MGA-684P8
低噪声有源偏置低噪声放大器
数据表
描述
Avago的MGA- 684P8是一款经济， easy-
易于使用的GaAs MMIC低噪声放大器（ LNA ） 。低噪声放大器
具有低的噪声，并通过实现高线性
采用Avago Technologies公司专有的0.25
m
砷化镓
增强模式pHEMT工艺。它坐落在一个
小型2.0× 2.0× 0.75毫米
3
8引脚四方扁平，非铅
（QFN ）封装。它是专为从1.5最佳利用
GHz的多达4千兆赫。紧凑的尺寸和低调
再加上低噪声，高增益和高线性度化妆
到MGA - 684P8一个理想的选择，因为一个低噪声放大器，用于
GSM和CDMA蜂窝基础设施。为了达到最佳
表现在较低的频率范围从450MHz到1.5
千兆赫， MGA- 683P8建议。无论MGA- 683P8和
MGA- 684P8采用相同的封装和引脚组态
口粮。
特点
低噪声系数
高线性度性能
的GaAs E - pHEMT技术
[1]
低成本的小型封装尺寸： 2.0× 2.0× 0.75毫米
3
优异的均匀度在产品规格
可带盘式包装选项
特定网络阳离子
1.9 GHz的; 5 V ， 35毫安
17.6分贝增益
0.56分贝噪声系数
21分贝输入回波损耗
32.4 dBm的输出IP3
在1分贝增益压缩22 dBm的输出功率
引脚配置和封装标识
2.0
X 2.0 X 0.75毫米
3
8引脚QFN
[1]
[2]
[3]
[4]
顶视图
销1
销2
3脚
引脚4
VBIAS =
- RFinput
未使用
未使用
[8]
[8]
[7]
[6]
[5]
底部视图
引脚5 - 未使用
引脚6 - 未使用
引脚7 - RFoutput / Vdd的
引脚8 - 未使用
中心标签 - 地面
[1]
[2]
[3]
[4]
应用
低噪声放大器，用于GSM蜂窝基础设施
TDS -CDMA和CDMA。
其它低噪声应用。
中继器， Metrocell /微微蜂窝应用。
84X
[7]
[6]
[5]
简化的原理图
VDD
C5
R1
RBIAS
R2
C6
C3
C4
L1
RFIN
L3
C1
[1]
[2]
[3]
[4]
注意：
包装标识提供了方向和identi网络阳离子
“84” =设备代码，其中X是一个月的代码。
L2
[8]
[7]
[6]
[5]
C2
RFOUT
注意：遵守注意事项
处理静电敏感设备。
ESD机型号= 70 V（ A类）
ESD人体模型= 500 V （ 1B类）
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电，危害及防治。
注意：
该示意图示出了类似的PCB所使用的假设
为MGA- 683P8和MGA- 684P8 。
细节所需要的这种产品的成分示于表1中。
增强型技术采用正栅极电压，
从而消除负栅极电压的需要相关联的
与传统的耗尽型器件。
好的RF实践要求所有未使用的引脚接地。
绝对最大额定值
[1]
T
A
=25° C
符号
V
dd
V
BIAS
国际直拨电话
P
IN，最大
P
DISS
T
j
T
英镑
热阻
单位
V
V
mA
DBM
W
°C
°C
参数
器件的电压，
射频输出端对地
栅极电压
漏电流
CW RF输入功率
(V
dd
= 5.0 V，I
d
= 50 mA）的
总功耗
[2]
结温
储存温度
绝对最大
5.5
0.7
90
+20
0.5
150
-65到150
热阻
[3]
(V
dd
= 5.0 V，I
dd
每信道= 35 mA）的，
jc
= 62 ° C / W每通道
注意事项：
超过任何1.操作此设备的
这些限制可能会造成永久性的损害。
使用红外线测量2.热阻
测量技术。
3.功耗与单位打开。板
温度T
B
为25° C。除鼠在16毫瓦/°C的
对于T
B
> 119 ° C。
电气规格
[1], [4]
射频性能在T
A
= 25 ° C，V
dd
= 5 V ，R
BIAS
= 6.8千欧， 1.9千兆赫，在演示板上，如图5与组件检测
列表在表1中为1.9GHz的匹配。
符号
I
dd
收益
OIP3
[2]
NF
[3]
OP1dB
IRL
ORL
冯ISOL
参数和测试条件
漏电流
收益
输出三阶截点
噪声系数
在1分贝增益压缩输出功率
输入回波损耗， 50
来源
输出回波损耗， 50
负载
反向隔离
单位
mA
dB
DBM
dB
DBM
dB
dB
dB
分钟。
23
16.1
29
典型值。
35.2
17.6
32.4
0.56
22
21
12
30
马克斯。
47
19.1
0.8
注意事项：
1.测量在1.9 GHz的用图1所示的演示板获得。
