dBm
塑胶模具铅少PKG
应用
对于L / S波段功率放大器
Fig.1
质量
GG
推荐的偏置条件
Vds=10V
Ids=200mA
Rg=500
交货
磁带&卷（ 1.5K ）
(Ta=25°C)
绝对最大额定值
符号
V
GSO
V
GDO
I
D
I
GR
I
GF
P
T
总胆固醇
TSTG
参数
大门sourcebreakdown电压
栅漏击穿电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
运河温度
储存温度
评级
-15
-15
800
-2.5
5.4
6.0
150
-40到+150
(Ta=25°C)
单位
V
V
mA
mA
mA
W
°C
°C
推荐的最大额定值
符号
总胆固醇
参数
运河温度
评级
150
(Ta=25°C)
单位
°C
电气特性
符号
V
GS （ OFF ）
gm
Po
ηadd
G
LP
IM3
*1
*2
参数
栅极到源截止电压
跨
输出功率
功率附加效率
线性功率增益
3阶调制失真
热阻
*1
rd
测试条件
V
DS
=3V,I
D
=2.5mA
V
DS
=3V,I
D
=300mA
V
DS
=10V,I
D
=200mA,f=2.15GHz
* 1 ：引脚= 20dBm的， * 2 ： PIN = 10dBm的
* 3 ： F1 = 2.15GHz ， F2 = 2.16GHz的
Po(SCL)=20dBm
-VF
法
分钟。
-1
--
29.5
--
11
--
--
范围
典型值。
-3
200
31
50
13
-45
20
马克斯。
-5
--
--
--
--
--
25
单位
V
mS
DBM
%
dB
dBc的
° C / W
*3
RTH （ CH -C ）
*1:
通道的情况下/
以上参数，收视率，限制有可能发生变化。
(1/42)
三菱电机
Mar./2005
MGF0951P的S参数
(Ta=25°C,VD=10V,ID=200mA)
f
（兆赫）
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
3200
3400
3600
3800
4000
4200
4400
4600
4800
5000
5200
5400
5600
5800
6000
6200
6400
6600
6800
7000
MAGN 。
0.847
0.827
0.807
0.797
0.785
0.777
0.772
0.763
0.754
0.745
0.733
0.720
0.709
0.698
0.689
0.678
0.669
0.660
0.651
0.641
0.630
0.619
0.608
0.599
0.589
0.577
0.563
0.549
0.533
0.518
0.505
0.497
0.501
s参数（ TYP 。 ）
S11
角（度）
-98.9
-115.4
-127.9
-137.6
-145.0
-151.3
-156.1
-160.3
-164.1
-167.7
-171.3
-175.0
-178.8
177.4
173.5
169.7
166.0
162.4
158.4
154.1
149.4
144.6
140.0
135.2
130.4
125.2
120.3
115.0
108.4
101.4
93.1
84.1
74.8
MAGN 。
7.176
5.972
5.076
4.392
3.867
3.450
3.127
2.865
2.655
2.485
2.342
2.223
2.114
2.023
1.939
1.867
1.807
1.756
1.715
1.677
1.640
1.604
1.572
1.543
1.512
1.486
1.466
1.453
1.440
1.427
1.417
1.403
1.386
S21
角（度）
117.6
106.5
97.3
89.6
82.8
76.6
71.0
65.7
60.8
55.8
50.9
46.1
41.4
36.7
31.8
27.2
22.6
18.1
13.4
8.5
3.6
-1.2
-6.1
-11.1
-16.2
-21.3
-26.4
-31.6
-37.1
-42.9
-48.9
-55.3
-61.9
MAGN 。
0.039
0.043
0.046
0.048
0.051
0.052
0.053
0.056
0.058
0.060
0.064
0.067
0.070
0.073
0.076
0.080
0.084
0.089
0.095
0.101
0.108
0.114
0.122
0.129
0.137
0.146
0.156
0.165
0.177
0.189
0.201
0.213
0.226
S12
角（度）
44.1
37.8
34.1
31.5
29.6
29.0
28.2
28.0
27.2
27.4
26.7
25.9
25.4
24.8
23.9
22.8
22.0
21.6
20.2
18.6
16.8
15.0
12.9
10.5
7.9
5.1
2.2
-0.9
-4.6
-8.3
-12.7
-17.2
-22.5
MAGN 。
0.186
0.207
0.225
0.240
0.256
0.270
0.284
0.295
0.303
0.314
0.325
0.335
