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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第411页 > MGF0909
三菱半导体砷化镓场效应管
MGF0909A
L， S波段功率GaAs FET
描述
该MGF0909A ，砷化镓场效应管与N沟道肖特基栅极，是
专为UHF频段放大器。
外形绘图
单位：毫米
特点
高输出功率
P
1dB
=38dBm(TYP.)
高功率增益
G
LP
=11dB(TYP.)
高功率附加效率
η
添加
=45%(TYP.)
@f=2.3GHz,P
1dB
=20dBm
@f=2.3GHz,P
in
=20dBm
2
1
@f=2.3GHz
2
0.6±0.2
2.2
3
应用
对于UHF频段功率放大器
5.0
质量等级
GG
推荐的偏置条件
V
DS
=10V
I
D
=1.3A
RG = 100Ω
参考偏置程序
9.0±0.2
14.0
1
门
2
来源
3
漏
GF-7
绝对最大额定值
(T
a
=25C)
符号
V
GSO
V
GDO
I
D
I
GR
I
GF
P
T
T
ch
T
英镑
* 1 ：TC = 25C
参数
栅极至源极电压
栅漏电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
*1
评级
-15
-15
5.0
15
31.5
27.3
175
-65到+175
单位
V
V
A
mA
mA
W
C
C
电气特性
(T
a
=25C)
符号
I
DSS
V
GS （ OFF ）
gm
P
1dB
G
LP
η
添加
R
TH（ CH-C ）
参数
饱和漏极电流
栅极到源截止电压
跨
输出功率
线性功率增益
*2
功率附加效率P
1dB
热阻
*1
V
DS
=3V,V
GS
=0V
V
DS
=3V,I
D
=10mA
V
DS
=3V,I
D
=1.3A
V
DS
=10V,I
D
=1.3A,f=2.3GHz
V
f
法
测试条件
民
–
-2
–
37
10
–
–
范围
典型值
–
–
1.5
38
11
45
–
最大
5
-5
–
–
–
–
5.5
单位
A
V
S
DBM
dB
%
° C / W
* 1 ：通道到外壳* 2 ： PIN =是22dBm
十一月'97
三菱半导体砷化镓场效应管
MGF0909A
L， S波段功率GaAs FET
典型特征
I
D
与V
GS
6
V
DS
=3V
T
a
=25C
6
V
GS
=-0.5V/Step
T
a
=25C
V
GS
=0V
4
4
I
D
与V
DS
2
2
0
-3
-2
-1
0
0
0
1
2
3
4
5
6
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
P
O
&加与P
in
(f=2.3GHz)
40
V
DS
=10V
I
D
=1.3A
G
P
= 11 10 9分贝
13
12
11
P
O
10
39
G
LP
,P
1dB
, I
D
并添加与V
DS
(f=2.3GHz)
I
D
=1.3A
G
LP
P
1dB
30
37
50
40
30
20
10
0
35
40
20
6
8
10
η
添加
20
η
添加
0
20
30
输入功率P
in
（ dBm的）
V
DS
(V)
十一月'97
三菱半导体砷化镓场效应管
MGF0909A
L， S波段功率GaAs FET
S
11
,S
22
与F。
+j50
+j25
+j100
S
21
,S
12
与F。
+90
3.0GHz
+j10
3.0GHz
3.0GHz
S
22
25
50
100
250
+j250
S
21
3.0GHz
0
±180 5
4
3
2
0.5GHz
1
0
S
12
0
0.5GHz
I
S
21
I
S
11
-j10
-j250
0.1
-j25
-j50
-j100
T
a
=25C
V
DS
=10V
I
D
=1.3A
0.2
-90
的S参数
(Ta=25C,V
DS
=10V,I
D
=1.3A)
频率。
（千兆赫）
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.70
1.80
1.90
2.00
2.10
2.20
2.30
2.40
2.50
2.60
2.70
2.80
2.90
3.00
MAGN 。
0.968
0.966
0.966
0.965
0.964
0.963
0.961
0.960
0.959
0.959
0.959
0.958
0.958
0.957
0.958
0.958
0.957
0.956
0.954
0.954
0.953
0.953
0.953
0.948
0.956
0.944
S
11
角（度）
-155.5
-159.7
-163.4
-166.8
-168.4
-171.3
-173.8
-175.4
-176.8
-178.7
-179.7
178.4
177.2
176.0
174.7
174.3
173.3
172.3
171.2
169.9
169.0
167.6
166.1
164.6
163.3
162.0
