2
绝对最大额定值
符号
V
dd
V
in
V
OUT
P
in
T
ch
T
英镑
参数
器件电压,射频
输出对地
RF输入或RF输出
对地电压
CW RF输入功率
通道温度
储存温度
单位
V
V
DBM
°C
°C
绝对
最大
[1]
6
+0.5
–1.0
+13
150
-65到150
热阻
[2]
:
θ
CH-C
= 160 ° C / W
注意事项:
1.操作这个设备上面的任何一个
这些限制可能会造成永久性
损害。
2. T
C
= 25°C (T
C
被定义为在
温度在所述封装引脚,其中
接触形成于电路板) 。
MGA- 87563电气规格
[3]
, T
C
= 25 ° C,Z
O
= 50
,
V
dd
= 3 V
符号
G
test[3]
NF
test[3]
NF
o
最佳的噪声系数
(调谐获得最低噪声图)
参数和测试条件
F = 2.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 2.4 GHz的
mA
dB
单位
分钟。
11
典型值。
14
1.8
1.9
1.6
1.6
1.6
2.0
14.6
14.5
14.0
12.5
10.3
-2.0
-1.8
-2.0
-2.0
-2.6
+8
1.8
4.5
2.3
马克斯。
G
a
在NF相关增益
O
(调谐获得最低噪声图)
dB
P
1dB
1 dB增益压缩输出功率
DBM
IP
3
VSWR
I
dd
三阶截点
输出VSWR
器件的电流
DBM
注意:
3.保证规格100 %在应用信息部分的电路如图10进行测试。
5
MGA- 87563应用
信息
介绍
该MGA- 87563低噪声RF
放大器被设计为简化
在无线射频应用
0.5-4 GHz的频率范围内。该
MGA- 87563是一种两级,砷化镓
微波单片集成
电路( MMIC)放大器
使用反馈来提供
宽带增益。的输出是
匹配50
且输入是
部分匹配最佳
噪声系数。
获得专利的有源偏置电路
利用电流源向
“重复使用”漏极电流在两个
增益级,从而减少
所需的电源电流和
降低敏感性选型的
系统蒸发散在电源电压。
测试电路
在图10所示的电路是
用于噪声的100 % RF测试
图和增益。这种输入
电路固定调的
共轭匹配功率(马克西
妈妈功率传输,或者,迷你
妈妈的输入电压驻波比)在2 GHz 。
在该电路中测试用于
保证NF
TEST
和G
TEST
在所示的参数
电气连接特定的阳离子表。
4.7 nH的电感, L1( Coilcraft公司,
卡里, IL件号系列
1008CT -040 )放置在一系列
V
dd
该放大器的输入是所有
这是必要的,以匹配
投入50
在2 GHz 。
相位参考平面
基准的位置
面用于测量
S参数,并指定
Γ
选择
对于噪声参数是
在图11中示出如图中
图中,参考平面
位于的末端
封装的引脚。
偏置
该MGA- 87563是一个电压 -
施力装置和从操作
一个3伏电源。
用的一个典型的电流消耗
只有4.5 mA时, MGA- 87563是
非常适合用在电池
供电的应用。所有的偏见
调节电路集成
成在MMIC ,消除了
需要外接直流成分
堂费。 RF性能非常
3伏电池一致
耗材的范围可从2.7
到3.3伏,这取决于电池
“新鲜度”或充电状态
可再充电电池。手术
至+5伏的讨论
该应用程序部分的结束。
测试电路在图10中
示出了一种合适的方法为
将偏置到MGA- 87563 。
偏置连接必须是
设计为使得它充分
绕过V
dd
而终端
不小心造成任何
共振频率在哪里
的MGA- 87563具有增益。
10
电阻R1 ,用于
“去Q”任何潜在的共振
在偏置线,它可能导致
低增益,增益不必要的杂物 -
系统蒸发散或设备不稳定。该
R1的电源端
旁路到地
电容器C1。建议值
对于C1为100 pF的。显著
不为C1更高的值
推荐使用。许多价值较高
片式电容器(例如, 1000 pF)时是
在不充分高的质量
这些频率运作良好
作为一个射频旁路而不添加
有害的寄生效应或自
共振。
而输入和输出
终端内部电阻
接地时,这些引脚不应该
被认为是目前汇。
的MGA- 87563的连接
放大器电路是在
地电位可以由
没有额外的成本和
所需的PCB空间的块级DC
荷兰国际集团的电容器。如果放大器是
与有源电路级联
具有非零电压的存在,
使用一系列堵
电容器被推荐。
输入匹配
的MGA- 87563的输入端是
部分内部匹配
50
.
