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MGA-635P8

超低噪声，高线性低噪声放大器

数据表

描述

Avago的MGA- 635P8是一款经济， easy-

易于使用的GaAs MMIC低噪声放大器（ LNA ）。 LNA具有

低噪声和高线性度，通过使用取得

Avago Technologies公司专有的0.25m砷化镓Enhance-

换货模式pHEMT工艺。它坐落在一个微型的2.0

X 2.0 X 0.75毫米

8引脚四方扁平，无引线（QFN ）封装。

它是专为在2.3GHz频段高达4GHz的最佳利用。

紧凑的尺寸和低调，再加上低

噪声，高增益和高线性度使MGA- 635P8

一个理想的选择，因为一个低噪声放大器，用于蜂窝基础设施

结构，用于LTE， GSM和CDMA 。对于优化性能

曼斯从较低的450MHz主频高达1.5GHz的，

MGA- 633P8建议。为了获得最佳性能

从1.5GHz的达到2.3GHz ， MGA- 634P8频率

值得推荐。所有这3种产品， MGA- 633P8 ，

MGA- 634P8和MGA- 635P8采用相同的封装和

引脚排列配置。

特点

超低噪声系数

高线性度性能

的GaAs E - pHEMT技术

[1]

低成本的小型封装尺寸： 2.0× 2.0× 0.75毫米

优异的均匀度在产品规格

可带盘式包装选项

特定网络阳离子

2.5GHz的; 5V ， 56毫安

18分贝GAIN

0.56分贝噪声系数

12.5分贝输入回波损耗

35.9 dBm的输出IP3

在1分贝增益压缩22 dBm的输出功率

引脚配置和封装标识

2.0

X 2.0 X 0.75毫米

8引脚QFN

[1]

[2]

[3]

[4]

顶视图

销1

销2

3脚

引脚4

VBIAS =

- RFinput

未使用

[8]

[7]

[6]

[5]

底部视图

引脚5 - 未使用

引脚6 - 未使用

引脚7 - RFoutput / Vdd的

引脚8 - 未使用

中心标签 - 地面

[1]

[2]

[3]

[4]

应用

低噪声放大器，用于LTE蜂窝基础设施，

GSM和CDMA 。

其他超低噪声应用。

35X

[7]

[6]

[5]

简化的原理图

VDD

RBIAS

[1]

BIAS

[8]

[7]

[6]

[5]

注意：

包装标识提供了方向和identi网络阳离子

“ 35 ” =设备代码，其中X是一个月的代码。

RFIN

[2]

[3]

[4]

RFOUT

注意：遵守注意事项

处理静电敏感设备。

ESD机型号= 50 V （ A类）

ESD人体模型= 500 V （ 1B类）

请参考Avago的应用笔记A004R ：

静电放电，危害及防治。

注意事项：

该示意图示出了类似的PCB所使用的假设

所有的MGA- 633P8 ， MGA- 634P8和MGA- 635P8 。

细节所需要的这种产品的成分示于表1中。

增强型技术采用正栅极电压，

从而消除负栅极电压的需要相关联的

与传统的耗尽型器件。

好的RF实践要求所有未使用的引脚接地。

绝对最大额定值

[1]

=25°C

符号

BIAS

IN，最大

DISS

英镑

热阻

单位

DBM

°C

参数

器件的电压，

射频输出端对地

栅极电压

CW RF输入功率

= 5.0V ，我

= 50 mA）的

总功耗

[2]

结温

储存温度

绝对最大

5.5

0.7

+20

0.5

150

-65到150

热阻

[3]

= 5.0V ，我

= 50毫安）

= 75 ° C / W

注意事项：

超过任何1.操作此设备的

这些限制可能会造成永久性的损害。

2.功耗与设备打开。

板温度T

为25℃ 。在降额

13毫瓦/°C，对于T

>112°C.

