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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2209页 > MGF0917A
<高功率GaAs FET（小信号增益级） >
MGF0917A
L & S波段/ 0.25W
SMD非 - 匹配
描述
该MGF0917A砷化镓场效应管与N沟道肖特基
门，是专门为使用UHF频段放大器。
特点
高输出功率
宝= 24dBm的（ TYP 。 ） @ F = 1.9GHz的，引脚= 4dBm的
高功率增益
GP = 21分贝（ TYP 。 ） @ F = 1.9GHz的
高功率附加效率
add=38%(TYP.)
@f=1.9GHz,Pin=4dBm
气密封装
应用
对于UHF频段功率放大器
质量
GG
Fig.1
Ids=75mA
Rg=2k
推荐的偏置条件
Vds=10V
交货
-01 ：磁带
&卷（ 1K ）
-03 ： TRAI （ 50只）
(Ta=25C)
绝对最大额定值
符号
V
GSO
I
D
I
GR
I
GF
P
T
总胆固醇
TSTG
参数
大门sourcebreakdown电压
评级
-15
-15
200
-0.6
2.5
2
175
-65到+175
(Ta=25C)
单位
V
V
mA
mA
mA
W
C
C
V
GDO栅漏击穿电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
运河温度
储存温度
电气特性
符号
I
DSS
V
GS （ OFF ）
gm
Po
ηadd
G
LP
NF
RTH （ CH -C ）
参数
饱和漏极电流
栅极到源截止电压
跨
输出功率
功率附加效率
线性功率增益
噪声系数
热阻
*1
测试条件
分钟。
V
DS
=3V,V
GS
=0V
V
DS
=3V,I
D
=0.5mA
V
DS
=3V,I
D
=75mA
V
DS
=10V,I
D
=75mA,f=1.9GHz
Pin=4dBm
V
DS
=10V,I
D
=75mA,f=1.9GHz
-VF
法
-
-1.0
-
23
-
-
-
-
范围
典型值。
150
-
70
24
38
21
0.9
55
马克斯。
200
-5.0
-
-
-
-
-
75
单位
mA
V
mS
DBM
%
dB
dB
° C / W
*1:
通道的情况下/
以上参数，收视率，限制有可能发生变化。
出版日期： 2011年4月
1
<高功率GaAs FET（小信号增益级） >
MGF0917A
L & S波段/ 0.25W
SMD非 - 匹配
MGF0917A典型特征
宝，GP ， PAE vs.Pin
30
25
20
宝（ DBM）
PAE
15
Gp
10
5
0
-15
-10
-5
0
5
10
PIN （ DBM）
20
10
0
30
60
50
Po
糖蛋白（分贝） ， PAE （％）
IM3(dBc)
Vds=10V
Id(off)=75mA
f=1.9GHz
40
PI（ SCL ） vs.Po （ SCL ） ， IM3
30
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
0
5
10
15
宝（ SCL ） （ DBM）
VD=10V
ID=75mA
f1=1.90GHz
f2=1.91GHz
Po
IM3
-20
-15
-10
-5
引脚（ SCL ） （ DBM）
出版日期： 2011年4月
2
<高功率GaAs FET（小信号增益级） >
MGF0917A
L & S波段/ 0.25W
SMD非 - 匹配
MGF0917A的S参数
频率。
（兆赫）
600
1000
1400
1800
2200
2600
3000
3400
3800
4200
4600
5000
5400
5800
6200
6600
7000
7400
7800
8200
8600
9000
9400
9800
10200
10600
11000
11400
11800
12200
浇口痕迹
圆角
(1)
（大= 25C ， VD = 10V ， ID = 75毫安，参考面见图1 ）
S21
S12
（ MAG ）
0.013
0.017
0.020
0.023
0.025
0.026
0.026
0.026
0.025
0.024
0.023
0.023
0.023
0.025
0.028
0.032
0.037
0.043
0.049
0.055
0.061
0.066
0.070
0.072
0.072
0.070
0.066
0.060
0.054
0.047
（ ANG）
60.97
47.27
33.78
20.83
8.72
-2.30
-12.04
-20.38
