安捷伦的MGA- 71543
低噪声放大器
缓解旁路开关
数据表
特点
工作频率：
0.1千兆赫 6.0千兆赫
噪声系数为0.8分贝（ NFmin ）
增益： 16分贝
平均电流IDD = 2毫安在CDMA
手机
描述
安捷伦的MGA- 71543是一种
经济的，易于使用的GaAs
MMIC低噪声放大器（ LNA ） ，
其被设计用于自适应
CDMA和W -CDMA接收机
系统。该MGA- 71543是部分
安捷伦科技
完成CDMAdvantage RF
芯片组。
该MGA- 71543有
的0.8分贝最小噪声系数
并从一个16分贝可用增益
单级，反馈FET
放大器。输入和输出
被部分地匹配，并且仅一
简单的串联/并联电感
以实现低的匹配，需要
噪声系数和电压驻波比为50Ω 。
当设置进入旁路模式，
输入和输出是互
应受通过减缓匹配
电路。该电路不消耗
目前，尚未复制的中和
LNA的出阻抗。这
使系统用户能够有
从最小失配的变化
LNA旁路模式，这是
非常重要的，当
MGA- 71543之间使用
双工器和/或过滤器。
该MGA- 71543提供了一个英特
LNA的磨碎液
可调IIP3 。该IIP3可
固定到所希望的电流电平
接收机的线性度要求一
求。 LNA具有旁路
开关功能，其提供
在零电流低插入损耗。
旁路模式也提高了
动态范围在高级别
信号被接收。
该MGA- 71543是专为
CDMA和W -CDMA接收机
系统。该IP3 ，增益和
缓解网络都适合
这些应用过滤器
被使用。许多CDMA系统
操作20％的LNA模式中， 80％的
绕行。与旁路电流
绘制零10和LNA毫安，
的MGA- 71543可平均
2毫安电流。
的MGA- 71543为GaAs MMIC ，
安捷伦的处理成本
有效的PHEMT （假晶
高电子迁移率晶体管
技术） 。它被容纳在
SOT343 （ SC70 4引脚）封装。
片上旁路开关
亏损= -5.6分贝（编号< 5
A)
IIP3 = +35 dBm的
可调整的输入IP3 ： 0至+9 dBm的
2.7 V至4.2 V操作
应用
CDMA（ IS-95， J-STD- 008 ）接收
LNA
发送驱动器放大器
W- CDMA接收器LNA
TDMA（ IS-136）的手机
表面贴装封装
SOT -343 /4-引脚SC70封装
引脚连接和
包装标志
3
输入
＆放大器; V
REF
4
1
RF GND
＆放大器; V
s
2
产量
＆放大器; V
d
71x
RF GND
＆放大器; V
s
1
功能框图
简化的原理图
+
–
+
–
控制
输入
＆放大器; V
REF
增益FET
产量
＆放大器; V
d
评价
测试电路
（单正偏压）
输入
1.5 nH的
71
在RF
RF OUT
2.7 nH的
产量
R
BIAS
V
d
RF GND
& VS
开关&偏差
RF GND
控制
MGA- 71543绝对最大额定值
[1]
符号
V
d
V
c
I
d
P
d
P
in
T
j
T
英镑
参数
最大输入输出电压
[4]
最大输入对地直流电压
[4]
电源电流
功耗
[2]
CW RF输入功率
结温
储存温度
单位
V
V
mA
mW
DBM
°C
°C
绝对
最大
5.5
+.3
-5.5
60
240
+15
170
-65到+150
手术
最大
4.2
+.1
-4.2
50
200
+10
150
-40至+85
热阻：
[2, 3]
θ
jc
= 240 ° C / W
注意事项：
超过任何1.操作此设备的
这些限制可能会造成永久性的损害。
2.接地导线温度为25 ℃。
由150 ℃下测3.热电阻
液晶测量方法。
4.最大额定值假设其他参数
是在DC静态条件。
产品的一致性分布图表
[5,6]
150
CPK = 2.00
标准= 0.24
150
CPK = 1.16
标准= 0.96
150
CPK = 2.33
标准= 0.02
120
120
120
频率
频率
频率
90
标准-3
3性病
90
标准-3
3性病
90
标准-3
3性病
60
60
60
30
30
30
0
14.4
0
15.4
增益（dB ）
16.4
17.4
1
2
3
4
5
6
7
8
IIP3 （ dBm的）
0
0.85
0.95
1.05
1.15
NF（ dB）的
1.25
1.35
1.45
图1.增益@ 2 GHz时， 3V 10毫安。
LSL = 14.4 ，额定= 15.9 ， USL = 17.4
图2. IIP3 @ 2 GHz时， 3V 10毫安。
LSL = 1.0 ，额定= 4.3 ， USL = 8.0
图3. NF @ 2 GHz时， 3V 10毫安。
LSL = 0.85 ，额定= 1.08 ， USL = 1.45
注意事项：
5.分布数据的样本量为450样本
从9个不同的晶片取。未来晶圆
分配给该产品可能具有象征
内的任意位置的上限和下限值
技术指标。
6.测量就生产测试
板，图4.该电路代表
最佳噪声匹配之间的权衡
并根据生产变现比赛
试验要求在10mA偏置电流。
多余的电路损耗已经DE-
嵌入式与实际测量值。
性能可以针对不同的被优化
偏置条件和应用。请教
应用笔记的详细信息。
2
MGA- 71543电气规格
T
c
= + 25 ° C，Z
o
= 50, I
d
= 10 mA时， V
d
= 3V ，除非另有说明
符号
VREF测试
核试验
增益测试
IIP3测试
增益，绕道
球蛋白试验
NFmin
[3]
参数和测试条件
VDS = 2.4 V
F = 2.01 GHz的
F = 2.01 GHz的
F = 2.01 GHz的
V
d
= 3.0 V（ = VDS - Vref的）
V
d
= 3.0 V（ = VDS - Vref的）
V
d
= 3.0 V（ = VDS - Vref的）
