安捷伦的MGA- 545P8
1-7 GHz的中等功率放大器
数据表
描述
安捷伦的MGA- 545P8是
经济的，低电流，介质
电力，易于使用的砷化镓MMIC
放大器，提供出色的
输出功率在5.8千兆赫。虽然
对于5.8GHz的应用进行了优化，
到MGA - 545P8是适合于其它
在1-7 GHz的应用
频率范围。
通过添加一个简单的输入的
比赛中， MGA- 545P8提供
11.5 dB的小信号增益
饱和输出功率为22 dBm的
和9.5 dB的增益饱和时
引脚连接和封装标识
来源
（热/ RF GND）
5.8 GHz的。的MGA- 545P8具有
的额定电流消耗
92毫安在饱和模式
在一个设备135毫安线性模式
增加的3.3 V电源电压
46％饱和效率
模式。
到MGA - 545P8被容纳在
2X2毫米8L LPCC封装。这
包提供了良好的散热
功耗和非常好的高
使得频率特性
它适合于中等功率
到7 GHz的应用。
特定网络阳离子
3.3 V ，92 mA时， 5.825 GHz的饱和
模式
22 dBm的功率饱和跨越
1-7千兆赫
9.5分贝增益
46 ％的PAE
3.3 V 135毫安， 5.825 GHz的线性时
模式
11.5分贝小信号增益
噘= 16 dBm的5.6％ EVM
34 dBm的OIP3为2.7 V
特点
无条件稳定
单+ 3.3V操作
小封装尺寸 -
2.0× 2.0× 0.75毫米
3
点MTTF > 300年
[2]
MSL - 1和无铅和无卤素
带盘式包装选项
可用的
应用
的MGA- 545P8是适合用作
驱动放大器和功率放大器的：
3-4 GHz固定无线接入（ WLL ）
5-6 GHz固定无线接入
（的HiperLAN / UNII ）
5-6 GHz的WLAN的802.11a网卡和AP
在1-7 GHz的其他应用
频带
注意事项：
1.增强模式技术，采用了
单正V
gs
，消除了需要
负栅极电压有关
传统的耗尽型器件。
2.请参阅可靠性数据表详细
MTTF数据。
3.顺应JEDEC参考大纲
MO229为DRP -N 。
简化的原理图
引脚8
7脚（ OUT ）
引脚6
5脚
销1
引脚2 （ IN）
3脚
引脚4
BIAS
FET
产量
＆放大器; V
d
输入
底部视图
销1
IN
3脚
引脚4
引脚8
4Tx
OUT
引脚6
5脚
RF GND
顶视图
注意：
包装标识规定的方向和
识别。
“ 4T ” =器件代码
的“x” =日期代码表示制造月份。
MGA- 545P8绝对最大额定值
[1]
参数
V
d
P
in
θ
jc
Tj
T
英镑
器件的电压，射频输出接地
CW RF输入功率
热阻
[2]
结温
储存温度
单位
V
DBM
° C / W
W
°C
°C
绝对最大
5.0
20
124
0.8
150
-65到150
注意事项：
超过任何1.操作此设备的
这些限制可能会造成永久性
损害。
使用测量2.热阻
150℃液晶测试
技术。
3.委员会（包肚）温度T
b
is
25 ℃。减免8毫瓦/°C，对于T
b
> 51 ℃。
PDISS总功率耗散
[3]
0.01 F
1000 pF的
V
DD
10 pF的
50
RF输入
10 pF的
1
2
3
4
8
4.7 nH的
12 pF的
50
RF输出
开路STUB
（ 34密耳× 72密耳）
4Tx
7
6
5
图1.生产测试电路。
该电路表示匹配最大增益和饱和功率。
0.01 F
12 pF的
1000 pF的
10 pF的
4.7 nH的
接触
10 pF的
图2.特写的生产测试板。罗杰斯4350 ER = 3.48
±
0.05 ，厚度= 10密耳。
2
MGA- 545P8电气规格
T
c
= 25 ° C，V
d
= 3.3V ，除非另有说明
符号
Gtest_sat
参数和测试条件
增益测试电路饱和
对于所有频率参阅注意[3]
除非另有说明
F = 1.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 3.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 5.0 GHz的
F = 5.825 GHz的
[1]
F = 6.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 3.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 5.0 GHz的
F = 5.825 GHz的
[1]
F = 6.0 GHz的
F = 5.825 GHz的
[1]
F = 5.825 GHz的
[1]
F = 5.825 GHz的
[1]
F = 1.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 3.0 GHz的
F = 4.0 GH
F = 5.0 GHz的
F = 5.825 GHz的
[2]
F = 6.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 3.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 5.0 GHz的
F = 5.825 GHz的
[1]
F = 6.0 GHz的
F = 5.725 GHz的
[1]
F = 5.725 GHz的
[2]
F = 1.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 3.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 5.0 GHz的
F = 5.825 GHz的
[2]
F = 6.0 GHz的
单位
dB
分钟。
典型值。
20.0
16.3
13.4
11.6
10.05
9.5
8.7
22.4
18.6
15.9
13.5
12
11.5
11.3
22
92
135
21.5
21.7
21.3
21.8
21.2
21.0
20.6
46.3
46.0
48
44
45
46
47
34