-27.27
-32.78
-37.04
-40.28
-42.81
-44.98
-47.24
-50.03
-53.82
-59.06
-66.14
-75.38
-86.96
-100.89
-116.97
-134.73
-153.36
-171.68
174.68
163.25
153.93
146.49
2.0
0.80
0.8
S11
（ MAG ）
0.981
0.963
0.950
0.940
0.933
0.928
0.925
0.922
0.920
0.919
0.917
0.915
0.911
0.905
0.895
0.881
0.860
0.830
0.789
0.734
0.662
0.581
0.521
0.525
0.622
0.734
0.820
0.876
0.905
0.920
（ ANG）
-33.12
-52.23
-67.81
-80.66
-91.42
-100.60
-108.60
-115.73
-122.21
-128.21
-133.86
-139.27
-144.52
-149.72
-155.02
-160.60
-166.70
-173.68
179.59
165.49
149.83
121.51
81.43
36.33
-5.95
-39.56
-62.30
-75.69
-83.49
-88.74
（ MAG ）
4.043
3.628
3.204
2.813
2.480
2.190
1.944
1.755
1.598
1.473
1.381
1.314
1.270
1.251
1.250
1.268
1.310
1.366
1.451
1.557
1.670
1.779
1.864
1.872
1.760
1.553
1.319
1.104
0.928
0.785
S22
（ MAG ）
0.542
0.574
0.613
0.654
0.694
0.732
0.765
0.793
0.816
0.834
0.848
0.859
0.867
0.874
0.880
0.885
0.891
0.895
0.897
0.895
0.884
0.863
0.837
0.802
0.774
0.759
0.758
0.766
0.778
0.792
（ ANG）
-37.01
-55.99
-71.29
-84.14
-95.18
-104.65
-112.60
-119.01
-123.90
-127.39
-129.77
-131.44
-132.90
-134.71
-137.32
-140.94
-145.42
-149.92
-152.77
-155.52
-157.78
-158.81
-158.40
-156.85
-154.83
-153.13
-152.41
-153.06
-154.90
-157.02
K
0.21
0.27
0.32
0.37
0.42
0.48
0.55
0.61
0.68
0.75
0.81
0.84
0.88
0.86
0.82
0.79
0.76
0.77
0.85
0.90
1.01
1.08
1.13
1.20
1.21
1.22
1.24
1.32
1.39
1.51
MAG /味精
（ ANG）
146.73
130.91
115.76
101.60
88.63
76.98
66.64
57.57
49.63
42.64
36.36
30.53
24.85
19.04
12.78
5.79
-2.21
-11.46
-22.14
-34.40
-48.32
-63.88
-80.99
-99.47
-119.01
-139.19
-159.45
-179.08
170.48
158.33
（ dB）的
24.93
23.29
22.05
20.87
19.97
19.25
18.74
18.29
18.06
17.88
17.78
17.57
17.42
16.99
16.50
15.98
15.49
15.02
14.71
14.52
13.81
12.54
12.10
11.48
11.11
10.65
10.03
9.25
8.64
8.01
浇口痕迹
(1)
基准面
4.20
1.20
(3)
基准面
(2)
4.00
0.25
(2)
0.6
2.5
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
0.3
背面格局
（单位：毫米）
图1外形图
出版日期： 2011年4月
3
2.8
<高功率GaAs FET（小信号增益级） >
MGF0917A
L & S波段/ 0.25W
SMD非 - 匹配
保持安全第一在你的电路设计！
三菱电机公司把最大的精力投入到制造半导体产品更好，更
可靠的，但总有麻烦可能会与他们发生的可能性。麻烦半导体
可能导致人身伤害，火灾或财产损失。记住要充分考虑到安全性时，给