I
d
= 10毫安
I
d
= 10毫安
I
d
= 10毫安
I
d
= 10毫安
I
d
= 0毫安
I
d
= 0毫安
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 1.9 GHz的
F = 2.1 GHz的
F = 2.5 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 1.9 GHz的
F = 2.1 GHz的
F = 2.5 GHz的
F = 6.0 GHz的
I
d
= 0毫安
I
d
= 3毫安
I
d
= 6毫安
I
d
= 10毫安
I
d
= 20毫安
I
d
= 40毫安
I
d
= 0毫安
I
d
= 3毫安
I
d
= 6毫安
I
d
= 10毫安
I
d
= 20毫安
I
d
= 40毫安
固有
EVAL电路
F = 2.01 GHz的
F = 2.01 GHz的
F = 2.01 GHz的
单位
V
dB
dB
DBM
dB
A
dB
分钟。
-0.86
典型值。
-0.65
1.1
马克斯。
-0.43
1.45
17.4
σ
[1]
0.041
0.02
0.24
0.96
0.12
1.5
14.4
1
-6.4
15.9
4.3
-5.6
2.0
0.7
0.7
0.8
0.8
0.8
1.1
17.1
16.4
15.8
15.4
14.9
10.0
+10
-5.1
+3.0
+7.4
+13.1
+15.5
+35
-2.6
+1.6
+4.3
+7.4
+8.7
10
100
6.0
10.9
-22.5
F = 2.01 GHz的
VDS = 0V， VREF = -3V
旁路模式
[6]
旁路模式VDS = 0V， VREF = -3 V
[6]
最小噪声科幻gure
测量图5测试电路
（从S参数Γopt和计算
测得的噪声性能参数
在一个50Ω的阻抗夹具）
在NFO相关增益
测量图5测试电路
（从S参数Gopt和计算
测得的噪声性能参数
在一个50Ω的阻抗夹具）
1 dB增益压缩输出功率
作为衡量评估测试电路
源极电阻偏置
[4,5]
频率= 2.01 GHz的
盖斯
[3]
dB
P1dB
DBM
IIP3
输入三阶截点
测量在图4中的测试电路
[5]
频率= 2.01千兆赫， 2.02 GHz的
DBM
开关
旁路开关的上升/下降时间
(10% - 90%)
作为衡量评估测试电路
测图的输入回波损耗。 4
测图输出回波损耗。 4
隔离| S12 |
2
测图。五
nS
dB
dB
dB
RLIN
RLOUT
ISOL
0.31
0.65
注意事项：
1，标准差和典型数据基于至少450部分样本量从9片。分配给该产品未来的晶片可具有象征
内的上下规格界限的任意位置的值。
2.测量就固定调谐生产测试电路（图4） ，它表示之间的最佳噪声匹配的权衡，最大增益
匹配，并根据生产测试板的要求在10mA偏置电流可实现的匹配。多余的电路损耗已解嵌
从实际测量。 Vd的= Vds的- Vref的哪里的Vds被调整，以保持相当于一个单电源3V偏压施加一个恒定Vd的偏压。
咨询申请注意事项电路偏置选项。
使用ATN NP5在50Ω系统测量S参数和噪声参数数据计算3.最小噪声系数和增益相关数据
测试系统。根据从9片10典型零件的数据。关联的增益是当产品输入匹配最小噪声系数的增益。
4. P1dB的测量是在源极电阻偏置的评估电路进行。由于P1dB的逼近，漏极电流
附近维持在评估电路的源极电阻的反馈效应的静态值。咨询申请注意事项电路
偏置选项。
5.测量就固定调谐生产测试电路，它表示之间的最佳噪声匹配，最大增益匹配，以及一个折衷
根据生产测试板的需求在10mA的偏置电流可实现匹配。性能可以针对不同偏压条件进行优化
和应用。咨询应用笔记。
6.旁路模式的测试条件时，才需要用于生产测试电路（图4）采用栅偏压方法。在最佳来源
电阻偏置配置，旁路模式时通过提供一个DC开路，而不是在引脚4偏置电阻器。
3
MGA- 71543的典型表现
T
c
= 25 ° C，Z
o
= 50, V
d
= 3V ，我
d
= 10毫安除非另有说明。数据与频率的关系的测定图5中的测试系统
并为每个频率与外部调谐器进行了优化。
960 pF的
RF
输入
56 pF的
1.5 nH的
2.7 nH的
V
REF
4
3
V
ds
56 pF的
1
2
RF
产量
56 pF的
RF
输入
偏置T恤
测试网络连接夹具
BIAS
T恤
V
ds
71
V
REF
RF
产量
图4. MGA- 71543产品测试电路。
71
3.9 nH的
图5. MGA- 71543测试电路S，噪声和
电源参数频率。
20
18
15
1.5
相关的增益（分贝）
1.3
17
噪声系数（dB ）
1.1
14
输入IP3 （ dBm的）
12
9
6
3
0.9
11
0.7
2.7V
3.0V
3.3V
8
2.7V
3.0V
3.3V
0
-3
2.7V
3.0V
3.3V
0.5
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
5
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
图6.最小噪声系数与
频率和电压。
20
-40°C
+25°C
+85°C
图7.相关的增益与FMIN对比
频率和电压。
18
15
图8.输入三阶截点与
频率和电压。
相关的增益（分贝）
17
输入IP3 （ dBm的）
12
m3
9
6
m2
3
-40°C
+25°C
+85°C
14
11
8
0
5
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
-3
0
1
2
3
4
m1
5
6