MAGN 。
3.763
3.340
2.768
2.460
2.219
2.021
1.831
1.613
1.591
1.500
1.425
1.359
1.301
1.255
1.201
1.040
0.993
0.977
0.949
0.921
0.909
0.901
0.876
0.873
0.843
0.832
S
21
角（度）
97.8
93.6
90.8
87.5
87.1
84.1
82.2
80.2
78.0
75.7
73.7
71.6
69.9
67.7
66.2
65.3
63.3
61.7
59.1
57.0
55.4
54.3
52.2
49.9
48.4
45.5
MAGN 。
0.013
0.013
0.014
0.014
0.015
0.015
0.016
0.016
0.017
0.017
0.018
0.018
0.019
0.019
0.020
0.021
0.021
0.022
0.022
0.023
0.023
0.024
0.024
0.025
0.025
0.025
S
12
角（度）
13.2
14.6
16.5
18.2
20.6
22.5
24.1
25.8
27.8
29.5
31.2
33.8
35.4
37.6
39.5
41.5
43.1
44.8
46.5
48.7
50.8
52.6
54.3
55.2
57.3
58.0
MAGN 。
0.823
0.823
0.822
0.822
0.820
0.819
0.818
0.814
0.804
0.807
0.805
0.801
0.795
0.789
0.785
0.784
0.783
0.783
0.782
0.780
0.779
0.778
0.778
0.776
0.775
0.773
S
22
角（度）
-177.6
-179.6
178.5
178.2
177.6
176.8
175.6
176.6
176.1
175.7
175.3
175.1
174.7
174.0
173.4
174.4
174.2
173.4
172.7
172.2
171.6
170.3
168.9
167.7
166.9
165.1
K
0.652
0.713
0.755
0.782
0.825
0.855
0.875
0.955
0.985
0.996
1.105
1.135
1.145
1.185
1.205
1.194
1.203
1.235
1.295
1.325
1.345
1.362
1.403
1.452
1.523
1.554
MSG / MAG
（ dB）的
25.4
25.2
24.7
23.4
23.1
23.0
22.4
19.0
19.2
19.0
18.9
18.5
18.0
16.9
16.5
16.2
15.5
14.9
14.7
14.5
13.8
12.8
12.3
11.9
10.8
10.5
十一月'97
三菱半导体砷化镓场效应管
MGF0909A
L， S波段功率GaAs FET
描述
该MGF0909A ，砷化镓场效应管与N沟道肖特基栅极，是
专为UHF频段放大器。
外形绘图
单位：毫米
特点
高输出功率
P
1dB
=38dBm(TYP.)
高功率增益
G
LP
=11dB(TYP.)
高功率附加效率
η
添加
=45%(TYP.)
@f=2.3GHz,P
1dB
=20dBm
@f=2.3GHz,P
in
=20dBm
2
1
@f=2.3GHz
2
0.6±0.2
2.2
3
应用
对于UHF频段功率放大器
5.0
质量等级
GG
推荐的偏置条件
V
DS
=10V
I
D
=1.3A
RG = 100Ω
参考偏置程序
9.0±0.2
14.0
1
门
2
来源
3
漏
GF-7
绝对最大额定值
(T
a
=25C)
符号
V
GSO
V
GDO
I
D
I
GR
I
GF
P
T
T
ch
T
英镑
* 1 ：TC = 25C
参数
栅极至源极电压
栅漏电压
漏电流
反向栅电流
正向栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
*1
评级
-15
-15
5.0
15
31.5
27.3
175
-65到+175
单位
V
V
A
mA
mA
W
C
C
电气特性
(T
a
=25C)
符号
I
DSS
V
GS （ OFF ）
gm
P
1dB
G
LP
η
添加
R
TH（ CH-C ）
参数
饱和漏极电流
栅极到源截止电压
跨
输出功率
线性功率增益
*2
功率附加效率P
1dB
热阻
*1
V
DS
=3V,V
GS
=0V
V
DS
=3V,I
D
=10mA
V
DS
=3V,I
D
=1.3A
V
DS
=10V,I
D
=1.3A,f=2.3GHz
V
f
法
测试条件
民
–
-2
–
37
10
–
–
范围
典型值
–
–
1.5
38
11
45
–
最大
5
-5
–
–
–
–
5.5
单位
A
V
S
DBM
dB
%
° C / W
* 1 ：通道到外壳* 2 ： PIN =是22dBm
十一月'97
三菱半导体砷化镓场效应管
MGF0909A
L， S波段功率GaAs FET
典型特征
I
D
与V
GS
6
V
DS
=3V
T
a
=25C
6
V
GS