2. OIP3测试条件：F
RF1
= 1.9 GHz的，女
RF2
= 1.901 GHz的每个音-10 dBm的输入功率。
3.对于NF的数据时，输入的电路板损耗尚未解嵌。
4.使用适当的偏置电压，散热器和降额，以确保最大通道温度不超过。见绝对最大额定值和应用
注意更多的细节。
2
产品的一致性分布图表
(1, 2)
LSL
Id
最大：
47
闵：
23
意思是：
35.2
USL
USL
噪声系数
最大： 0.8
意思是： 0.56
23
30
40
47
0.5
0.6
0.7
0.8
图1.独立同@ 1.9 GHz的平均值= 35.2毫安
图2.噪声系数@ 1.9 GHz的均值= 0.56
LSL
OIP3
闵：
29
意思是：
32.4
LSL
收益
最大： 19.1
闵： 16.1
意思是： 17.6
USL
28
29
30
31
32
33
34
35
16
17
18
19
图3. OIP3 @ 1.9 GHz的，平均= 32.4
图4.增益@ 1.9 GHz的，平均= 17.6
注意事项：
1.分配数据样本是从3个不同的晶片取500个样本。分配给该产品未来的晶片可具有标称值的任何地方
间的上限和下限。
2.电路损耗尚未解嵌与实际测量结果。
3
演示电路板布局
GND
VDD
VBIAS
GND
7月10日
演示电路板原理图
RBIAS
C5
C6
R1
C3
L1
C1
L3
L2
C2
R2
C4
C5
10nF
RBIAS
6.8KΩ
VDD
C6
4.7uF
C3
10pF
R1
49.9Ω
R2
0Ω
C4
22pF
L1
18nH
C1
3.9pF
L2
6.8nH
C2
100pF
RFIN
[1]
[2]
[8]
[7]
[6]
[5]
RFOUT
安华高
技术
图5.演示板布局图
RAPALA
W
MGA-68XP8
L3
4.7nH
[3]
[4]
图6.演示板原理图
注意事项：
该示意图示出了类似的PCB所使用的假设
为MGA- 683P8和MGA- 68P8 。
细节所需要的这种产品的成分示于表1中。
- 推荐的PCB材料是10密耳罗杰斯RO4350 。
- 建议的元件值可以根据变化
布局和PCB材料。
表1.元件清单1.9 GHz的匹配
部分
C1
C2
C3
C4
C5
C6
L1
L2
L3
RBIAS
R1
R2
SIZE
0402
0402
0402
0402
0402
0805
0402
0402
0402
0402
0402
0402
价值
3.9 pF的
100 pF的
10 pF的
22 pF的
10 nF的
4.7
F
18 nH的
6.8 nH的
4.7 nH的
6.8千欧
49.9 OHM
0欧姆
详细型号
村田GRM15
村田GRM15
村田GRM15
村田GRM15
村田GRM15
村田GRM15
Coilcraft在CS0402
东光FHL1005
Coilcraft在CS0402
KOA RK73
KOA RK73
KOA RK73
注意事项：
C2是隔直电容
L2输出匹配的OIP3
L1，C1和L3被用于IRL匹配。
C3，C4， C5，C6是旁路电容
R1的电阻稳定
Rbias两端是偏置电阻
4
在演示板MGA- 684P8典型性能
射频性能在T
A
= 25°C ， VDD = 5V， Rbias两端= 6.8千欧，在演示板上，如图5与组件列表中测
表1为1.9GHz的匹配，除非另有说明。
1.4
1.2
1
NF
（ dB）的
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.5
1.7
1.9
2.5
2.1
2.3
频率（GHz ）
2.7
-40°
C
25°
C
85°
C
2.9
3.1
收益
（ dB）的
15
10
5
0
25
20
-40°
C
25°
C
85°
C
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
3.5
4
图7. NF与频率与温度
图8.增益与频率与温度
34
33
32
P1dB
（ dBm的）
-40°
C
25°
C
85°
C
1.7
1.9
2.1
频率（GHz ）
2.3
2.5
OIP3
（ dBm的）
31
30
29
28
27
26
1.5
23
22.5
22
21.5
21
20.5
20
1.5
1.7
1.9
2.1
频率（GHz ）
2.3
2.5
-40°
C
25°
C
85°
C
图9. OIP3与频率与温度
图10的OP1dB与频率与温度
5
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