简化的原理图
Vd
I
BIAS
ID = I
ds
+ I
BIAS
R
BIAS
反馈
V
BIAS
4
输入
MATCH
3
BIAS
6
I
ds
1, 2, 5
MGA- 62563绝对最大额定值
[1]
符号
V
d
I
d
P
in
I
REF
P
DISS
T
CH
T
英镑
θ
ch_b
参数
器件电压（引脚6）
[2]
器件电流（引脚6）
[2]
CW RF输入功率（Pin 3 ）
[3]
偏置参考电流（引脚4 ）
总功耗
[4]
通道温度
储存温度
热阻
[5]
单位
V
mA
DBM
mA
mW
°C
°C
° C / W
绝对
最大
6
100
21
12
600
150
150
97
注意事项：
上述中的任一项1.操作此装置的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.偏差假设在DC静态条件。
3.在DC（典型偏置）和RF应用
该设备在电路板温度T
B
= 25°C.
4.总耗散功率是指领导"5"
温度。 TC = 92℃ ，减免PDISS在
10.3mW / ℃， Tc>92 ℃。
使用150 ℃下测定5热阻
液晶测量方法。
+
_
3V
10 nF的
68 pF的
240
47 nH的
4
6.8 nH的
MGA-62563
3
100 pF的
1 2 5
6
100 pF的
图1a。用于NF ，增益0.5 GHz的生产测试板的测试电路和测量OIP3
求。该电路达到最佳的NF ，增益， OIP3和输入回波损耗之间的折衷。
电路损耗已解嵌，从实际测量。
2
供应线材
从VBIAS
安捷伦4142
闭塞
帽
直接到
地
62x
62x
BIAS
BIAS
T恤
VDD电源从
安捷伦4142
RF
输入
直接到
地
RF输出
参考
飞机
图1b。是示出了S和噪声参数在连接到DUT的测
surement用自动调谐器系统。
产品的一致性分布图表3 V， 0.5千兆赫，R
BIAS
= 240
[1, 2]
150
cpk=2.45
stdev=0.06
150
cpk=1.3
stdev=0.36
120
100
80
60
40
标准-3
cpk=1.9
stdev=0.51
120
120
频率
频率
90
3性病
90
标准-3
3性病
60
60
30
30
频率
20
0
29
0
0.6
0.8
1
NF（ dB）的
1.2
1.4
0
19
20
21
22
23
24
30
31
32
OIP3 （ dBm的）
33
34
35
增益（dB ）
图2. NF @ 0.5 GHz的3V 60毫安。
USL = 1.4 ，额定= 0.93 。
图3.增益@ 0.5 GHz的3V 60毫安。
USL = 23.4 ，额定= 20.4 ， USL = 22.0 。
图4. OIP3 @ 0.5 GHz的3V 60毫安。
LSL = 30，额定= 32.9 。
120
100
80
cpk=2.39
stdev=2.09
60
40
20
0
47
标准-3
3性病
52
57
62
ID （MA ）
67
72
77
2800
2600
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
5500
5000
4500
4000
频率
RBIAS （欧姆）
RBIAS （欧姆）
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
ID （MA ）
ID （MA ）
图5.编号@ 3V 。
LSL = 47 ，额定= 77 ， USL = 62.0 。
图6. Rbias两端与ID（ 3V电源） 。
图7. Rbias两端与ID（ 5V电源） 。
注意：
1.测生产测试电路
2.分布数据样本大小是从5个不同的晶片取250个样本。未来晶圆分配
该产品可具有标称值的上限和下限之间的任何地方
3
MGA- 62563电气规格
Rbias=240ohm
T
C
= 25 ° C，Z
O
= 50, V
d
= 3V （除非另有规定）
符号
Id
[1,2]
NF
测试[1,2]
G
测试[1,2]
OIP3
测试[1,2]
OIP3
50[3]
参数和测试条件
器件的电流
噪声系数测试电路
[1]
在测试电路相关的增益
[1]
输出继电器3
rd
在测试电路中阶截取
[1]
输出3
rd
阶截取点在50Ω系统
频率
单位
mA
分钟。
47
典型值。
62
0.93
马克斯。标准偏差
77
1.4
23.4
2.09
0.06
0.36
0.51
F = 0.5 GHz的
F = 0.5 GHz的
F = 0.5 GHz的
F = 0.1 GHz的
F = 0.2 GHz的
F = 0.5 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.5 GHz的
F = 3.0 GHz的
F = 0.1 GHz的
F = 0.2 GHz的
F = 0.5 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.5 GHz的
F = 3.0 GHz的
dB
dB
DBM
DBM
20.4
30
22
32.9
34.7
34.7
34.8
33.5
33
32.3
32
31
18
18
18
17.6
17.6
17.7
17.9
17.7
0.51
P1dB
50[3]
在1分贝增益压缩在50Ω系统输出功率
DBM
注意事项：
在生产测试电路1.保证规格是100％测试，如图1所示，典型的值是根据测量的至少
500份来自三个不连续的晶圆批次该产品的初步鉴定过程中。
2.电路实现最佳的NF ，增益， OIP3和输入回波损耗之间的折衷。
3.参数在50Ω报价是基于上一个50Ω的输入和输出测试夹具测试选定的典型部件的测量。
4
简化的原理图
Vd
I
BIAS
ID = I
ds
+ I
BIAS
R
BIAS
反馈
V
BIAS
4
输入
MATCH
3
BIAS
6
I
ds
1, 2, 5
MGA- 62563绝对最大额定值
[1]
符号
V
d
I
d
P
in
I
REF
P
DISS
T
CH
T
英镑
θ
ch_b
参数
器件电压（引脚6）
[2]
器件电流（引脚6）
[2]
CW RF输入功率（Pin 3 ）
[3]
偏置参考电流（引脚4 ）
总功耗
[4]
通道温度
储存温度
热阻
[5]
单位
V
mA
DBM
mA
mW
°C
°C
° C / W
绝对
最大
6
100
21
12
600
150
150
97
注意事项：
上述中的任一项1.操作此装置的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.偏差假设在DC静态条件。
3.在DC（典型偏置）和RF应用
该设备在电路板温度T
B
= 25°C.