500 MHz至6 GHz的
频率（GHz ）
图9.相关的增益与FMIN对比
频率。
图10.输入三阶截点
与频率和温度。
0
图11. S11阻抗 - 频率曲线。
（ M1 =申银万国， M2 = 6毫安， M3 = 10 mA）的
18
15
-2
插入损耗（dB ）
12
-4
的OP1dB （ dBm的）
9
6
3
m3
m2 m1
-6
-8
G
屁股
W / FMIN
最低
0
-3
2.7V
3.0V
3.3V
-10
0
500 MHz至6 GHz的
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
图12. S22阻抗 - 频率曲线。
（ M1 =申银万国， M2 = 6毫安， M3 = 10 mA）的
4
图13.旁路模式相关联
插入损耗与FMIN匹配和
最小损耗与频率。
4
图14.输出功率在1 dB压缩
与频率和电压。
[4]
MGA- 71543的典型表现，
持续
T
c
= 25 ° C，Z
o
= 50, V
d
= 3V ，我
d
= 10毫安除非另有说明。数据与频率的关系的测定图5中的测试系统
并为每个频率与外部调谐器进行了优化。
18
15
输入IP3 （ dBm的）
12
的OP1dB （ dBm的）
9
6
3
0
-3
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
6毫安
10毫安
20毫安
18
15
12
9
-6
3
0
-3
0
10
20
I
DSQ
电流（mA ）
30
40
-40°C
+25°C
+85°C
18
15
12
的OP1dB （ dBm的）
9
6
3
0
-3
0
10
20
I
d
电流（mA ）
30
40
-40°C
+25°C
+85°C
图15.输入三阶截点
与频率和电流。
2.2
2.0
1.8
1.6
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
10
20
I
d
电流（mA ）
30
40
1.4
NF（ dB）的
图16.输出功率在1 dB压缩
与我
DSQ
电流和温度（被动
BIAS ，V
REF
固定）
[4]
.
20
17
14
增益（dB ）
11
8
5
2
0
10
20
I
d
电流（mA ）
30
40
-40°C
+25°C
+85°C
图17.输出功率在1 dB压缩
与电流和温度（源极电阻
偏置电路的评价）
[5]
.
12
9
输入IP3 （ dBm的）
6
3
-40°C
+25°C
+85°C
0
-3
0
10
20
I
d
电流（mA ）
30
40
图18.最小噪声系数与电流
（ 2 GHz）的。
1.0
图19.增益与电流和温度
（ 2 GHz）的。
图20.输入三阶截取点主场迎战
电流和温度（ 2千兆赫） 。
0.8
VS （ V）
0.6
0.4
0.2
0
0
10
20
I
d
电流（mA ）
30
40
图21.控制电压与电流。
注意事项：
4. P1dB的测量与执行
无源偏置在生产测试电路
（图4 ） 。静态漏电流， Idsq ，是
由一个固定的Vref的设置与应用没有RF驱动器。
由于P1dB的逼近，漏极电流
可以增加或减少取决于
频率和直流偏置点通常
导致更高的P1dB比如果漏
电流保持恒定通过活性
偏置。
5. P1dB的测量进行中
评估测试电路与源极电阻
施力其保持，漏极电流
在附近的大信号的静态值
条件。
5
安捷伦的MGA- 71543
低噪声放大器
缓解旁路开关
数据表
特点
提供无铅选项
工作频率：
0.1千兆赫 6.0千兆赫
噪声系数为0.8分贝（ NFmin ）
增益： 16分贝
平均电流IDD = 2毫安在CDMA
手机
片上旁路开关
亏损= -5.6分贝（编号< 5
A)
IIP3 = +35 dBm的
可调整的输入IP3 ： 0至+9 dBm的
2.7 V至4.2 V操作
应用
CDMA（ IS-95， J-STD- 008 ）接收
LNA
发送驱动器放大器
W- CDMA接收器LNA
TDMA（ IS-136）的手机
表面贴装封装
SOT -343 /4-引脚SC70封装
描述
安捷伦的MGA- 71543是一种
经济的，易于使用的GaAs
MMIC低噪声放大器（ LNA ） ，
其被设计用于自适应
CDMA和W -CDMA接收机
系统。该MGA- 71543是部分
安捷伦科技
完成CDMAdvantage RF
芯片组。
该MGA- 71543有
的0.8分贝最小噪声系数
并从一个16分贝可用增益
单级，反馈FET
放大器。输入和输出
被部分地匹配，并且仅一
简单的串联/并联电感
以实现低的匹配，需要
噪声系数和电压驻波比为50Ω 。
当设置进入旁路模式，
输入和输出是互
应受通过减缓匹配
电路。该电路不消耗
目前，尚未复制的中和
LNA的出阻抗。这
使系统用户能够有
从最小失配的变化
LNA旁路模式，这是
非常重要的，当
MGA- 71543之间使用
双工器和/或过滤器。
该MGA- 71543提供集成
LNA具有可调节的解决方案
IIP3 。的IIP3可以被固定到一个
所希望的电流电平的
接收器的线性度要求。
LNA具有旁路开关
功能，它提供了低
在零电流时的插入损耗。该
旁路模式也提高了动态
当高电平信号范围
被接收。
该MGA- 71543是专为
CDMA和W -CDMA接收机
系统。该IP3 ，增益和
缓解网络都适合
这些应用过滤器
被使用。许多CDMA系统
操作20％的LNA模式中， 80％的
绕行。与旁路电流
绘制零10和LNA毫安，
的MGA- 71543可平均
2毫安电流。
的MGA- 71543为GaAs MMIC ，
安捷伦的处理成本
有效的PHEMT （假晶
高电子迁移率晶体管
技术） 。它被容纳在