让您的电路设计，配合适当的措施，如替代，辅助（一）配售
电路，（ⅱ）使用的针对任何故障或事故不燃材料或（iii）预防。
对于这些材料的注意事项
这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在三菱的选择
半导体产品最适合客户的应用;他们不构成对任何任何许可证
知识产权，或任何其他权利，属于三菱电机公司或第三方。
三菱电机公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权
第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或
这些材料所含的电路应用实例。
包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并有可能
三菱电机株式会社，恕不另行通知更改由于产品改进或其他原因。它
因此，建议广大客户来电咨询三菱电机公司或其授权
在购买产品前，三菱半导体产品分销商了解最新的产品信息
本文列出的。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。三菱
电力公司不承担任何损害赔偿，法律责任概不负责，或由这些其他损失上升
不准确或错误。
另请注意公布的三菱电机公司通过各种方式的信息，
包括三菱半导体主页（ http://www.MitsubishiElectric.com/ ） 。
当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，
图表，程序和算法，请务必使前评估的所有信息作为一个整体系统
有关的信息和产品的适用性作出最后决定。三菱电机公司承担
对于任何损害，责任或此处包含的信息所导致的其他损失不承担任何责任。
三菱电机株式会社半导体没有设计或在设备制造中使用或
系统，是在何种情况下人类的生活可能是危在旦夕使用。请联系
三菱电机公司或授权的三菱半导体产品分销商时，
考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或系统中使用
交通，汽车，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
三菱电机公司的事先书面批准，不得翻印或者复制全部或
在部分这些材料。
如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是
日本政府根据许可证出口，不能导入到比其他国家
经批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或法规的国家
被禁止的目的。
请与三菱电机公司或授权的三菱半导体产品分销商
对这些材料的详细信息或其中包含的产品。
2011三菱电机。版权所有。
出版日期： 2011年4月
4
三菱SEMICONDUCTOR<GaAs FET>
MGF0917A
L & S波段砷化镓场效应管
[ SMD非
–
匹配]
描述
该MGF0917A砷化镓场效应管与N沟道肖特基
门，是专门为使用UHF频段放大器。
特点
高输出功率
宝= 24dBm的（ TYP 。 ） @ F = 1.9GHz的，引脚= 4dBm的
高功率增益
GP = 21分贝（ TYP 。 ） @ F = 1.9GHz的
高功率附加效率
ηadd=38%(TYP.)
@f=1.9GHz,Pin=4dBm
气密封装
应用
对于UHF频段功率放大器
Fig.1
质量
GG
推荐的偏置条件
Vds=10V
Ids=75mA
Rg=2k
交货
-01 ：磁带
&卷（ 1K ）
-03 ： TRAI （ 50只）
(Ta=25°C)
绝对最大额定值
符号
V
GSO
V
GDO
I
D
I
GR
I
GF
P
T
总胆固醇
TSTG
参数
大门sourcebreakdown电压
栅漏击穿电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
运河温度
储存温度
评级
-15
-15
200
-0.6
2.5
2
175
-65到+175
单位
V
V
mA
mA
mA
W
°C
°C
电气特性
符号
I
DSS
V
GS （ OFF ）
gm
Po
ηadd
G
LP
NF
RTH （ CH -C ）
(Ta=25°C)
参数
饱和漏极电流
栅极到源截止电压
跨
输出功率
功率附加效率
线性功率增益
噪声系数
热电阻* 1
测试条件
分钟。
V
DS
=3V,V
GS
=0V
V
DS
=3V,I
D
=0.5mA
V
DS
=3V,I
D
=75mA
V
DS
=10V,I
D
=75mA,f=1.9GHz
Pin=4dBm
V
DS
=10V,I
D
=75mA,f=1.9GHz