利用一个简单的输入的
共轭匹配电路(如
如图10为2千兆赫) ,
将降低噪声系数
增色不少。一个显著研华
的MGA- 87563的设计是踏歌
对于NF阻抗匹配
o
(最小噪声系数)是非常
靠近电源的共轭
匹配。这意味着一个非常
低噪声系数,可以实现
具有低输入同时
VSWR 。典型的区别
C1
10
RF
输入
50
L1
4.7 nH的
50
RF
产量
参考
飞机
测试电路
图10.测试电路2千兆赫。
图11.参考平面。
2
绝对最大额定值
符号
V
dd
V
in
V
OUT
P
in
T
ch
T
英镑
参数
器件电压,射频
输出对地
RF输入或RF输出
对地电压
CW RF输入功率
通道温度
储存温度
单位
V
V
DBM
°C
°C
绝对
最大
[1]
6
+0.5
–1.0
+13
150
-65到150
热阻
[2]
:
θ
CH-C
= 160 ° C / W
注意事项:
1.操作这个设备上面的任何一个
这些限制可能会造成永久性
损害。
2. T
C
= 25°C (T
C
被定义为在
温度在所述封装引脚,其中
接触形成于电路板) 。
MGA- 87563电气规格
[3]
, T
C
= 25 ° C,Z
O
= 50
,
V
dd
= 3 V
符号
G
test[3]
NF
test[3]
NF
o
最佳的噪声系数
(调谐获得最低噪声图)
参数和测试条件
F = 2.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 2.4 GHz的
mA
dB
单位
分钟。
11
典型值。
14
1.8
1.9
1.6
1.6
1.6
2.0
14.6
14.5
14.0
12.5
10.3
-2.0
-1.8
-2.0
-2.0
-2.6
+8
1.8
4.5
2.3
马克斯。
G
a
在NF相关增益
O
(调谐获得最低噪声图)
dB
P
1dB
1 dB增益压缩输出功率
DBM
IP
3
VSWR
I
dd
三阶截点
输出VSWR
器件的电流
DBM
注意:
3.保证规格100 %在应用信息部分的电路如图10进行测试。
5
MGA- 87563应用
信息
介绍
该MGA- 87563低噪声RF
放大器被设计为简化
在无线射频应用
0.5-4 GHz的频率范围内。该
MGA- 87563是一种两级,砷化镓
微波单片集成
电路( MMIC)放大器
使用反馈来提供
宽带增益。的输出是
匹配50
且输入是
部分匹配最佳
噪声系数。
获得专利的有源偏置电路
利用电流源向
“重复使用”漏极电流在两个
增益级,从而减少
所需的电源电流和
降低敏感性选型的
系统蒸发散在电源电压。
测试电路
在图10所示的电路是
用于噪声的100 % RF测试
图和增益。这种输入
电路固定调的
共轭匹配功率(马克西
妈妈功率传输,或者,迷你
妈妈的输入电压驻波比)在2 GHz 。
在该电路中测试用于
保证NF
TEST
和G
TEST
在所示的参数
电气连接特定的阳离子表。
4.7 nH的电感, L1( Coilcraft公司,
卡里, IL件号系列
1008CT -040 )放置在一系列
V
dd
该放大器的输入是所有
这是必要的,以匹配
投入50
在2 GHz 。
相位参考平面
基准的位置
面用于测量
S参数,并指定
Γ
选择
对于噪声参数是
在图11中示出如图中
图中,参考平面
位于的末端
封装的引脚。
偏置
该MGA- 87563是一个电压 -
施力装置和从操作
一个3伏电源。
用的一个典型的电流消耗
只有4.5 mA时, MGA- 87563是
非常适合用在电池
供电的应用。所有的偏见
调节电路集成
成在MMIC ,消除了
需要外接直流成分
堂费。 RF性能非常
3伏电池一致
耗材的范围可从2.7
到3.3伏,这取决于电池
“新鲜度”或充电状态
可再充电电池。手术
至+5伏的讨论
