MGA-43828
925-960 MHz的线性功率放大器模块
数据表
描述
Avago的MGA- 43828是一款完全匹配的高线性度
功率放大器（PA ）设计用于在925-960使用
MHz频段。基于Avago特有的GaAs的0.25um E-
pHEMT技术，该器件具有高线性度，增益
和功率附加效率（ PAE ） ，集成电源
检测器和关机功能。该MGA- 43828是理想
用作最终级的PA为小细胞基站收发信机
台（BTS）的应用程序。
特点
高线性度性能：最高-50dBc ACLR1
[1]
在27
dBm的线性输出功率（偏置5.0V电源）
高增益： 33分贝
良好的英法fi效率
完全匹配
内置检测器
的GaAs E - pHEMT技术
[2]
低成本小尺寸封装（ 5.0× 5.0× 0.9 ）毫米
MSL3
无铅/无卤素/符合RoHS标准
分量图像
（ 5.0× 5.0× 0.9 ） mm的封装外形
特定网络阳离子
A
VAGO
43828
YYWW
XXXX
顶视图
注意事项：
包装标识提供
方向和identi网络阳离子
“ 43828 ” =设备部件编号
“ YYWW ” =年份和工作周
“XXXX” =汇编批号
940MHz ; 5.0V ， Idqtotal = 316毫安（典型值） ， W- CDMA测试
型号＃ 1 ， 64DPCH下行信号
PAE ： 14.7 ％
27 dBm的线性功率输出@ ACLR1 = -50dBc
[1]
33分贝增益
检测范围： 20分贝
引脚配置
24
Vdd3
22
Vdd3
23
Vdd3
26
Vdd2
25
GND
27
GND
28
NC
应用
最后阶段，高线性度放大器微微蜂窝和
企业Femtocell的PA针对小细胞BTS
下行链路应用。
21 GND
20 GND
19 RFOUT
18 RFOUT
17 RFOUT
16 GND
注意：
1， W- CDMA测试模式＃ 1 ， 64DPCH下行信号
2.增强模式技术，采用积极的栅极电压，从而
消除了与相关联的负栅极电压的需要
传统的耗尽型器件。
GND 1
GND 2
NC
NC
NC
3
5
7
RFIN 4
GND 6
功能框图
Vdd2
Vdd3
（ 5.0× 5.0× 0.9 ）毫米
15 GND
VddBias
12
Vc3
10
GND
11
GND
13
VDET
14
Vc2
9
NC
8
RFIN
2
nd
舞台
3
rd
舞台
RFOUT
偏置电路
注意：遵守注意事项
处理静电敏感设备。
VC2 VC3
VddBias
VDET
ESD机型号= 60 V
ESD人体模型= 400 V
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电危害及防治。
绝对最大额定值
[1]
T
A
=25°C
符号
VDD ， VddBias
Vc
P
IN，最大
P
DISS
T
j
T
英镑
热阻
[2,3]
单位
V
V
DBM
W
°C
°C
参数
电源电压，偏置电源电压
控制电压
CW RF输入功率
总功耗
[3]
结温
储存温度
绝对最大值。
6.0
（VDD）的
20
4.9
150
-65到150
q
jc
= 15.9
° C / W
注意事项：
超过任何1.操作此设备的
这些限制可能会造成永久性的损害。
使用基础设施测量2.热阻
红色的测量技术。
3.电路板温度（T
B
）为25
°C
或用于T
B
>72
°C
减免为63MW每个设备电源
°C
上升委员会（包肚）的温度。
电气规格
T
A
= 25
°C,
VDD = VddBias = 5.0V ，VC2 = 3.5V ， VC3 = 2.8V ， Idqtotal = 316毫安，射频性能在940MHz ， W- CDMA测试模式
＃1， 64DPCH下行链路信号的操作，除非另有说明。
符号
VDD
Idqtotal
收益
OP1dB
ACLR1 @噘= 27.0dBm
PAE
|S11|
DETR
2fo
参数和测试条件
电源电压
静态电源电流
收益
在1分贝增益压缩输出功率
W- CDMA测试模式＃ 1 ， 64DPCH下行信号
功率附加效率
输入回波损耗， 50Ω源
RF检波器动态范围
2FO谐波
（ W-CDMA中的试验模型＃1， 64DPCH下行链路信号）的
单位
V
mA
dB
DBM
dBc的
%
dB
dB
dBc的
分钟。
-
-
31
-
-
13
-
-
典型值。
5.0
316
33
36
-50
14.7
13.9
20
-35
马克斯。
-
560
-
-
-
-
-
-
2
产品的一致性分布图表
[1]
LSL
LSL
35
34
33
31
32
36
图1.增益噘= 27dBm的， LSL = 31分贝，标称= 33分贝
13
14
15
16
17
图2.在PAE噘= 27dBm的， LSL = 13 ％ ，名义= 14.7 ％
USL
200
250
300
350
400
450
500
550
600
600
650
700
750
800
850
900
图3. Idqtotal ，标称= 316毫安， USL = 560毫安
图4. Idd_Total在噘= 27dBm的标称= 687毫安
-60 -58
-56
-54
-52
-50
-48
-46
-44
-42
图5. ACLR1在噘= 27dBm的标称= -50.3dBc
注意：
1.分配数据样本量从3个不同的晶圆批次取1500的样品。 TA = 25 * C ， VDD = VddBias = 5.0V ，VC2 = 3.5V ， VC3 = 2.8V ， RF