-VF
法
-
-1.0
-
23
-
-
-
-
范围
典型值。
150
-
70
24
38
21
0.9
55
马克斯。
200
-5.0
-
-
-
-
-
75
单位
mA
V
mS
DBM
%
dB
dB
° C / W
*1:
通道的情况下/
以上参数，收视率，限制有可能发生变化。
三菱电机
June/2004
MGF0917A典型特征
宝，GP ， PAE vs.Pin
30
25
20
宝（ DBM）
PAE
15
Gp
10
5
0
-15
-10
-5
0
5
10
PIN （ DBM）
20
10
0
30
60
50
Po
糖蛋白（分贝） ， PAE （％）
IM3(dBc)
Vds=10V
Id(off)=75mA
f=1.9GHz
40
PI（ SCL ） vs.Po （ SCL ） ， IM3
30
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
0
5
10
15
宝（ SCL ） （ DBM）
VD=10V
ID=75mA
f1=1.90GHz
f2=1.91GHz
Po
IM3
-20
-15
-10
-5
引脚（ SCL ） （ DBM）
三菱电机
June/2004
MGF0917A
频率。
（兆赫）
600
1000
1400
1800
2200
2600
3000
3400
3800
4200
4600
5000
5400
5800
6200
6600
7000
7400
7800
8200
8600
9000
9400
9800
10200
10600
11000
11400
11800
12200
的S参数
S11
（ ANG）
-33.12
-52.23
-67.81
-80.66
-91.42
-100.60
-108.60
-115.73
-122.21
-128.21
-133.86
-139.27
-144.52
-149.72
-155.02
-160.60
-166.70
-173.68
179.59
165.49
149.83
121.51
81.43
36.33
-5.95
-39.56
-62.30
-75.69
-83.49
-88.74
(Ta=25
°
C， VDS = 10V ， ID = 75毫安，参考面见图1 ）
S21
S12
（ MAG ）
0.013
0.017
0.020
0.023
0.025
0.026
0.026
0.026
0.025
0.024
0.023
0.023
0.023
0.025
0.028
0.032
0.037
0.043
0.049
0.055
0.061
0.066
0.070
0.072
0.072
0.070
0.066
0.060
0.054
0.047
（ ANG）
60.97
47.27
33.78
20.83
8.72
-2.30
-12.04
-20.38
-27.27
-32.78
-37.04
-40.28
-42.81
-44.98
-47.24
-50.03
-53.82
-59.06
-66.14
-75.38
-86.96
-100.89
-116.97
-134.73
-153.36
-171.68
174.68
163.25
153.93
146.49
2.0
S22
（ MAG ）
0.542
0.574
0.613
0.654
0.694
0.732
0.765
0.793
0.816
0.834
0.848
0.859
0.867
0.874
0.880
0.885
0.891
0.895
0.897
0.895
0.884
0.863
0.837
0.802
0.774
0.759
0.758
0.766
0.778
0.792
（ ANG）
-37.01
-55.99
-71.29
-84.14
-95.18
-104.65
-112.60
-119.01
-123.90
-127.39
-129.77
-131.44
-132.90
-134.71
-137.32
-140.94
-145.42
-149.92
-152.77
-155.52
-157.78
-158.81
-158.40
-156.85
-154.83
-153.13
-152.41
-153.06
-154.90
-157.02
K
0.21
0.27
0.32
0.37
0.42
0.48
0.55
0.61
0.68
0.75
0.81
0.84
0.88
0.86
0.82
0.79
0.76
0.77
0.85
0.90
1.01
1.08
1.13
1.20
1.21
1.22
1.24
1.32
1.39
1.51
MAG /味精
（ MAG ）
0.981
0.963
0.950
0.940
0.933
0.928
0.925
0.922