5.6
2.6
2.7
2.9
3.3
3.6
4.4
5.2
–
马克斯。
8.5
dB
10.5
Gtest_ss
增益测试电路的小信号
对于所有频率参阅注意[3]
除非另有说明
10.5
DBM
mA
mA
DBM
21.5
80
95
13.8
–
115
155
PSAT
Ids_sat
IDSS
P1dB
噘嘴在2.5 dB增益压缩
漏电流饱和
漏电流，在小信号
在1 dB压缩点的输出功率
对于所有频率参阅注意[3]
除非另有说明
PAE
功率附加效率PSAT
[4]
对于所有频率参阅注意[3]
除非另有说明
%
40
DBM
%
dB
31
OIP3
EVM
NF
输出三阶截点[ 2.7 V]
误差矢量幅度
POUT = 16 dBm的; 54 Mbps的数据速率
噪声系数
对于所有频率参阅注意[3]
除非另有说明。
3
注意事项：
1.测量就固定调谐的生产测试板（图1） ，将其用于增益和饱和功率优化。多余的电路损耗过
被去嵌入从实际测量。至少基于500份来自3晶圆批次样品大小的典型数据。分配给这个未来的晶片
产品可以具有内上下规格界限的任意位置的标称值。
2.测量拍摄于演示板，在它被调整为最大增益和饱和功率。请参考应用笔记。
3.测定是在50做
微带线，将其调整为最大增益和饱和功率为每个频率与外部双重
短线调谐器。
在PSAT 4.功率附加效率用下面的公式计算：
η
=
噘嘴= PSAT （瓦）
pa
VDD
×
Id
在瓦引脚=输入驱动电源
VDD = 3.3 V
ID = Ids_sat安培
MGA- 545P8的典型表现， TC = 25 ° C，V
d
= 3.3V ，除非另有说明。
24
22
20
SSGAIN （ dB）的
18
16
14
12
10
1
2
3
4
5
6
7
2.7 V
3.0 V
3.3 V
4.0 V
25
23
21
SSGAIN （ dB）的
G- SAT （分贝）
19
17
15
13
11
9
7
1
2
3
4
5
6
7
–40°C
25°C
85°C
22
20
18
16
14
12
10
8
6
1
2
3
4
5
6
7
2.7 V
3.0 V
3.3 V
4.0 V
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图3.小信号增益与频率和
电压
[1,5]
.
图4.小信号增益与频率的关系并
温度
[1,5]
.
图5.饱和增益与频率和
电压
[2,3,5]
.
26
24
26
24
24
23
22
的OP1dB （ dBm的）
P- SAT （ DBM）
P_sat （ dBm的）
22
20
18
16
14
1
2.7 V
3.0 V
3.3 V
4.0 V
2
3
4
5
6
7
22
20
2.7 V
3.0 V
3.3 V
4.0 V
2
3
4
5
6
7
18
21
–40°C
25°C
85°C
1
2
3
4
5
6
7
16
1
20
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图6.饱和功率与频率
电压
[2,3,5]
.
图7.饱和功率与频率
温度
[2,3,5]
.
图8.输出功率为1 dB增益
压缩与频率和电压
[2,5]
.
60
55
50
PAE （％）
45
40
35
30
25
1
2
3
4
5
2.7 V
3.0 V
3.3 V
4.0 V
6
7
NF（ dB）的
6
5
35
34
33
输出IP3 （ dBm的）
4
3
2
1
0
1
2.7 V
3.0 V
3.3 V
4.0 V
2
3
4
5
6
7
32
31
30
29
28
27
26
25
2.3
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.4
5.725 GHz的
频率（GHz ）
频率（GHz ）
电压（V）的
图9.功率附加效率对比
频率和电压
[2,3,5]
.
图10.噪声系数与频率的关系和
电压
[2,5]
.
在5.725 GHz的图11. OIP3与电压
[4,5]
.
4
155
145
150
110
器件电流（mA ）
器件电流（mA ）
140
100
135
125
115
105
95
85
75
0
2
2.7 V
3.0 V
3.3 V
4.0 V
4
6
8
10
12
14
130
I
DSAT
（MA ）
–40°C
25°C
85°C
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.2
90
120
110
80
–40°C
25°C
85°C
70
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.2
100
2.4
P
in
（ dBm的）
电压（V）的
电压（V）的
图12.器件的电流与P
in
和
电压
[4,5]
.
图13.我
d
对电压和温度（无
射频驱动器）。
图14.饱和我
d
与电压，
温度
[3,4]
.
12
10
EVM （64QAM ;％ ）
8
6
4
2
0
-10
2.7 V
3.0 V
3.3 V
4.0 V
10
9
8
EVM （64QAM ;％ ）
7
6
5
4
3
2
1
-5
0
5
10
15
20
0
-20
-15
-10
-5
0
5
10
2.7 V
3.0 V
3.3 V
4.0 V
P
OUT
（ dBm的）
P
in
（ dBm的）
图15. EVM （ 64QAM ）与P
OUT
和电压
在5.725 GHz的
[4]
.
图16. EVM （ 64QAM ）与P
in
和电压
5.725 GHz的
[4]
.
注意事项：
1.测定是在50做
具有输入和输出的微带线调整为使用双短截线调谐器的最大增益。
2.测定是在50做
与输入微带线调整为增益和输出调整为最高P
SAT
采用双调谐器的存根。
3.测量为2.5 dB增益压缩。
4.测量在5.825 GHz的人在被调整为最大饱和输出功率和最大增益固定调谐演示板制成。
5.电路损耗已解嵌，从实际测量。
5
QQ：2880707522 复制