SOT343 （ SC70 4引脚）封装。
注意事项：
请遵守注意事项
静电处理
敏感的设备。
ESD机模型（ A类）
ESD人体模型（ 0级）
参见安捷伦应用笔记A004R ：
静电放电危害及防治。
引脚连接和
包装标志
3
输入
＆放大器; V
REF
4
1
RF GND
＆放大器; V
s
2
产量
＆放大器; V
d
71x
RF GND
＆放大器; V
s
功能框图
简化的原理图
评估测试电路
（单正偏压）
输入
1.5 nH的
+
–
+
–
控制
71
在RF
RF OUT
输入
＆放大器; V
REF
2.7 nH的
产量
＆放大器; V
d
产量
增益FET
R
BIAS
V
d
RF GND
& VS
开关&偏差
RF GND
控制
MGA- 71543绝对最大额定值
[1]
符号
V
d
V
c
I
d
P
d
P
in
T
j
T
英镑
参数
最大输入输出电压
[4]
最大输入对地直流电压
[4]
电源电流
功耗
[2]
CW RF输入功率
结温
储存温度
单位
V
V
mA
mW
DBM
°C
°C
绝对
最大
5.5
+.3
-5.5
60
240
+15
170
-65到+150
手术
最大
4.2
+.1
-4.2
50
200
+10
150
-40至+85
热阻：
[2, 3]
θ
jc
= 240 ° C / W
注意事项：
超过任何1.操作此设备的
这些限制可能会造成永久性的损害。
2.接地导线温度为25 ℃。
由150 ℃下测3.热电阻
液晶测量方法。
4.最大额定值假设其他参数
是在DC静态条件。
产品的一致性分布图表
[5,6]
150
CPK = 2.00
标准= 0.24
150
CPK = 1.16
标准= 0.96
150
CPK = 2.33
标准= 0.02
120
120
120
频率
频率
频率
90
标准-3
3性病
90
标准-3
3性病
90
标准-3
3性病
60
60
60
30
30
30
0
14.4
0
15.4
增益（dB ）
16.4
17.4
1
2
3
4
5
6
7
8
IIP3 （ dBm的）
0
0.85
0.95
1.05
1.15
NF（ dB）的
1.25
1.35
1.45
图1.增益@ 2 GHz时， 3V 10毫安。
LSL = 14.4 ，额定= 15.9 ， USL = 17.4
图2. IIP3 @ 2 GHz时， 3V 10毫安。
LSL = 1.0 ，额定= 3.0 ， USL = 8.0
图3. NF @ 2 GHz时， 3V 10毫安。
LSL = 0.85 ，额定= 1.08 ， USL = 1.45
注意事项：
5.分布数据的样本量为450样本
从9个不同的晶片取。未来晶圆
分配给该产品可能具有象征
内的任意位置的上限和下限值
技术指标。
6.测量就生产测试
板，图4.该电路代表
最佳噪声匹配之间的权衡
并根据生产变现比赛
试验要求在10mA偏置电流。
多余的电路损耗已经DE-
嵌入式与实际测量值。
性能可以针对不同的被优化
偏置条件和应用。请教
应用笔记的详细信息。
2
MGA- 71543电气规格
T
c
= + 25 ° C，Z
o
= 50, I
d
= 10 mA时， V
d
= 3V ，除非另有说明
符号
VREF测试
核试验
增益测试
IIP3测试
增益，绕道
球蛋白试验
NFmin
[3]
参数和测试条件
VDS = 2.4 V
F = 2.01 GHz的
F = 2.01 GHz的
F = 2.01 GHz的
V
d
= 3.0 V（ = VDS - Vref的）
V
d
= 3.0 V（ = VDS - Vref的）
V
d
= 3.0 V（ = VDS - Vref的）
I
d
= 10毫安
I
d
= 10毫安
I
d
= 10毫安
I
d
= 10毫安
I
d
= 0毫安
I
d
= 0毫安
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 1.9 GHz的
F = 2.1 GHz的
F = 2.5 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 1.9 GHz的
F = 2.1 GHz的
F = 2.5 GHz的
F = 6.0 GHz的
I
d
= 6毫安
I
d
= 10毫安
I
d
= 20毫安
I
d
= 40毫安
I
d
= 6毫安
I
d
= 10毫安
I
d
= 20毫安
I
d
= 40毫安
固有
EVAL电路
F = 2.01 GHz的
F = 2.01 GHz的
F = 2.01 GHz的
单位
V
dB
dB
DBM
dB
A
dB
分钟。
-0.86
典型值。
-0.65
1.1
马克斯。
-0.43
1.45
17.4
σ
[1]
0.041
0.02
0.24
0.96
0.12
1.5
14.4
1
-6.4
15.9
3.0
-5.6
2.0
0.7
0.7
0.8
0.8
0.8
1.1
17.1
16.4
15.8
15.4
14.9
10.0
+3.0
+7.4
+13.1
+15.5
-0.5
+3.0
+7.4
+8.7
10
100
6.0
10.9
-22.5
F = 2.01 GHz的
VDS = 0V， VREF = -3V
[6]
旁路模式
旁路模式VDS = 0V， VREF = -3 V
[6]
最小噪声科幻gure
测量图5测试电路
（从S参数Γopt和计算
测得的噪声性能参数
在一个50Ω的阻抗夹具）
在NFO相关增益
测量图5测试电路
（从S参数Gopt和计算
测得的噪声性能参数
在一个50Ω的阻抗夹具）
1 dB增益压缩输出功率
作为衡量评估测试电路
源极电阻偏置
[4,5]
频率= 2.01 GHz的
输入三阶截点
测量在图4中的测试电路