该应用程序部分的结束。
测试电路在图10中
示出了一种合适的方法为
将偏置到MGA- 87563 。
偏置连接必须是
设计为使得它充分
绕过V
dd
而终端
不小心造成任何
共振频率在哪里
的MGA- 87563具有增益。
10
电阻R1 ,用于
“去Q”任何潜在的共振
在偏置线,它可能导致
低增益,增益不必要的杂物 -
系统蒸发散或设备不稳定。该
R1的电源端
旁路到地
电容器C1。建议值
对于C1为100 pF的。显著
不为C1更高的值
推荐使用。许多价值较高
片式电容器(例如, 1000 pF)时是
在不充分高的质量
这些频率运作良好
作为一个射频旁路而不添加
有害的寄生效应或自
共振。
而输入和输出
终端内部电阻
接地时,这些引脚不应该
被认为是目前汇。
的MGA- 87563的连接
放大器电路是在
地电位可以由
没有额外的成本和
所需的PCB空间的块级DC
荷兰国际集团的电容器。如果放大器是
与有源电路级联
具有非零电压的存在,
使用一系列堵
电容器被推荐。
输入匹配
的MGA- 87563的输入端是
部分内部匹配
50
.
利用一个简单的输入的
共轭匹配电路(如
如图10为2千兆赫) ,
将降低噪声系数
增色不少。一个显著研华
的MGA- 87563的设计是踏歌
对于NF阻抗匹配
o
(最小噪声系数)是非常
靠近电源的共轭
匹配。这意味着一个非常
低噪声系数,可以实现
具有低输入同时
VSWR 。典型的区别
C1
10
RF
输入
50
L1
4.7 nH的
50
RF
产量
参考
飞机
测试电路
图10.测试电路2千兆赫。
图11.参考平面。
2
绝对最大额定值
符号
V
dd
V
in
V
OUT
P
in
T
ch
T
英镑
参数
器件电压,射频
输出对地
RF输入或RF输出
对地电压
CW RF输入功率
通道温度
储存温度
单位
V
V
DBM
°C
°C
绝对
最大
[1]
6
+0.5
–1.0
+13
150
-65到150
热阻
[2]
:
θ
CH-C
= 160 ° C / W
注意事项:
1.操作这个设备上面的任何一个
这些限制可能会造成永久性
损害。
2. T
C
= 25°C (T
C
被定义为在
温度在所述封装引脚,其中
接触形成于电路板) 。
MGA- 87563电气规格
[3]
, T
C
= 25 ° C,Z
O
= 50
,
V
dd
= 3 V
符号
G
test[3]
NF
test[3]
NF
o
最佳的噪声系数
(调谐获得最低噪声图)
参数和测试条件
F = 2.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 2.4 GHz的
mA
dB
单位
分钟。
11
典型值。
14
1.8
1.9
1.6
1.6
1.6
2.0
14.6
14.5
14.0
12.5
10.3
-2.0
-1.8
-2.0
-2.0
-2.6
+8
1.8
4.5
2.3
马克斯。
G
a
在NF相关增益
O
(调谐获得最低噪声图)
dB
P
1dB
1 dB增益压缩输出功率
DBM
IP
3
VSWR
I
dd
三阶截点
输出VSWR
器件的电流
DBM
注意:
3.保证规格100 %在应用信息部分的电路如图10进行测试。
5
MGA- 87563应用
信息
介绍
该MGA- 87563低噪声RF
放大器被设计为简化
在无线射频应用
0.5-4 GHz的频率范围内。该
MGA- 87563是一种两级,砷化镓
微波单片集成
电路( MMIC)放大器
使用反馈来提供
宽带增益。的输出是
匹配50
且输入是
部分匹配最佳
噪声系数。
获得专利的有源偏置电路
利用电流源向
“重复使用”漏极电流在两个
增益级,从而减少
所需的电源电流和
降低敏感性选型的
系统蒸发散在电源电压。
测试电路
在图10所示的电路是
用于噪声的100 % RF测试