0.342
0.346
0.350
0.351
0.351
0.346
0.340
0.334
0.332
0.328
0.323
0.318
0.316
0.316
0.314
0.307
0.300
0.293
0.286
0.269
0.245
S22
角（度）
-115.6
-126.0
-133.2
-137.7
-140.5
-142.7
-143.5
-144.3
-144.8
-145.3
-145.4
-145.3
-145.4
-146.1
-147.5
-148.9
-149.5
-150.5
-152.0
-154.4
-156.5
-158.4
-160.6
-163.5
-167.3
-170.5
-172.9
-175.5
-178.9
177.0
173.4
169.2
162.5
K
0.476
0.564
0.666
0.767
0.855
0.951
1.027
1.099
1.173
1.223
1.269
1.312
1.358
1.399
1.426
1.451
1.462
1.458
1.451
1.442
1.413
1.410
1.398
1.378
1.356
1.337
1.305
1.287
1.263
1.243
1.222
1.206
1.185
MSG / MAG
（ dB）的
22.7
21.4
20.4
19.6
18.8
18.2
16.7
15.2
14.1
13.3
12.5
11.9
11.3
10.7
10.2
9.7
9.3
8.9
8.6
8.3
8.0
7.7
7.4
7.1
6.9
6.6
6.4
6.2
6.0
5.8
5.6
5.4
5.3
顶部
SIDE
底部
1.08
LOT号
0951P
4.50
1.40
2.60
4.00
(0.60)
a
b
b
c
a
3.40
0.45
0.89
1.48
2.26
答：门
B： Dorain
C：来源单位：mm
Fig1.Outline绘图
(4/42)
三菱电机
3.00
Mar./2005
VG
MGF0951P的TestFixture
FREQ=2.15GHz
VD
500ohm
5pF
51ohm
1000pF
4.7uF
1000pF
20pF
20pF
针
MGF
0
91
5P
L T.N
o o
噘
板材质：聚四氟乙烯玻璃纤维， T = 0.4米， ER = 2.6
m
70mm
(5/42)
三菱电机
Mar./2005
70mm
0.5pF
2pF
1pF
<高功率GaAs FET（小信号增益级） >
MGF0951P
L & S波段/ 1.2W
SMD /塑胶模具非 - 匹配
描述
该MGF0951P砷化镓场效应管与N沟道肖特基
门，是专为使用L / S波段放大器。
特点
高输出功率
宝= 31dBm的（ TYP 。 ） @ F = 2.15GHz ， PIN = 20dBm的
高功率增益
GP = 13分贝（ TYP 。 ） @ F = 2.15GHz
高功率附加效率
add=50%(TYP.)
@f=2.15GHz,Pin=20dBm
塑胶模具铅 - 少包
应用
对于L / S波段功率放大器
质量
GG
Fig.1
Ids=200mA
Rg=500
推荐的偏置条件
Vds=10V
交货
磁带&卷（ 1.5K ）
(Ta=25C)
绝对最大额定值
符号
V
GSO
V
GDO
I
D
I
GR
I
GF
P
T
总胆固醇
TSTG
参数
栅源击穿电压
栅漏击穿电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
运河温度
储存温度
评级
-15
-15
800
-2.5
5.4
6.0
150
-40到+150
单位
V
V
mA
mA
mA
W
C
C
电气特性
符号
V
GS （ OFF ）
gm
Po
ηadd
*1
G
LP * 2
IM3
*3
RTH （ CH -C ）
(Ta=25C)
参数
栅极到源截止电压
跨
输出功率
功率附加效率
线性功率增益
3阶调制失真
热阻
*4
测试条件
V
DS
=3V,I
D
=2.5mA
V
DS
=3V,I
D
=300mA
V
DS
=10V,I
D
=200mA,f=2.15GHz
*1:
Pin=20dBm,
*2
:P
in
=10dB
*3:
f1=2.15GHz,f2=2.16GHz
Po(SCL)=20dBm
-VF
法
分钟。
-1
-
29.5
-
11
-
-
范围
典型值。
-
200
31
50
13
-45
20
马克斯。
-5
-
-
-
-
-
25
单位
V
mS
DBM
%
dB
dBc的
° C / W
*4
:
通道的情况下/
以上参数，收视率，限制有可能发生变化。
出版日期： 2011年4月
1
<高功率GaAs FET（小信号增益级） >
MGF0951P
L & S波段/ 1.2W
SMD /塑胶模具非 - 匹配
MGF0951P的S参数
（大= 25C ， VD = 10V ， ID =的200mA，参考面见图1 ）
出版日期： 2011年4月
4
<高功率GaAs FET（小信号增益级） >
MGF0951P
L & S波段/ 1.2W
SMD /塑胶模具非 - 匹配
MGF0951P测试治具： F = 2.15GHz
Vg
Vd
出版日期： 2011年4月
5
QQ：2881677436 复制