[5]
频率= 2.01千兆赫， 2.02 GHz的
旁路开关的上升/下降时间
(10% - 90%)
作为衡量评估测试电路
测图的输入回波损耗。 4
测图输出回波损耗。 4
隔离| S12 |
2
测图。五
Ga
[3]
dB
P1dB
DBM
IIP3
DBM
开关
nS
dB
dB
dB
RLIN
RLOUT
ISOL
0.31
0.65
注意事项：
1，标准差和典型数据基于至少450部分样本量从9片。分配给该产品未来的晶片可具有象征
内的上下规格界限的任意位置的值。
2.测量就固定调谐生产测试电路（图4） ，它表示之间的最佳噪声匹配的权衡，最大增益
匹配，并根据生产测试板的要求在10mA偏置电流可实现的匹配。多余的电路损耗已解嵌
从实际测量。 Vd的= Vds的- Vref的哪里的Vds被调整，以保持相当于一个单电源3V偏压施加一个恒定Vd的偏压。
咨询申请注意事项电路偏置选项。
使用ATN NP5在50Ω系统测量S参数和噪声参数数据计算3.最小噪声系数和增益相关数据
测试系统。根据从9片10典型零件的数据。关联的增益是当产品输入匹配最小噪声系数的增益。
4. P1dB的测量是在源极电阻偏置的评估电路进行。由于P1dB的逼近，漏极电流
附近维持在评估电路的源极电阻的反馈效应的静态值。咨询申请注意事项电路
偏置选项。
5.测量就固定调谐生产测试电路，它表示之间的最佳噪声匹配，最大增益匹配，以及一个折衷
根据生产测试板的需求在10mA的偏置电流可实现匹配。性能可以针对不同偏压条件进行优化
和应用。咨询应用笔记。
6.旁路模式的测试条件时，才需要用于生产测试电路（图4）采用栅偏压方法。在最佳来源
电阻偏置配置，旁路模式时通过提供一个DC开路，而不是在引脚4偏置电阻器。
3
MGA- 71543的典型表现
T
c
= 25 ° C，Z
o
= 50, V
d
= 3V ，我
d
= 10毫安除非另有说明。数据与频率的关系的测定图5中的测试系统
并为每个频率与外部调谐器进行了优化。
960 pF的
RF
输入
56 pF的
1.5 nH的
V
REF
2.7 nH的
4
3
V
ds
56 pF的
1
2
RF
产量
56 pF的
RF
输入
偏置T恤
测试网络连接夹具
BIAS
T恤
V
ds
71
V
REF
RF
产量
图4. MGA- 71543产品测试电路。
71
3.9 nH的
图5. MGA- 71543测试电路S，噪声和
电源参数频率。
20
18
15
1.5
相关的增益（分贝）
1.3
17
噪声系数（dB ）
1.1
14
输入IP3 （ dBm的）
12
9
6
3
0.9
11
0.7
2.7V
3.0V
3.3V
8
2.7V
3.0V
3.3V
0
-3
2.7V
3.0V
3.3V
0.5
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
5
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
图6.最小噪声系数与
频率和电压。
20
-40°C
+25°C
+85°C
图7.相关的增益与FMIN对比
频率和电压。
18
15
图8.输入三阶截点与
频率和电压。
相关的增益（分贝）
17
输入IP3 （ dBm的）
12
m3
9
6
m2
3
-40°C
+25°C
+85°C
14
11
8
0
5
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
-3
0
1
2
3
4
m1
5
6
500 MHz至6 GHz的
频率（GHz ）
图9.相关的增益与FMIN对比
频率。
图10.输入三阶截点
与频率和温度。
0
图11. S11阻抗 - 频率曲线。
（ M1 =申银万国， M2 = 6毫安， M3 = 10 mA）的
18
15
-2
插入损耗（dB ）
12
-4
的OP1dB （ dBm的）
9
6
3
m3
m2 m1
-6
-8
G
屁股
W / FMIN
最低
0
-3
2.7V
3.0V
3.3V
-10
0
500 MHz至6 GHz的
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
图12. S22阻抗 - 频率曲线。
（ M1 =申银万国， M2 = 6毫安， M3 = 10 mA）的
4
图13.旁路模式相关联
插入损耗与FMIN匹配和
最小损耗与频率。
图14.输出功率在1 dB压缩
与频率和电压。
[4]
MGA- 71543的典型表现，
持续
T
c
= 25 ° C，Z
o
= 50, V
d
= 3V ，我
d
= 10毫安除非另有说明。数据与频率的关系的测定图5中的测试系统
并为每个频率与外部调谐器进行了优化。
18
15
18
15
12
18
15
12
输入IP3 （ dBm的）
12
的OP1dB （ dBm的）
9
6
3
0
-3
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
6毫安
10毫安
20毫安
9
-6
3
0
-3
0
10
20
I
DSQ
电流（mA ）
30
40
-40°C
+25°C
+85°C
的OP1dB （ dBm的）
9
6
3
0
-3
0
10
20
I
d
电流（mA ）
30
40
-40°C
+25°C
+85°C
图15.输入三阶截点
与频率和电流。
2.2
2.0
1.8
1.6
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
10
20
I
d
电流（mA ）
30
40
1.4
图16.输出功率在1 dB压缩
与我
DSQ
电流和温度（被动
BIAS ，V
REF
固定）
[4]
.
