安捷伦的MGA- 725M4低噪声
放大器旁路开关在
微型无铅封装
数据表
特点
工作频率：
0.1千兆赫 6.0千兆赫
噪声系数：
1.2分贝在800兆赫
1.4分贝在1900兆赫
增益：
17.5分贝在800兆赫
15.7分贝在1900兆赫
片上旁路开关
损耗=典型值1.6分贝（我
d
＆ LT ;五
A)
IIP3 = + 10dBm的
可调输入IP3 ：
2 ，以14.7 dBm的
小型封装：
1.4毫米X 1.2毫米
2.7 V至5.0 V的操作
应用
CDMA（ IS-95， J-STD- 008 ）接收
LNA
发送驱动器放大器
TDMA（ IS-136）的手机
MINIPAK 1.4毫米×1.2毫米包装
描述
安捷伦科技公司
MGA- 725M4是一种经济，
易于使用的GaAs MMIC低
噪声放大器（LNA ），其是
设计了一种自适应的CDMA
接收器LNA和自适应CDMA
传输驱动放大器。
该MGA- 725M4设有一个典型
1.4 dB和14.4分贝噪声系数
从单个相关的增益
现阶段，反馈场效应管放大器。
输出内部匹配
为50Ω 。的输入是最佳
内部匹配，实现最低
噪声系数为50Ω 。输入
可以附加地从外部
匹配通过低驻波
加入单一系列
电感器。当设置成旁路
模式，输入和输出是
内部匹配至50Ω 。
简化的原理图
该MGA- 725M4提供
低噪声放大器的集成解决方案
可调IIP3 。该IIP3可
固定到所希望的电流电平
接收机的线性度要求一
求。 LNA具有旁路
开关功能，这台
电流至零，并且提供低
插入损耗。旁路模式
也提高了动态范围时，
正在接收高电平信号。
用于CDMA驱动放大器
应用， MGA- 725M4
提供适当的增益和线性 -
性满足的ACPR要求
当手机发送
最高权力。当发射
低功耗的MGA- 725M4可以
被旁路，节省绘图
电流。
该MGA- 725M4是GaAs MMIC ，
安捷伦的处理成本
有效的PHEMT （假晶
高电子迁移率晶体管） 。
它坐落在MINIPAK 1412
封装。这是安捷伦的一部分
技术CDMAdvantage RF
芯片组。
Ax
引脚连接和
包装标志
地
产量
控制
输入
＆放大器;
V
REF
GainFET
产量
＆放大器; V
d
Ax
输入
地
GND
GND
MGA- 725M4绝对最大额定值
[1]
符号
V
d
V
gs
I
d
P
d
P
in
T
j
T
英镑
参数
最大输入输出电压
最大输入对地直流电压
电源电流
功耗
[1,2]
CW RF输入功率
结温
储存温度
单位
V
V
mA
mW
DBM
°C
°C
绝对
最大
5.5
+.3
-5.5
70
300
+20
170
-65到+150
手术
最大
4.2
+.1
-4.2
60
250
+13
150
-40至+85
热阻：
[2]
θ
jc
= 180℃ / W的
注意事项：
超过任何1.操作此设备的
这些限制可能会造成永久性的损害。
2. T
例
= 25°C.
电气连接特定的阳离子，
T
c
= + 25 ° C，Z
o
= 50, I
d
能力= 20 mA ，V
d
= 3V ，除非另有说明。
符号
V
gs
TEST
[1]
核试验
[1]
嘎测试
[1]
IIP3测试
[1]
IL测试
[1,4]
球蛋白试验
[1,4]
NFO
[2]
参数和测试条件
F = 2.0 GHz的V
d
= 3.0V (V
ds
= 2.5V)
F = 2.0 GHz的V
d
= 3.0V (= V
ds
- V
gs
)
F = 2.0 GHz的V
d
= 3.0V (= V
ds
- V
gs
)
F = 2.04 GHz的V
d
= 3.0V (= V
ds
- V
gs
)
F = 2.0 GHz的V
d
= 3.0V (V
ds
= 0V, V
gs
= -3V)
F = 2.0 GHz的V
d
= 3.0V (V
ds
= 0V, V
gs
= -3V)
最小噪声科幻gure
测量图2中的测试电路
（从S参数和噪声计算
测得的参数性能
50Ω阻抗夹具）
在NFO相关增益
测量图2中的测试电路
（从S参数和噪声计算
测得的参数性能
50Ω阻抗夹具）
1 dB增益压缩输出功率
测定图1中的测试电路
频率= 2.04 GHz的
I
d
= 20毫安
I
d
= 20毫安
I
d
= 20毫安
I
d
= 20毫安
I
d
= 0.0毫安
I
d
= 0.0毫安
F = 1.0 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.5 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.5 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 6.0 GHz的
I
d
= 0毫安
I
d
= 5毫安
I
d
= 10毫安
I
d
= 20毫安
I
d
= 40毫安
I
d
= 60毫安
I
d
= 0毫安
I
d
= 5毫安
I
d
= 10毫安
I
d
= 20毫安
I
d
= 40毫安
I
d
= 60毫安
F = 2.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
单位
V
dB
dB
dB
dB
A
dB
分钟。
-0.65
典型值。
-0.51
1.4
马克斯。
-0.37
1.8
15.5
σ
0.035
0.06
0.42
0.35
13.5
8.5
14.4
9.9
1.6
2.0
1.2
1.2
1.3
1.3
1.4
1.6
17.6
16.6
15.7
14.8
12.8
10.6
15.2
3.4
9.14
13.13
15.25
16.16
35
3.1
6.6
9.9
13.0
14.7
-8.2
-15
-23.4
3.5
0.07
2.0
收益
[2]
dB