图和增益。这种输入
电路固定调的
共轭匹配功率(马克西
妈妈功率传输,或者,迷你
妈妈的输入电压驻波比)在2 GHz 。
在该电路中测试用于
保证NF
TEST
和G
TEST
在所示的参数
电气连接特定的阳离子表。
4.7 nH的电感, L1( Coilcraft公司,
卡里, IL件号系列
1008CT -040 )放置在一系列
V
dd
该放大器的输入是所有
这是必要的,以匹配
投入50
在2 GHz 。
相位参考平面
基准的位置
面用于测量
S参数,并指定
Γ
选择
对于噪声参数是
在图11中示出如图中
图中,参考平面
位于的末端
封装的引脚。
偏置
该MGA- 87563是一个电压 -
施力装置和从操作
一个3伏电源。
用的一个典型的电流消耗
只有4.5 mA时, MGA- 87563是
非常适合用在电池
供电的应用。所有的偏见
调节电路集成
成在MMIC ,消除了
需要外接直流成分
堂费。 RF性能非常
3伏电池一致
耗材的范围可从2.7
到3.3伏,这取决于电池
“新鲜度”或充电状态
可再充电电池。手术
至+5伏的讨论
该应用程序部分的结束。
测试电路在图10中
示出了一种合适的方法为
将偏置到MGA- 87563 。
偏置连接必须是
设计为使得它充分
绕过V
dd
而终端
不小心造成任何
共振频率在哪里
的MGA- 87563具有增益。
10
电阻R1 ,用于
“去Q”任何潜在的共振
在偏置线,它可能导致
低增益,增益不必要的杂物 -
系统蒸发散或设备不稳定。该
R1的电源端
旁路到地
电容器C1。建议值
对于C1为100 pF的。显著
不为C1更高的值
推荐使用。许多价值较高
片式电容器(例如, 1000 pF)时是
在不充分高的质量
这些频率运作良好
作为一个射频旁路而不添加
有害的寄生效应或自
共振。
而输入和输出
终端内部电阻
接地时,这些引脚不应该
被认为是目前汇。
的MGA- 87563的连接
放大器电路是在
地电位可以由
没有额外的成本和
所需的PCB空间的块级DC
荷兰国际集团的电容器。如果放大器是
与有源电路级联
具有非零电压的存在,
使用一系列堵
电容器被推荐。
输入匹配
的MGA- 87563的输入端是
部分内部匹配
50
.
利用一个简单的输入的
共轭匹配电路(如
如图10为2千兆赫) ,
将降低噪声系数
增色不少。一个显著研华
的MGA- 87563的设计是踏歌
对于NF阻抗匹配
o
(最小噪声系数)是非常
靠近电源的共轭
匹配。这意味着一个非常
低噪声系数,可以实现
具有低输入同时
VSWR 。典型的区别
C1
10
RF
输入
50
L1
4.7 nH的
50
RF
产量
参考
飞机
测试电路
图10.测试电路2千兆赫。
图11.参考平面。
2
绝对最大额定值
符号
V
dd
V
in
V
OUT
P
in
T
ch
T
英镑
参数
器件电压,射频
输出对地
RF输入或RF输出
对地电压
CW RF输入功率
通道温度
储存温度
单位
V
V
DBM
°C
°C
绝对
最大
[1]
6
+0.5
–1.0
+13
150
-65到150
热阻
[2]
:
θ
CH-C
= 160 ° C / W
注意事项:
1.操作这个设备上面的任何一个
这些限制可能会造成永久性
损害。
2. T
C
= 25°C (T
C
被定义为在
温度在所述封装引脚,其中
接触形成于电路板) 。
MGA- 87563电气规格
[3]
, T
C
= 25 ° C,Z
O
= 50
,
V
dd
= 3 V
符号
G
test[3]
NF
test[3]
NF
o
最佳的噪声系数
(调谐获得最低噪声图)
参数和测试条件
F = 2.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 2.4 GHz的
mA
dB
单位
分钟。
11
典型值。
14