20
17
14
图17.输出功率在1 dB压缩
与电流和温度（源极电阻
偏置电路的评价）
[5]
.
12
9
输入IP3 （ dBm的）
-40°C
+25°C
+85°C
增益（dB ）
NF（ dB）的
6
11
8
5
2
0
10
20
I
d
电流（mA ）
30
40
3
-40°C
+25°C
+85°C
0
-3
0
10
20
I
d
电流（mA ）
30
40
图18.最小噪声系数与电流
（ 2 GHz）的。
1.0
图19.增益与电流和温度
（ 2 GHz）的。
图20.输入三阶截取点主场迎战
电流和温度（ 2千兆赫） 。
0.8
VS （ V）
0.6
0.4
0.2
0
0
10
20
I
d
电流（mA ）
30
40
图21.控制电压与电流。
注意事项：
4. P1dB的测量与执行
无源偏置在生产测试电路
（图4 ） 。静态漏电流， Idsq ，是
由一个固定的Vref的设置与应用没有RF驱动器。
由于P1dB的逼近，漏极电流
可以增加或减少取决于
频率和直流偏置点通常
导致更高的P1dB比如果漏
电流保持恒定通过活性
偏置。
5. P1dB的测量进行中
评估测试电路与源极电阻
施力其保持，漏极电流
在附近的大信号的静态值
条件。
5
安捷伦的MGA- 71543
低噪声放大器
缓解旁路开关
数据表
特点
工作频率：
0.1千兆赫 6.0千兆赫
噪声系数为0.8分贝（ NFmin ）
增益： 16分贝
平均电流IDD = 2毫安在CDMA
手机
描述
安捷伦的MGA- 71543是一种
经济的，易于使用的GaAs
MMIC低噪声放大器（ LNA ） ，
其被设计用于自适应
CDMA和W -CDMA接收机
系统。该MGA- 71543是部分
安捷伦科技
完成CDMAdvantage RF
芯片组。
该MGA- 71543有
的0.8分贝最小噪声系数
并从一个16分贝可用增益
单级，反馈FET
放大器。输入和输出
被部分地匹配，并且仅一
简单的串联/并联电感
以实现低的匹配，需要
噪声系数和电压驻波比为50Ω 。
当设置进入旁路模式，
输入和输出是互
应受通过减缓匹配
电路。该电路不消耗
目前，尚未复制的中和
LNA的出阻抗。这
使系统用户能够有
从最小失配的变化
LNA旁路模式，这是
非常重要的，当
MGA- 71543之间使用
双工器和/或过滤器。
该MGA- 71543提供了一个英特
LNA的磨碎液
可调IIP3 。该IIP3可
固定到所希望的电流电平
接收机的线性度要求一
求。 LNA具有旁路
开关功能，其提供
在零电流低插入损耗。
旁路模式也提高了
动态范围在高级别
信号被接收。
该MGA- 71543是专为
CDMA和W -CDMA接收机
系统。该IP3 ，增益和
缓解网络都适合
这些应用过滤器
被使用。许多CDMA系统
操作20％的LNA模式中， 80％的
绕行。与旁路电流
绘制零10和LNA毫安，
的MGA- 71543可平均
2毫安电流。
的MGA- 71543为GaAs MMIC ，
安捷伦的处理成本
有效的PHEMT （假晶
高电子迁移率晶体管
技术） 。它被容纳在
SOT343 （ SC70 4引脚）封装。
片上旁路开关
亏损= -5.6分贝（编号< 5
A)
IIP3 = +35 dBm的
可调整的输入IP3 ： 0至+9 dBm的
2.7 V至4.2 V操作
应用
CDMA（ IS-95， J-STD- 008 ）接收
LNA
发送驱动器放大器
W- CDMA接收器LNA
TDMA（ IS-136）的手机
表面贴装封装
SOT -343 /4-引脚SC70封装
引脚连接和
包装标志
3
输入
＆放大器; V
REF
4
1
RF GND
＆放大器; V
s
2
产量
＆放大器; V
d
71x
RF GND
＆放大器; V
s
1
功能框图
简化的原理图
+
–
+
–
控制
输入
＆放大器; V
REF
增益FET
产量
＆放大器; V
d
评价
测试电路
（单正偏压）
输入
1.5 nH的
71
在RF
RF OUT
2.7 nH的
产量
R
BIAS
V
d
RF GND
& VS
开关&偏差
RF GND
控制
MGA- 71543绝对最大额定值
[1]
符号
V
d
V
c
I
d
P
d
P
in
T
j
T
英镑
参数
最大输入输出电压
[4]
最大输入对地直流电压
[4]
电源电流
功耗
[2]
CW RF输入功率
结温
储存温度
单位
V
V
mA
mW
DBM
°C
°C
绝对
最大
5.5
+.3
-5.5
60
240
+15
170
-65到+150
手术
最大
4.2
+.1
-4.2
50
200
+10
150
-40至+85
热阻：
[2, 3]
θ
jc
= 240 ° C / W
注意事项：
超过任何1.操作此设备的
这些限制可能会造成永久性的损害。
2.接地导线温度为25 ℃。
由150 ℃下测3.热电阻
液晶测量方法。
4.最大额定值假设其他参数
是在DC静态条件。
产品的一致性分布图表
[5,6]
150
CPK = 2.00
标准= 0.24
150
CPK = 1.16
标准= 0.96
150
CPK = 2.33
标准= 0.02
120
120
120
频率
频率
频率
90
标准-3
3性病
90
标准-3
3性病
90
标准-3
3性病
60
60
60
30
30
30
0
14.4
0
15.4
增益（dB ）
16.4
17.4
1
2
3
4
5
6
7
8
IIP3 （ dBm的）
0
0.85