P1dB
[1]
DBM
0.53
IIP3
[1]
输入三阶截点
测定图1中的测试电路
频率= 2.04 GHz的
DBM
0.35
RLIN
[1]
RLOUT
[1]
ISOL
[1]
测图的输入回波损耗。 1
测图输出回波损耗。 1
隔离| S
12
|
2
测图。 2
dB
dB
dB
0.41
1.3
0.4
注意事项：
1.标准偏差和测量在图1的测试电路，基于从3晶圆批次500部分样本大小1.数据的典型数据。
从在一个50Ω的系统测得的S参数和噪声参数数据计算2.典型数据。
3. V
d
=设备总电压= V
dg
如图4，旁路模式的电压被用于生产测试。对于源极电阻偏置，旁路模式，通过打开源电阻设置。
2
1000 pF的
RF
输入
47 pF的
100 pF的
1000 pF的
V
gs
1.2 nH的
100 pF的
V
ds
RF
输入偏置T恤
ICM夹具
V
d
Ax
27 nH的
27 nH的
2.7 nH的
RF
产量
47 pF的
V
gs
BIAS
T恤
图1. MGA- 725M4生产测试电路。
MGA- 725M4典型性能
频率为2.0 GHz的，T
c
= 25 ° C，Z
o
= 50, V
d
= 3V ，我
d
能力= 20 mA ，除非另有说明。在图2中测得的所有数据作为
测试系统（输入和输出提供给50Ω ） 。
3.0
2.5
2.0
增益（dB ）
NF（ dB）的
输入IP
3
（ dB）的
Ax
RF
产量
图2. MGA- 725M4 50Ω测试电路S，噪声和功耗
参数。
18
16
14
12
10
8
6
2.7V
3.0V
3.3V
0
1
2
3
4
5
6
4
2
0
0
1
2
3
4
2.7V
3.0V
3.3V
5
6
14
12
10
8
6
4
2
0
2.7V
3.0V
3.3V
0
1
2
3
4
5
6
1.5
1.0
0.5
0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图3.噪声系数与频率的关系和
电压。
4
图4.增益与频率和电压。
图5.输入三阶截点
与频率和电压。
18
16
14
输入IP
3
（ dBm的）
18
16
3
增益（dB ）
14
12
12
10
8
6
4
2
-40°C
+25°C
+85°C
0
1
2
3
4
5
6
NF（ dB）的
10
8
6
2
1
-40°C
+25°C
+85°C
0
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
4
2
0
0
1
2
3
4
-40°C
+25°C
+85°C
5
6
0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图6.噪声系数与频率的关系和
温度。
8
输入
产量
6
电压驻波比（LNA）
图7.增益与频率和温度。
图8.输入三阶截点
与频率和温度。
0
14
12
-1
10
电压驻波比（LNA）
插入损耗（dB ）
8
6
4
2
输入
产量
0
1
2
3
4
5
6
-2
4
-3
2
-4
-5
0
1
2
3
4
-40°C
+25°C
+85°C
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图9.在LNA （关闭）与VSWR
频率。
图10. LNA关闭（开关）与VSWR
频率。
图11.插入损耗（开关）与
频率和温度。
3
MGA- 725M4典型性能，
持续
频率为2.0 GHz的，T
c
= 25 ° C，Z
o
= 50, V
d
= 3V ，我
d
能力= 20 mA ，除非另有说明。在图2中测得的所有数据作为
测试系统（输入和输出提供给50Ω ） 。
14
12
10
P1dB的（ DBM）
14
12
10
P1dB的（ DBM）
18
16
14
输入IP
3
（ dBm的）
12
10
8
6
4
2
10毫安
20毫安
40毫安
0
1
2
3
4
5
6
8
6
4
2
0
2.7V
3.0V
3.3V
0
1
2
3
4
5
6
8
6
4
2
0
2.7V
3.0V
3.3V
0
1
2
3
4
5
6
0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图12.输出功率在1 dB压缩
与频率和电压。
图13.输出功率在1 dB压缩
与频率和温度。
图14.输入三阶截点
与频率和电流。
4
18
16
18
16
14
输入IP3 （ dBm的）
3
增益（dB ）
14
12
12
10
8
6
4
2
-40°C
+25°C
+85°C
0
20
40
I
d
电流（mA ）
60
80
NF（ dB）的
10
8
6
2
1
-40°C
+25°C
+85°C
0
0
20
40
I
d
电流（mA ）
60
80
4
2
0
0
20
40
I
d
电流（mA ）
-40°C
+25°C
+85°C
60
80
0
图15.噪声系数与电流和
温度。
图16.相关增益与电流和
温度。
图17.输入三阶截取点主场迎战
电流和温度。
18
16
14
12
P1dB的（ DBM）
VSWR
14
12
10
输入
产量
伽玛
1.00
0.80
8
6
6
4
4
2
0
0
20
40
I
d
电流（mA ）
V
REF
(V)
10
8
0.60
0.40
-40°C
+25°C
+85°C
0
10
20
30
40
50
60
-40°C
+25°C
+85°C
60
80
2
0
0.20
0
0
10
20
30
40
50
60
I
d
电流（mA ）
I
d
电流（mA ）
图18.输出功率在1 dB压缩
与电流和温度。
图19. LNA的VSWR和Gamma选项对比
电流。
图20.控制电压与电流和
温度。
4
QQ：2881677436 复制