1.8
1.9
1.6
1.6
1.6
2.0
14.6
14.5
14.0
12.5
10.3
-2.0
-1.8
-2.0
-2.0
-2.6
+8
1.8
4.5
2.3
马克斯。
G
a
在NF相关增益
O
(调谐获得最低噪声图)
dB
P
1dB
1 dB增益压缩输出功率
DBM
IP
3
VSWR
I
dd
三阶截点
输出VSWR
器件的电流
DBM
注意:
3.保证规格100 %在应用信息部分的电路如图10进行测试。
5
MGA- 87563应用
信息
介绍
该MGA- 87563低噪声RF
放大器被设计为简化
在无线射频应用
0.5-4 GHz的频率范围内。该
MGA- 87563是一种两级,砷化镓
微波单片集成
电路( MMIC)放大器
使用反馈来提供
宽带增益。的输出是
匹配50
且输入是
部分匹配最佳
噪声系数。
获得专利的有源偏置电路
利用电流源向
“重复使用”漏极电流在两个
增益级,从而减少
所需的电源电流和
降低敏感性选型的
系统蒸发散在电源电压。
测试电路
在图10所示的电路是
用于噪声的100 % RF测试
图和增益。这种输入
电路固定调的
共轭匹配功率(马克西
妈妈功率传输,或者,迷你
妈妈的输入电压驻波比)在2 GHz 。
在该电路中测试用于
保证NF
TEST
和G
TEST
在所示的参数
电气连接特定的阳离子表。
4.7 nH的电感, L1( Coilcraft公司,
卡里, IL件号系列
1008CT -040 )放置在一系列
V
dd
该放大器的输入是所有
这是必要的,以匹配
投入50
在2 GHz 。
相位参考平面
基准的位置
面用于测量
S参数,并指定
Γ
选择
对于噪声参数是
在图11中示出如图中
图中,参考平面
位于的末端
封装的引脚。
偏置
该MGA- 87563是一个电压 -
施力装置和从操作
一个3伏电源。
用的一个典型的电流消耗
只有4.5 mA时, MGA- 87563是
非常适合用在电池
供电的应用。所有的偏见
调节电路集成
成在MMIC ,消除了
需要外接直流成分
堂费。 RF性能非常
3伏电池一致
耗材的范围可从2.7
到3.3伏,这取决于电池
“新鲜度”或充电状态
可再充电电池。手术
至+5伏的讨论
该应用程序部分的结束。
测试电路在图10中
示出了一种合适的方法为
将偏置到MGA- 87563 。
偏置连接必须是
设计为使得它充分
绕过V
dd
而终端
不小心造成任何
共振频率在哪里
的MGA- 87563具有增益。
10
电阻R1 ,用于
“去Q”任何潜在的共振
在偏置线,它可能导致
低增益,增益不必要的杂物 -
系统蒸发散或设备不稳定。该
R1的电源端
旁路到地
电容器C1。建议值
对于C1为100 pF的。显著
不为C1更高的值
推荐使用。许多价值较高
片式电容器(例如, 1000 pF)时是
在不充分高的质量
这些频率运作良好
作为一个射频旁路而不添加
有害的寄生效应或自
共振。
而输入和输出
终端内部电阻
接地时,这些引脚不应该
被认为是目前汇。
的MGA- 87563的连接
放大器电路是在
地电位可以由
没有额外的成本和
所需的PCB空间的块级DC
荷兰国际集团的电容器。如果放大器是
与有源电路级联
具有非零电压的存在,
使用一系列堵
电容器被推荐。
输入匹配
的MGA- 87563的输入端是
部分内部匹配
50
.
利用一个简单的输入的
共轭匹配电路(如
如图10为2千兆赫) ,
将降低噪声系数
增色不少。一个显著研华
的MGA- 87563的设计是踏歌
对于NF阻抗匹配
o
(最小噪声系数)是非常
靠近电源的共轭
匹配。这意味着一个非常
低噪声系数,可以实现
具有低输入同时
VSWR 。典型的区别
C1
10
RF
输入
50
L1
4.7 nH的
50
RF
产量
参考
飞机
测试电路
图10.测试电路2千兆赫。
图11.参考平面。