0.95
1.05
1.15
NF（ dB）的
1.25
1.35
1.45
图1.增益@ 2 GHz时， 3V 10毫安。
LSL = 14.4 ，额定= 15.9 ， USL = 17.4
图2. IIP3 @ 2 GHz时， 3V 10毫安。
LSL = 1.0 ，额定= 4.3 ， USL = 8.0
图3. NF @ 2 GHz时， 3V 10毫安。
LSL = 0.85 ，额定= 1.08 ， USL = 1.45
注意事项：
5.分布数据的样本量为450样本
从9个不同的晶片取。未来晶圆
分配给该产品可能具有象征
内的任意位置的上限和下限值
技术指标。
6.测量就生产测试
板，图4.该电路代表
最佳噪声匹配之间的权衡
并根据生产变现比赛
试验要求在10mA偏置电流。
多余的电路损耗已经DE-
嵌入式与实际测量值。
性能可以针对不同的被优化
偏置条件和应用。请教
应用笔记的详细信息。
2
MGA- 71543电气规格
T
c
= + 25 ° C，Z
o
= 50, I
d
= 10 mA时， V
d
= 3V ，除非另有说明
符号
VREF测试
核试验
增益测试
IIP3测试
增益，绕道
球蛋白试验
NFmin
[3]
参数和测试条件
VDS = 2.4 V
F = 2.01 GHz的
F = 2.01 GHz的
F = 2.01 GHz的
V
d
= 3.0 V（ = VDS - Vref的）
V
d
= 3.0 V（ = VDS - Vref的）
V
d
= 3.0 V（ = VDS - Vref的）
I
d
= 10毫安
I
d
= 10毫安
I
d
= 10毫安
I
d
= 10毫安
I
d
= 0毫安
I
d
= 0毫安
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 1.9 GHz的
F = 2.1 GHz的
F = 2.5 GHz的
F = 6.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 1.9 GHz的
F = 2.1 GHz的
F = 2.5 GHz的
F = 6.0 GHz的
I
d
= 0毫安
I
d
= 3毫安
I
d
= 6毫安
I
d
= 10毫安
I
d
= 20毫安
I
d
= 40毫安
I
d
= 0毫安
I
d
= 3毫安
I
d
= 6毫安
I
d
= 10毫安
I
d
= 20毫安
I
d
= 40毫安
固有
EVAL电路
F = 2.01 GHz的
F = 2.01 GHz的
F = 2.01 GHz的
单位
V
dB
dB
DBM
dB
A
dB
分钟。
-0.86
典型值。
-0.65
1.1
马克斯。
-0.43
1.45
17.4
σ
[1]
0.041
0.02
0.24
0.96
0.12
1.5
14.4
1
-6.4
15.9
4.3
-5.6
2.0
0.7
0.7
0.8
0.8
0.8
1.1
17.1
16.4
15.8
15.4
14.9
10.0
+10
-5.1
+3.0
+7.4
+13.1
+15.5
+35
-2.6
+1.6
+4.3
+7.4
+8.7
10
100
6.0
10.9
-22.5
F = 2.01 GHz的
VDS = 0V， VREF = -3V
旁路模式
[6]
旁路模式VDS = 0V， VREF = -3 V
[6]
最小噪声科幻gure
测量图5测试电路
（从S参数Γopt和计算
测得的噪声性能参数
在一个50Ω的阻抗夹具）
在NFO相关增益
测量图5测试电路
（从S参数Gopt和计算
测得的噪声性能参数
在一个50Ω的阻抗夹具）
1 dB增益压缩输出功率
作为衡量评估测试电路
源极电阻偏置
[4,5]
频率= 2.01 GHz的
盖斯
[3]
dB
P1dB
DBM
IIP3
输入三阶截点
测量在图4中的测试电路
[5]
频率= 2.01千兆赫， 2.02 GHz的
DBM
开关
旁路开关的上升/下降时间
(10% - 90%)
作为衡量评估测试电路
测图的输入回波损耗。 4
测图输出回波损耗。 4
隔离| S12 |
2
测图。五
nS
dB
dB
dB
RLIN
RLOUT
ISOL
0.31
0.65
注意事项：
1，标准差和典型数据基于至少450部分样本量从9片。分配给该产品未来的晶片可具有象征
内的上下规格界限的任意位置的值。
2.测量就固定调谐生产测试电路（图4） ，它表示之间的最佳噪声匹配的权衡，最大增益
匹配，并根据生产测试板的要求在10mA偏置电流可实现的匹配。多余的电路损耗已解嵌
从实际测量。 Vd的= Vds的- Vref的哪里的Vds被调整，以保持相当于一个单电源3V偏压施加一个恒定Vd的偏压。
咨询申请注意事项电路偏置选项。
使用ATN NP5在50Ω系统测量S参数和噪声参数数据计算3.最小噪声系数和增益相关数据
测试系统。根据从9片10典型零件的数据。关联的增益是当产品输入匹配最小噪声系数的增益。
4. P1dB的测量是在源极电阻偏置的评估电路进行。由于P1dB的逼近，漏极电流
附近维持在评估电路的源极电阻的反馈效应的静态值。咨询申请注意事项电路
偏置选项。
5.测量就固定调谐生产测试电路，它表示之间的最佳噪声匹配，最大增益匹配，以及一个折衷
根据生产测试板的需求在10mA的偏置电流可实现匹配。性能可以针对不同偏压条件进行优化
和应用。咨询应用笔记。
6.旁路模式的测试条件时，才需要用于生产测试电路（图4）采用栅偏压方法。在最佳来源