使用红外线测量3.热电阻

测量技术

电气规格

[1], [4]

射频性能在T

= 25 ° C，V

= 5V ，R

BIAS

= 3.6千欧， 2.5千兆赫，在演示板上，如图1与分量测量

在表1中为2.5GHz的匹配列出。

符号

收益

OIP3

[2]

[3]

OP1dB

IRL

ORL

冯ISOL

参数和测试条件

漏电流

收益

输出三阶截点

噪声系数

在1分贝增益压缩输出功率

输入回波损耗， 50Ω源

输出回波损耗， 50Ω负载

反向隔离

单位

DBM

分钟。

16.5

32.5

典型值。

35.9

0.56

12.5

马克斯。

19.5

0.78

注意事项：

1.测量在2.5 GHz的用图1所示的演示板获得。

2. OIP3测试条件：F

RF1

= 2.5 GHz的，女

RF2

= 2.501 GHz的，每个音调-10dBm的输入功率。

3.对于NF的数据时，输入的电路板损耗尚未解嵌。

4.使用适当的偏置电压，散热器和降额，以确保最大的设备温度不超标。见绝对最大额定值和应用

注意更多的细节。

产品的一致性分布图表

[1, 2]

LSL

国际直拨电话

马克斯： 71

闵： 46

意思是： 56

USL

噪声系数

马克斯： 0.78

意思是： 0.56

USL

0.45

0.5

0.55

0.6

0.65

0.7

0.75

0.8

图1.独立同@为2.5GHz ， 5V ， 56毫安平均= 56

图2.噪声系数@为2.5GHz ， 5V ， 56毫安均值= 0.56

LSL

OIP3

闵： 32.5

意思是： 35.9

LSL

收益

最大： 19.5

闵： 16.5

意思是： 18

USL

15.8

16.4

17.4

18.4

19.4

图3. OIP3 @为2.5GHz ， 5V ， 56毫安平均= 35.9

图4.增益@ 2.5GHz的， 5V ， 56毫安平均= 18

注意事项：

1.分配数据样本是从3个不同的晶片取500个样本。分配给该产品未来的晶片可具有标称值的任何地方

间的上限和下限。

2.电路损耗尚未解嵌与实际测量结果。

演示电路板布局

演示电路板原理图

VDD

C5 （ 4.7uF的）

C3 （ 10pF的）

RBIAS

(3.6kOhm)

（ 49.9欧姆）

（ 0欧姆）

C6 （ 4.7uF的）

C4 （ 10pF的）

L1 （ 6.8nH ）

[1]

L2 （ 6.8nH ）

BIAS

[8]

[7]

[6]

[5]

RFIN

C1 （ 1000pF的）

图5.演示板布局图

- 推荐的PCB材料是10密耳罗杰斯RO4350 。

- 建议的元件值可根据布局和PCB材料而有所不同。

[2]

[3]

[4]

C2 （ 1000pF的）

图6.演示板原理图

表1.元件清单2.5 GHz的匹配

部分

C1, C2

C3, C4

C5, C6

RBIAS

SIZE

0402

0805

0402

价值

1000pF的（村田制作所）

6.8nH （ COILCRAFT ）

6.8nH （桃红）

一个10pF （村田制作所）

4.7uF的（村田制作所）

49.9欧姆（罗门哈斯）

0欧姆（ KAMAYA ）

3.6千欧（ KOA ）

详细型号

GRM155R71H102KA01E

0402CS-6N8XGLU

LLP1005-FH6N8C

GRM1555C1H100JZ01E

GRM21BR60J475KA11L

MCR01 MZS F 49R9

RMC1/16S-JPTH

RK73B1ETTP

注意：

C1 ， C2为隔直电容

L1为NF的输入匹配

L2输出匹配的OIP3

C3，C4， C5，C6是旁路电容

R1的电阻稳定

Rbias两端是偏置电阻

MGA- 635P8典型性能

射频性能在T

= 25 ℃， VDD = 5V ，编号= 55毫安，用50欧姆的输入和输出板测得，除非另有

说。 OIP3测试条件：F

RF1

= 2.5 GHz的，女

RF2

= 2.501 GHz的，每个音调-10dBm的输入功率。

0.6

0.55

0.5

FMIN （ dB）的

0.45

0.4

0.35

0.3

IDD （MA ）

0.32

0.3

IDD （MA ）

FMIN （ dB）的

0.4

0.38

0.36

0.34

图7. FMIN VS独立同在5V为2.5GHz 。

图8. FMIN VS独立同在5V时为2GHz 。

IDD （MA ）

图9.增益VS独立同在5V调整以获得最佳的OIP3和FMIN为2.5GHz 。

收益

（ dB）的

图10.增益VS独立同在5V调整以获得最佳的OIP3和FMIN在2GHz 。

收益

（ dB）的

OIP3(dBm)

IDD （M A）

图11. OIP3 VS独立同在5V调整以获得最佳的OIP3和FMIN为2.5GHz 。

图12. OIP3 VS独立同在5V调整以获得最佳的OIP3和FMIN在2GHz 。