0.920
0.919
0.917
0.915
0.911
0.905
0.895
0.881
0.860
0.830
0.789
0.734
0.662
0.581
0.521
0.525
0.622
0.734
0.820
0.876
0.905
0.920
（ MAG ）
4.043
3.628
3.204
2.813
2.480
2.190
1.944
1.755
1.598
1.473
1.381
1.314
1.270
1.251
1.250
1.268
1.310
1.366
1.451
1.557
1.670
1.779
1.864
1.872
1.760
1.553
1.319
1.104
0.928
0.785
（ ANG）
146.73
130.91
115.76
101.60
88.63
76.98
66.64
57.57
49.63
42.64
36.36
30.53
24.85
19.04
12.78
5.79
-2.21
-11.46
-22.14
-34.40
-48.32
-63.88
-80.99
-99.47
-119.01
-139.19
-159.45
-179.08
170.48
158.33
（ dB）的
24.93
23.29
22.05
20.87
19.97
19.25
18.74
18.29
18.06
17.88
17.78
17.57
17.42
16.99
16.50
15.98
15.49
15.02
14.71
14.52
13.81
12.54
12.10
11.48
11.11
10.65
10.03
9.25
8.64
8.01
浇口痕迹
圆角
(1)
0.80
0.8
浇口痕迹
(1)
基准面
4.20
1.20
(3)
基准面
(2)
4.00
0.25
(2)
0.6
2.5
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
0.3
背面格局
（单位：毫米）
图1外形图
三菱电机
June/2004
2.8
三菱SEMICONDUCTOR<GaAs FET>
MGF0917A
L & S波段砷化镓场效应管
[ SMD非
–
匹配]
请求关于安全设计
三菱电机不断努力提高其质量和可靠性的水平。尽管众志成城，
然而，会出现的场合，当我们的半导体产品遭受故障，故障或其它
问题。鉴于这一现实，它要求一切可行措施采取在追求冗余
设计，防止误动作的设计和其他安全相关的设计，以防止故障或故障我们
从造成的事故涉及人，火灾，社会损失或其他问题，从而维护产品
最高级别的安全产品在客户使用时。
使用这些材料时，重要的事项
1.这些材料被设计为参考材料，以确保所有的客户购买三菱电机
半导体最适合其特定用途的应用程序。请注意，但是，该技术
这些材料所含的信息不包括同意执行或使用知识产权
三菱电机公司拥有权或其他权利。
2.三菱电机不承担因使用产品数据，图表所造成的损害的责任，
表，程序，算法或在这些材料中描述的其它应用电路的例子，或者侵权
对此类使用所引起的第三方所有者的权利。
3，数据，图形，图表，程序，算法以及在这些材料中描述的所有其他信息都是当前
在这些材料的问题，与三菱电机保留进行任何必要的更新或向右
恕不另行通知更改这些材料的产品或规格。在购买之前，三菱
电子半导体产品，因此，请获得三菱电机最新的可用信息
直接或授权经销商。
4.已经尽了一切努力，以确保这些材料中描述的信息是完全准确的。
然而，三菱电机不对因内发生的不准确而造成的损失不承担任何责任
这些材料。
5.当使用的产品数据，技术内容上注明所描述的图形，图表，程序或算法
在这些材料中，评估不应仅限于所述的技术内容，程序和算法单元。
更确切地说，它是要求足够的评价进行每个单独的系统作为一个整体的，与客户
假设应用程序的正当性全部责任或决定。三菱电机不接受
f
负责应用程序的正当性。
6.在这些材料中描述的，具有特别提到有关使用和可靠性的例外产品，有
在设计和使用在一般的电子机器的使用目的制造。因此，这些
产品没有被设计和应用中的机器或系统的目的制造的意志
的条件下使用，可以影响人类生活，或在机器或系统中的社会基础设施中使用该
要求的可靠性特别高的程度。当考虑使用这些描述的产品
材料运输机械（汽车，火车，船舶） ，对有关医疗的目标，
航空航天，核能控制，海底中继器或系统或其他专门的应用程序，详情请咨询
与三菱电机直接或授权经销商。
7.当考虑的目的不是在这些材料中描述的特定应用其他用途的产品，
请咨询三菱电机或授权经销商。
8.需要这些材料的任何转载或复制三菱电机的书面同意。
9.请直接有关这些材料，或任何其他意见或关注事项之进一步详情有任何疑问，
三菱电机或授权经销商。
三菱电机
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