2
MGA- 83563绝对最大额定值
符号
V
P
in
T
ch
T
英镑
参数
最大直流电源电压
CW RF输入功率
通道温度
储存温度
单位
V
DBM
°C
°C
绝对
最大
[1]
4
+13
165
-65到150
热阻
[2]
:
θ
CH到c
= 175 ° C / W
注意事项:
1.操作这个设备上面的任何一个
这些限制可能会造成永久性
损害。
2. T
C
= 25°C (T
C
被定义为在
温度在所述封装引脚,其中
接触形成于电路板) 。
电源作为热量耗散(MW )
PD = (电压) ×(电流) - (噘)
800
700
600
500
400
300
200
100
0
10
30
50
70
90
110 130 150
1
x
外壳温度( ° C)
温度/功耗降额曲线。
10
6
H
rs
M
TT
F
3.0V
20 pF的
2.2 nH的
18 nH的
50 pF的
1 pF的
RF
产量
83
RF 1.2 nH的
输入
图1. MGA- 83563最终生产测试电路。
V
d
20 pF的
L1
调谐器
BIAS
T恤
RF
产量
83
调谐器
RF
输入
电路A : L1 = 2.2 nH的0.1到3 GHz
电路B : L 1 = 0 nH的(电容器尽可能接近)为3至6 GHz
图2. MGA- 83563测试电路的特性。
3
MGA- 83563电气规格,
V
d
= 3 V ,T
C
= 25℃时,使用图2的测试电路,除非另有说明。
符号
P
SAT
PAE
[3]
I
d[5]
收益
参数和测试条件
饱和输出功率
[3]
功率附加效率
器件的电流
小信号增益
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 5.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 5.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 5.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 5.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 2.4 GHz的
单位
DBM
%
mA
dB
分钟。
20.5
25
典型值。
22.4
37
152
20
22
23
22
22
19
17
20.9
21.7
21.8
22
21.9
19.7
18.2
41
41
40
37
32
18
14
19.1
19.7
19.7
19.2
18.1
16
15
3.5
2.6
2.3
1.4
2.5
3.5
4.5
dB
DBM
-38
-30
29
200
马克斯。
标准。
开发。
[4]
0.75
2.5
12.4
P
SAT
饱和输出功率
DBM
PAE
功率附加效率
%
P
1分贝[5]
1 dB增益压缩输出功率
DBM
VSWR
in
输入电压驻波比为50
电路A
电路B
F = 0.9 1.7 GHz的
F = 1.83.0千兆赫
F = 3.0至6.0千兆赫
F = 0.9 2.0千兆赫
F = 2.0至3.0千兆赫
F = 3.0 4.0千兆赫
F = 4.0至6.0千兆赫
F = 0.9 3.0 GHz的
F = 3.0至6.0千兆赫
F = 0.9 GHz至6.0 GHz的
VSWR
OUT
输出VSWR为50
电路A
电路B
ISOL
IP
3
隔离
三阶截点
注意事项:
3.使用图1的最终测试电路的4 dBm的输入功率测量。
在4标准偏差数是基于对至少500份测量从三个非连续的晶圆批次
本产品的初始特性,并旨在被用作估计的典型的分布
特定连接的阳离子。
5.对于线性运算,是指热节本数据表中的应用程序部分。
2
MGA- 83563绝对最大额定值
符号
V
P
in
T
ch
T
英镑
参数
最大直流电源电压
CW RF输入功率
通道温度
储存温度
单位
V
DBM
°C
°C
绝对
最大
[1]
4
+13
165
-65到150
热阻
[2]
:
θ
CH到c
= 175 ° C / W
注意事项:
1.操作这个设备上面的任何一个
这些限制可能会造成永久性
损害。
2. T
C
= 25°C (T
C
被定义为在
温度在所述封装引脚,其中
接触形成于电路板) 。
电源作为热量耗散(MW )
PD = (电压) ×(电流) - (噘)
800
700
600
500
400
300
200
100
0
10
30
50
70
90
110 130 150
1
x
外壳温度( ° C)
温度/功耗降额曲线。
10
6
H
rs
M
TT
F
3.0V
20 pF的
2.2 nH的
18 nH的
50 pF的
1 pF的
RF
产量
83
RF 1.2 nH的
输入
图1. MGA- 83563最终生产测试电路。
V
d
20 pF的
L1
调谐器
BIAS
T恤
RF
产量
83
调谐器
RF
输入
电路A : L1 = 2.2 nH的0.1到3 GHz
电路B : L 1 = 0 nH的(电容器尽可能接近)为3至6 GHz
图2. MGA- 83563测试电路的特性。
3
MGA- 83563电气规格,
V
d
= 3 V ,T
C
= 25℃时,使用图2的测试电路,除非另有说明。
符号
P
SAT
PAE
[3]
I
d[5]
收益
参数和测试条件
饱和输出功率
[3]
功率附加效率
器件的电流
小信号增益
