MGA-43528
高线性度（ 1.93 - 1.995 ） GHz功率放大器模块
数据表
描述
Avago的MGA- 43528是一款完全匹配
功率放大器在使用（ 1.93 - 1.995 ） GHz频段。
高线性输出功率为5V时，通过所获得的
采用Avago Technologies公司专有的0.25um的GaAs恩
hancement模式pHEMT工艺。 MGA- 43528被安置
在一个微型5.0毫米X 5.0毫米模片上的电路板
（ MCOB ）模块封装。检测器还包括
片上。在紧凑的空间加上高增益，
高线性度和高效率使得MGA- 43528
一个理想的选择，因为功率放大器的小细胞BTS PA
应用程序。
特点
高线性度性能：最高-50dBc ACLR1
[1]
在27.2Bm线性输出功率（偏置5V电源）
高增益： 41.9分贝
良好的英法fi效率
完全匹配的输入和输出
内置的RF检测器
的GaAs E - pHEMT技术
[2]
低成本小尺寸封装（ 5.0× 5.0× 0.9 ）毫米
MSL3
无铅/无卤素/符合RoHS标准
应用
最后和驱动级的高线性度放大器
微微蜂窝和毫微微蜂窝企业基站
特定网络阳离子
频率= 1.96GHz ; VDD = 5.0V ， Idqtotal = 400毫安（典型值）
[1]
PAE ： 13.6 ％
27.2dBm线性功率输出@ ACLR1 = -50dBc
41.9分贝增益
检测范围： 20分贝
注意：
1， W- CDMA测试模式＃ 1 ， 64DPCH下行信号。
2.增强模式技术，采用积极的栅极电压，从而
消除了与相关联的负栅极电压的需要
传统的耗尽型器件。
分量图像
5.0× 5.0 ×0.9毫米包装外形
A
VAGO
注意：
包装标识规定的方向
和鉴定
“ 43528 ” =设备部件编号
“ YYWW ” =年份和工作周
“XXXX” =汇编批号
43528
YYWW
XXXX
顶视图
引脚配置
28 VDD1
26 VDD2
24 VDD3
23 VDD3
22 VDD3
27 GND
25 GND
功能框图
Vdd1
Vdd2
Vdd3
GND 1
GND 2
NC 3
RFIN 4
NC 5
GND 6
NC 7
21 GND
20 GND
19 RFOUT
18 RFOUT
17 RFOUT
16 GND
RFIN
1
st
舞台
2
nd
舞台
3
rd
舞台
RFOUT
偏置电路
VC1 Vc2的VC3
VddBias
VDET
（ 5.0× 5.0× 0.9 ）毫米
15 GND
VddBias 12
注意：遵守注意事项
处理静电敏感设备。
ESD机型号= 60 V
ESD人体模型= 430 V
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电，危害及防治。
VC1 8
VC2 9
VC3 10
GND 11
GND 13
VDET 14
绝对最大额定值
[1]
T
A
= 25° C
符号
VDD ， VddBias
Vc
P
IN，最大
P
DISS
T
j
T
英镑
热阻
[2,3]
单位
V
V
DBM
W
C
C
参数
电源电压，偏置电源电压
控制电压
CW RF输入功率
总功耗
[3]
结温
储存温度
绝对最大值。
6
（VDD）的
20
7.2
150
-65到150
jc
= 13 ° C / W
注意事项：
超过任何1.操作此设备的
这些限制可能会造成永久性
损害。
使用基础设施测量2.热阻
红色测量技术在VDD =
5.5 V的工作电压。
3.电路板温度（ TB ）为25 ° C，结核病
> 56.4 °C减免器件功率77毫瓦
每摄氏度上升委员会（包肚）温
perature 。
电气规格
T
A
= 25°C ， VDD = VddBias = 5.0V ， VC1 = 2.4V ，VC2 = 1.6V ， VC3 = 2.2V ， Idqtotal = 400毫安，射频性能的1.96 GHz的，
W-CDMA方式的试验模型＃1， 64DPCH下行链路信号的操作，除非另有说明。
符号
VDD
Idqtotal
收益
OP1dB
ACLR1 @噘= 27.2 dBm的
PAE @噘= 27.2 dBm的
|S11|
DETR
参数和测试条件
电源电压
静态电源电流
收益
在1分贝增益压缩输出功率
W- CDMA测试模式＃ 1 ， 64DPCH下行信号
功率附加效率
输入回波损耗， 50
来源
RF检波器动态范围
单位
V
mA
dB
DBM
dBc的
%
dB
dB
分钟。
典型值。
5.0
400
马克斯。
600
38
41.9
37.2
-50
11.5
13.6
17.3
20
T
A
= 25°C ， VDD = VddBias = 5.5V ， VC1 = 2.4V ，VC2 = 1.6V ， VC3 = 2.2V ， Idqtotal = 490毫安，射频性能的1.96 GHz的，
W-CDMA方式的试验模型＃1， 64DPCH下行链路信号的操作，除非另有说明。
符号
VDD
Idqtotal
收益
OP1dB
ACLR1 @噘= 27.9 dBm的
PAE @噘= 27.9 dBm的
|S11|
DETR
参数和测试条件
电源电压
静态电源电流
收益
在1分贝增益压缩输出功率
W- CDMA测试模式＃ 1 ， 64DPCH下行信号
功率附加效率
输入回波损耗， 50
来源
RF检波器动态范围
单位
V
mA
dB
DBM
dBc的
%
dB
dB
典型值。
5.5
490
41.9
37.6
-50
13.2
17.5
20
2
产品的一致性分布图表
[1]
LSL
LSL
38
39
40
41
42
43
44
45
10
11
12
13
14
15
16
17
图1.增益噘= 27.2dBm ; LSL = 38分贝，标称= 41.9分贝
图2.在PAE噘= 27.2dBm ; LSL = 11.5 ％额定= 13.6 ％
600
650
700
750
800
850
900
-60 -58 -56 -54 -52 -50 -48 -46 -44 -42
图3. Idd_Total在噘= 27.2dBm ，标称= 755毫安
图4. ACLR1在噘= 27.2dBm ，标称= -50.3dBc
注意：
1.分配数据样本量从3个不同的晶圆批次取2600的样品。 TA = 25 * C ， VDD = VddBias = 5.0V ， VC1 = 2.4V ，VC2 = 1.6V ， VC3 = 2.2V ， RF