性能在940MHz ，除非另有说明。分配给该产品未来的晶片可具有标称值的任何位置上的
和下限。
3
MGA- 43828典型超温性能Vc2时= 3.5V ，VC3 = 2.8V （VDD = VddBias = 5V） ，如图
25和Vc2的= 3.6V ，VC3 = 2.5V （VDD = VddBias = 5.5V ），除非另有说明。
40
85°C
35
S21
25°C
30
-40°C
25
20
15
10
5
S22
0
-5
-10
S11
-15
-20
-25
-30
-35
-40
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2
频率/ GHz的
40
35
85°C
S21
30
25°C
25
-40°C
20
15
10
5
S22
0
-5
-10
S11
-15
-20
-25
-30
-35
-40
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2
频率/ GHz的
S21,S11,S22/dB
图6.小信号性能超温VDD = VddBias = 5.0V
工作电压
图7.小信号性能超温VDD = VddBias = 5.5V
工作电压
S21,S11,S22/dB
-35
-40
-45
ACLR1/dBc
ACLR1_85°C
PAE_85°C
ACLR1_25°C
PAE_25°C
ACLR1_-40°C
PAE_-40°C
24
20
16
ACLR1/dBc
-35
-40
-45
PAE / ％
ACLR1_85°C
PAE_85°C
ACLR1_25°C
PAE_25°C
ACLR1_-40°C
PAE_-40°C
24
20
16
12
8
4
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
0
PAE / ％
-50
-55
-60
-65
19
20
21
22
23
24
25
噘嘴/ dBm的
26
27
28
29
12
8
4
30
0
-50
-55
-60
-65
噘嘴/ dBm的
图8.超温ACLR1 ， PAE VS噘@ 927.4MHz
VDD = VddBias = 5.0V工作电压
图9.过温ACLR1 ， PAE VS噘@ 927.4MHz
VDD = VddBias = 5.5V工作电压
4
MGA- 43828典型超温性能Vc2时= 3.5V ，VC3 = 2.8V （VDD = VddBias = 5V） ，如图
25和Vc2的= 3.6V ，VC3 = 2.5V （VDD = VddBias = 5.5V ），除非另有说明。
-35
-40
-45
ACLR1/dBc
ACLR1_85°C
PAE_85°C
ACLR1_25°C
PAE_25°C
ACLR1_-40°C
PAE_-40°C
24
20
16
ACLR1/dBc
-35
-40
-45
PAE / ％
-50
-55
-60
-65
19
20
21
22
23
24
25
噘嘴/ dBm的
26
27
28
29
30
ACLR1_85°C
PAE_85°C
ACLR1_25°C
PAE_25°C
ACLR1_-40°C
PAE_-40°C
24
20
16
12
8
4
0
PAE / ％
PAE / ％
-50
-55
-60
-65
19
20
21
22
23
24
25
噘嘴/ dBm的
26
27
28
29
30
12
8
4
0
图10.超温ACLR1 ， PAE VS噘@ 940MHz
VDD = VddBias = 5.0V工作电压
图11.超温ACLR1 ， PAE VS噘@ 940MHz
VDD = VddBias = 5.5V工作电压
-35
-40
-45
ACLR1/dBc
ACLR1_85°C
PAE_85°C
ACLR1_25°C
PAE_25°C
ACLR1_-40°C
PAE_-40°C
24
20
16
12
8
4
19
20
21
22
23
24
25
噘嘴/ dBm的
26
27
28
29
30
0
ACLR1/dBc
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
19
20
21
22
23
24
25
噘嘴/ dBm的
26
27
28
29
30
ACLR1_85°C
PAE_85°C
ACLR1_25°C
PAE_25°C
ACLR1_-40°C
PAE_-40°C
24
20
16
12
8
4
0
-50
-55
-60
-65
PAE / ％
图12.超温ACLR1 ， PAE VS噘@ 957.6MHz
VDD = VddBias = 5.0V工作电压
图13.超温ACLR1 ， PAE VS噘@ 957.6MHz
VDD = VddBias = 5.5V工作电压
1200
1100
1000
900
总IDD / MA
Idd_Total_85°C
Idd_Total_25°C
Idd_Total_-40°C
800
700
600
500
400
300
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
噘嘴/ dBm的
图14.超温Idd_Total VS噘@ 940MHz
VDD = VddBias = 5.0V工作电压
5
QQ：2881677436 复制