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 5.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 5.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 5.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 5.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 2.4 GHz的
单位
DBM
%
mA
dB
分钟。
20.5
25
典型值。
22.4
37
152
20
22
23
22
22
19
17
20.9
21.7
21.8
22
21.9
19.7
18.2
41
41
40
37
32
18
14
19.1
19.7
19.7
19.2
18.1
16
15
3.5
2.6
2.3
1.4
2.5
3.5
4.5
dB
DBM
-38
-30
29
200
马克斯。
标准。
开发。
[4]
0.75
2.5
12.4
P
SAT
饱和输出功率
DBM
PAE
功率附加效率
%
P
1分贝[5]
1 dB增益压缩输出功率
DBM
VSWR
in
输入电压驻波比为50
电路A
电路B
F = 0.9 1.7 GHz的
F = 1.83.0千兆赫
F = 3.0至6.0千兆赫
F = 0.9 2.0千兆赫
F = 2.0至3.0千兆赫
F = 3.0 4.0千兆赫
F = 4.0至6.0千兆赫
F = 0.9 3.0 GHz的
F = 3.0至6.0千兆赫
F = 0.9 GHz至6.0 GHz的
VSWR
OUT
输出VSWR为50
电路A
电路B
ISOL
IP
3
隔离
三阶截点
注意事项:
3.使用图1的最终测试电路的4 dBm的输入功率测量。
在4标准偏差数是基于对至少500份测量从三个非连续的晶圆批次
本产品的初始特性,并旨在被用作估计的典型的分布
特定连接的阳离子。
5.对于线性运算,是指热节本数据表中的应用程序部分。
2
MGA- 83563绝对最大额定值
符号
V
P
in
T
ch
T
英镑
参数
最大直流电源电压
CW RF输入功率
通道温度
储存温度
单位
V
DBM
°C
°C
绝对
最大
[1]
4
+13
165
-65到150
热阻
[2]
:
θ
CH到c
= 175 ° C / W
注意事项:
1.操作这个设备上面的任何一个
这些限制可能会造成永久性
损害。
2. T
C
= 25°C (T
C
被定义为在
温度在所述封装引脚,其中
接触形成于电路板) 。
电源作为热量耗散(MW )
PD = (电压) ×(电流) - (噘)
800
700
600
500
400
300
200
100
0
10
30
50
70
90
110 130 150
1
x
外壳温度( ° C)
温度/功耗降额曲线。
10
6
H
rs
M
TT
F
3.0V
20 pF的
2.2 nH的
18 nH的
50 pF的
1 pF的
RF
产量
83
RF 1.2 nH的
输入
图1. MGA- 83563最终生产测试电路。
V
d
20 pF的
L1
调谐器
BIAS
T恤
RF
产量
83
调谐器
RF
输入
电路A : L1 = 2.2 nH的0.1到3 GHz
电路B : L 1 = 0 nH的(电容器尽可能接近)为3至6 GHz
图2. MGA- 83563测试电路的特性。
3
MGA- 83563电气规格,
V
d
= 3 V ,T
C
= 25℃时,使用图2的测试电路,除非另有说明。
符号
P
SAT
PAE
[3]
I
d[5]
收益
参数和测试条件
饱和输出功率
[3]
功率附加效率
器件的电流
小信号增益
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 5.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 5.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 5.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 5.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 2.4 GHz的
单位
DBM
%
mA
dB
分钟。
20.5
25
典型值。
22.4
37
152
20
22
23
22
22
19
17
20.9
21.7
21.8
22
21.9
19.7
18.2
41
41
40
37
32
18
14
19.1
19.7
19.7
19.2
18.1
16
15
3.5
2.6
2.3
1.4
2.5
3.5
4.5
dB
DBM
-38
-30
29
200
马克斯。
标准。
开发。
[4]
0.75
2.5
12.4
P
SAT
饱和输出功率
DBM
PAE
功率附加效率
%
P
1分贝[5]
1 dB增益压缩输出功率
DBM
VSWR
in
输入电压驻波比为50
电路A
电路B
F = 0.9 1.7 GHz的
F = 1.83.0千兆赫
F = 3.0至6.0千兆赫
F = 0.9 2.0千兆赫
F = 2.0至3.0千兆赫
F = 3.0 4.0千兆赫
F = 4.0至6.0千兆赫
F = 0.9 3.0 GHz的
F = 3.0至6.0千兆赫
F = 0.9 GHz至6.0 GHz的
VSWR
OUT
输出VSWR为50
电路A
电路B
ISOL
IP
3
隔离
三阶截点
注意事项:
3.使用图1的最终测试电路的4 dBm的输入功率测量。
在4标准偏差数是基于对至少500份测量从三个非连续的晶圆批次
本产品的初始特性,并旨在被用作估计的典型的分布
特定连接的阳离子。
5.对于线性运算,是指热节本数据表中的应用程序部分。