=-0.5V/Step
T
a
=25C
V
GS
=0V
4
4
I
D
与V
DS
2
2
0
-3
-2
-1
0
0
0
1
2
3
4
5
6
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
P
O
&加与P
in
(f=2.3GHz)
40
V
DS
=10V
I
D
=1.3A
G
P
= 11 10 9分贝
13
12
11
P
O
10
39
G
LP
,P
1dB
, I
D
并添加与V
DS
(f=2.3GHz)
I
D
=1.3A
G
LP
P
1dB
30
37
50
40
30
20
10
0
35
40
20
6
8
10
η
添加
20
η
添加
0
20
30
输入功率P
in
（ dBm的）
V
DS
(V)
十一月'97
三菱半导体砷化镓场效应管
MGF0909A
L， S波段功率GaAs FET
S
11
,S
22
与F。
+j50
+j25
+j100
S
21
,S
12
与F。
+90
3.0GHz
+j10
3.0GHz
3.0GHz
S
22
25
50
100
250
+j250
S
21
3.0GHz
0
±180 5
4
3
2
0.5GHz
1
0
S
12
0
0.5GHz
I
S
21
I
S
11
-j10
-j250
0.1
-j25
-j50
-j100
T
a
=25C
V
DS
=10V
I
D
=1.3A
0.2
-90
的S参数
(Ta=25C,V
DS
=10V,I
D
=1.3A)
频率。
（千兆赫）
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.70
1.80
1.90
2.00
2.10
2.20
2.30
2.40
2.50
2.60
2.70
2.80
2.90
3.00
MAGN 。
0.968
0.966
0.966
0.965
0.964
0.963
0.961
0.960
0.959
0.959
0.959
0.958
0.958
0.957
0.958
0.958
0.957
0.956
0.954
0.954
0.953
0.953
0.953
0.948
0.956
0.944
S
11
角（度）
-155.5
-159.7
-163.4
-166.8
-168.4
-171.3
-173.8
-175.4
-176.8
-178.7
-179.7
178.4
177.2
176.0
174.7
174.3
173.3
172.3
171.2
169.9
169.0
167.6
166.1
164.6
163.3
162.0
MAGN 。
3.763
3.340
2.768
2.460
2.219
2.021
1.831
1.613
1.591
1.500
1.425
1.359
1.301
1.255
1.201
1.040
0.993
0.977
0.949
0.921
0.909
0.901
0.876
0.873
0.843
0.832
S
21
角（度）
97.8
93.6
90.8
87.5
87.1
84.1
82.2
80.2
78.0
75.7
73.7
71.6
69.9
67.7
66.2
65.3
63.3
61.7
59.1
57.0
55.4
54.3
52.2
49.9
48.4
45.5
MAGN 。
0.013
0.013
0.014
0.014
0.015
0.015
0.016
0.016
0.017
0.017
0.018
0.018
0.019
0.019
0.020
0.021
0.021
0.022
0.022
0.023
0.023
0.024
0.024
0.025
0.025
0.025
S
12
角（度）
13.2
14.6
16.5
18.2
20.6
22.5
24.1
25.8
27.8
29.5
31.2
33.8
35.4
37.6
39.5
41.5
43.1
44.8
46.5
48.7
50.8
52.6
54.3
55.2
57.3
58.0
MAGN 。
0.823
0.823
0.822
0.822
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0.818
0.814
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0.807
0.805
0.801
0.795
0.789
0.785
0.784
0.783
0.783
0.782
0.780
0.779
0.778
0.778
0.776
0.775
0.773
S
22
角（度）
-177.6
-179.6
178.5
178.2
177.6
176.8
175.6
176.6
176.1
175.7
175.3
175.1
174.7
174.0
173.4
174.4
174.2
173.4
172.7
172.2
171.6
170.3
168.9
167.7
166.9
165.1
K
0.652
0.713
0.755
0.782
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