表现在1.96GHz ，除非另有说明。分配给该产品未来的晶片可具有标称值的任何位置上的
和下限。
3
MGA- 43528典型超温性能VC1 = 2.4V ， Vc2时= 1.6V ，VC3 = 2.2V ，如图30 ，除非
另有说明
40
30
S21,S11,S22/dB
20
10
0
-10
-20
-30
-40
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
频率/ GHz的
2.4
2.6
85 C
25 C
-40 C
S22
S11
S21
40
30
20
S21,S11,S22/dB
10
0
S21
S22
S11
85 C
25 C
-40 C
-10
-20
-30
2.8
3.0
-40
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
频率/ GHz的
2.4
2.6
2.8
3.0
图5.小信号性能超温VDD = VddBias = 5.0V
工作电压
图6.小信号性能超温VDD = VddBias = 5.5V
工作电压
-35
-40
-45
ACLR1/dBc
-50
-55
-60
-65
ACLR1_85
PAE_85
ACLR1_25
PAE_25
ACLR1_ -40℃
PAE_ -40℃
24
20
16
ACLR1/dBc
12
8
4
0
30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
19
ACLR1_85
PAE_85
ACLR1_25
PAE_25
ACLR1_ -40℃
PAE_ -40℃
24
20
16
12
8
4
0
30
19
20
21
22
23
24 25 26
噘嘴/ dBm的
27
28
29
20
21
22
23 24 25
噘嘴/ dBm的
26
27
28
29
图7.过温ACLR1 ， PAE VS噘@ 1.93GHz
VDD = VddBias = 5.0V工作电压
图8.超温ACLR1 ， PAE VS噘@ 1.93GHz
VDD = VddBias = 5.5V工作电压
-35
-40
-45
ACLR1/dBc
-50
-55
-60
-65
ACLR1_85
PAE_85
ACLR1_25
PAE_25
ACLR1_ -40℃
PAE_ -40℃
24
20
16
12
8
4
0
30
ACLR1/dBc
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
ACLR1_85
PAE_85
ACLR1_25
PAE_25
ACLR1_ -40℃
PAE_ -40℃
24
20
16
12
8
4
0
30
19
20
21
22
23
24 25
噘嘴/ dBm的
26
27
28
29
19
20
21
22
23 24 25
噘嘴/ dBm的
26
27
28
29
图9.过温ACLR1 ， PAE VS噘@ 1.96GHz
VDD = VddBias = 5.0V工作电压
图10.超温ACLR1 ， PAE VS噘@ 1.96GHz
VDD = VddBias = 5.5V工作电压
4
MGA- 43528典型的过温性能VC1 = 2.4V ，VC2 = 1.6V ， VC3 = 2.2V ，除非另有说明
-35
-40
-45
ACLR1/dBc
ACLR1_85
PAE_85
ACLR1_25
PAE_25
ACLR1_ -40℃
PAE_ -40℃
24
20
16
ACLR1/dBc
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
19
ACLR1_85
PAE_85
ACLR1_25
PAE_25
ACLR1_ -40℃
PAE_ -40℃
24
20
16
12
8
4
0
30
-50
-55
-60
-65
19
12
8
4
0
30
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
噘嘴/ dBm的
噘嘴/ dBm的
图11.超温ACLR1 ， PAE VS噘@ 1.995GHz
VDD = VddBias = 5.0V工作电压
图12.超温ACLR1 ， PAE VS噘@ 1.995GHz
VDD = VddBias = 5.5V工作电压
1700
1500
1300
总IDD / MA
Idd_total_85
Idd_total_25
Idd_total_ -40℃
1700
1500
1300
总IDD / MA
Idd_total_85
Idd_total_25
Idd_total_ -40℃
1100
900
700
500
300
15
17
19
21
23
25
27
噘嘴/ dBm的
29
31
33
35
1100
900
700
500
300
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
噘嘴/ dBm的
图13.超温Idd_total VS噘@ 1.96GHz
VDD = VddBias = 5.0V工作电压
图14.超温Idd_total VS噘@ 1.96GHz
VDD = VddBias = 5.5V工作电压
4.4
4.0
3.6
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
Vdet_85
Vdet_25
Vdet_ -40℃
12
14
16
18
20
22 24 26
噘嘴/ dBm的
28
30
32
34
4.4
4.0
3.6
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
Vdet_85
Vdet_25
Vdet_ -40℃
VDET
VDET
12
14
16
18
20
22 24
噘嘴/ dBm的
26
28
30
32
34
图15.超温Vdet中VS噘@ 1.96GHz VDD = VddBias = 5.0V
工作电压
图16.超温Vdet中VS噘@ 1.96GHz VDD = VddBias = 5.5V
工作电压
5
QQ：2881677436 复制