4.总耗散功率是指领导"5"
温度。 TC = 92℃ ，减免PDISS在
10.3mW / ℃， Tc>92 ℃。
使用150 ℃下测定5热阻
液晶测量方法。
+
_
3V
10 nF的
68 pF的
240
47 nH的
4
6.8 nH的
MGA-62563
3
100 pF的
1 2 5
6
100 pF的
图1a。用于NF ，增益0.5 GHz的生产测试板的测试电路和测量OIP3
求。该电路达到最佳的NF ，增益， OIP3和输入回波损耗之间的折衷。
电路损耗已解嵌，从实际测量。
2
供应线材
从VBIAS
安捷伦4142
闭塞
帽
直接到
地
62x
62x
BIAS
BIAS
T恤
VDD电源从
安捷伦4142
RF
输入
直接到
地
RF输出
参考
飞机
图1b。是示出了S和噪声参数在连接到DUT的测
surement用自动调谐器系统。
产品的一致性分布图表3 V， 0.5千兆赫，R
BIAS
= 240
[1, 2]
150
cpk=2.45
stdev=0.06
150
cpk=1.3
stdev=0.36
120
100
80
60
40
标准-3
cpk=1.9
stdev=0.51
120
120
频率
频率
90
3性病
90
标准-3
3性病
60
60
30
30
频率
20
0
29
0
0.6
0.8
1
NF（ dB）的
1.2
1.4
0
19
20
21
22
23
24
30
31
32
OIP3 （ dBm的）
33
34
35
增益（dB ）
图2. NF @ 0.5 GHz的3V 60毫安。
USL = 1.4 ，额定= 0.93 。
图3.增益@ 0.5 GHz的3V 60毫安。
USL = 23.4 ，额定= 20.4 ， USL = 22.0 。
图4. OIP3 @ 0.5 GHz的3V 60毫安。
LSL = 30，额定= 32.9 。
120
100
80
cpk=2.39
stdev=2.09
60
40
20
0
47
标准-3
3性病
52
57
62
ID （MA ）
67
72
77
2800
2600
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
5500
5000
4500
4000
频率
RBIAS （欧姆）
RBIAS （欧姆）
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
ID （MA ）
ID （MA ）
图5.编号@ 3V 。
LSL = 47 ，额定= 77 ， USL = 62.0 。
图6. Rbias两端与ID（ 3V电源） 。
图7. Rbias两端与ID（ 5V电源） 。
注意：
1.测生产测试电路
2.分布数据样本大小是从5个不同的晶片取250个样本。未来晶圆分配
该产品可具有标称值的上限和下限之间的任何地方
3
MGA- 62563电气规格
Rbias=240ohm
T
C
= 25 ° C，Z
O
= 50, V
d
= 3V （除非另有规定）
符号
Id
[1,2]
NF
测试[1,2]
G
测试[1,2]
OIP3
测试[1,2]
OIP3
50[3]
参数和测试条件
器件的电流
噪声系数测试电路
[1]
在测试电路相关的增益
[1]
输出继电器3
rd
在测试电路中阶截取
[1]
输出3
rd
阶截取点在50Ω系统
频率
单位
mA
分钟。
47
典型值。
62
0.93
马克斯。标准偏差
77
1.4
23.4
2.09
0.06
0.36
0.51
F = 0.5 GHz的
F = 0.5 GHz的
F = 0.5 GHz的
F = 0.1 GHz的
F = 0.2 GHz的
F = 0.5 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.5 GHz的
F = 3.0 GHz的
F = 0.1 GHz的
F = 0.2 GHz的
F = 0.5 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 2.5 GHz的
F = 3.0 GHz的
dB
dB
DBM
DBM
20.4
30
22
32.9
34.7
34.7
34.8
33.5
33
32.3
32
31
18
18
18
17.6
17.6
17.7
17.9
17.7
0.51
P1dB
50[3]
在1分贝增益压缩在50Ω系统输出功率
DBM
注意事项：
在生产测试电路1.保证规格是100％测试，如图1所示，典型的值是根据测量的至少
500份来自三个不连续的晶圆批次该产品的初步鉴定过程中。
2.电路实现最佳的NF ，增益， OIP3和输入回波损耗之间的折衷。
3.参数在50Ω报价是基于上一个50Ω的输入和输出测试夹具测试选定的典型部件的测量。
4
QQ：2880707522 复制