电阻偏置配置，旁路模式时通过提供一个DC开路，而不是在引脚4偏置电阻器。
3
MGA- 71543的典型表现
T
c
= 25 ° C，Z
o
= 50, V
d
= 3V ，我
d
= 10毫安除非另有说明。数据与频率的关系的测定图5中的测试系统
并为每个频率与外部调谐器进行了优化。
960 pF的
RF
输入
56 pF的
1.5 nH的
2.7 nH的
V
REF
4
3
V
ds
56 pF的
1
2
RF
产量
56 pF的
RF
输入
偏置T恤
测试网络连接夹具
BIAS
T恤
V
ds
71
V
REF
RF
产量
图4. MGA- 71543产品测试电路。
71
3.9 nH的
图5. MGA- 71543测试电路S，噪声和
电源参数频率。
20
18
15
1.5
相关的增益（分贝）
1.3
17
噪声系数（dB ）
1.1
14
输入IP3 （ dBm的）
12
9
6
3
0.9
11
0.7
2.7V
3.0V
3.3V
8
2.7V
3.0V
3.3V
0
-3
2.7V
3.0V
3.3V
0.5
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
5
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
图6.最小噪声系数与
频率和电压。
20
-40°C
+25°C
+85°C
图7.相关的增益与FMIN对比
频率和电压。
18
15
图8.输入三阶截点与
频率和电压。
相关的增益（分贝）
17
输入IP3 （ dBm的）
12
m3
9
6
m2
3
-40°C
+25°C
+85°C
14
11
8
0
5
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
-3
0
1
2
3
4
m1
5
6
500 MHz至6 GHz的
频率（GHz ）
图9.相关的增益与FMIN对比
频率。
图10.输入三阶截点
与频率和温度。
0
图11. S11阻抗 - 频率曲线。
（ M1 =申银万国， M2 = 6毫安， M3 = 10 mA）的
18
15
-2
插入损耗（dB ）
12
-4
的OP1dB （ dBm的）
9
6
3
m3
m2 m1
-6
-8
G
屁股
W / FMIN
最低
0
-3
2.7V
3.0V
3.3V
-10
0
500 MHz至6 GHz的
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
图12. S22阻抗 - 频率曲线。
（ M1 =申银万国， M2 = 6毫安， M3 = 10 mA）的
4
图13.旁路模式相关联
插入损耗与FMIN匹配和
最小损耗与频率。
4
图14.输出功率在1 dB压缩
与频率和电压。
[4]
MGA- 71543的典型表现，
持续
T
c
= 25 ° C，Z
o
= 50, V
d
= 3V ，我
d
= 10毫安除非另有说明。数据与频率的关系的测定图5中的测试系统
并为每个频率与外部调谐器进行了优化。
18
15
输入IP3 （ dBm的）
12
的OP1dB （ dBm的）
9
6
3
0
-3
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
6毫安
10毫安
20毫安
18
15
12
9
-6
3
0
-3
0
10
20
I
DSQ
电流（mA ）
30
40
-40°C
+25°C
+85°C
18
15
12
的OP1dB （ dBm的）
9
6
3
0
-3
0
10
20
I
d
电流（mA ）
30
40
-40°C
+25°C
+85°C
图15.输入三阶截点
与频率和电流。
2.2
2.0
1.8
1.6
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
10
20
I
d
电流（mA ）
30
40
1.4
NF（ dB）的
图16.输出功率在1 dB压缩
与我
DSQ
电流和温度（被动
BIAS ，V
REF
固定）
[4]
.
20
17
14
增益（dB ）
11
8
5
2
0
10
20
I
d
电流（mA ）
30
40
-40°C
+25°C
+85°C
图17.输出功率在1 dB压缩
与电流和温度（源极电阻
偏置电路的评价）
[5]
.
12
9
输入IP3 （ dBm的）
6
3
-40°C
+25°C
+85°C
0
-3
0
10
20
I
d
电流（mA ）
30
40
图18.最小噪声系数与电流
（ 2 GHz）的。
1.0
图19.增益与电流和温度
（ 2 GHz）的。
图20.输入三阶截取点主场迎战
电流和温度（ 2千兆赫） 。
0.8
VS （ V）
0.6
0.4
0.2
0
0
10
20
I
d
电流（mA ）
30
40
图21.控制电压与电流。
注意事项：
4. P1dB的测量与执行
无源偏置在生产测试电路
（图4 ） 。静态漏电流， Idsq ，是
由一个固定的Vref的设置与应用没有RF驱动器。
由于P1dB的逼近，漏极电流
可以增加或减少取决于
频率和直流偏置点通常
导致更高的P1dB比如果漏
电流保持恒定通过活性
偏置。
5. P1dB的测量进行中
评估测试电路与源极电阻
施力其保持，漏极电流
在附近的大信号的静态值
条件。
5
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