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MGA-31189
0.25W高增益驱动放大器
50 - 2000兆赫
数据表
描述
安华高科技MGA- 31189是0.25W高增益
具有良好的增益平坦度驱动放大器MMIC ,设
在一个标准的SOT- 89塑料封装。该设备的特点
高线性度性能,出色的输入和输出
回波损耗和低噪声系数。该设备可以很容易地
相匹配,以获得最佳的功率和线性度。
MGA- 31189是外部可调到50MHz的范围内运行
到2GHz的频率范围内的应用程序。具有高IP3 ,低
噪声系数和宽带操作, MGA- 31189可以
被用作驱动器放大器的发射链和
作为第二级LNA的接收链。
本装置采用安华高科技专有的0.25um
GaAs增强模式pHEMT工艺。
特点
符合RoHS
无卤
非常高的线性度低直流偏置电源
[1]
高增益
良好的增益平坦度
低噪声系数
优异的均匀度在产品规格
SOT- 89封装标准
特定网络阳离子
在0.9GHz , VDD = 5V ,国际长途= 111毫安(典型值) @ 25°C
OIP3 = 42dBm
噪声系数= 2.0分贝
增益= 21分贝;增益平坦度( +/- 50MHz的) = 0.1分贝
的P1dB = 24 dBm的
IRL = 15.6分贝, ORL = 12.8分贝
注意:
1. MGA- 31189具有14.5分贝的优越轻组有机质。的线性图
优点(轻组有机质)基本上OIP3由直流偏置功率划分。
引脚连接和封装标识
11X
#1
#2
RFIN
GND
顶视图
#3
RFOUT
#3
#2
RFOUT
GND
#1
RFIN
底部视图
VDD
C
C
注意事项:
顶视图:包装标识提供了方向和鉴定
“ 11 ” =器件代码
“X” =日期代码字符识别月份制造业
注意:遵守注意事项
处理静电敏感设备。
ESD机型号为100 V
ESD人体模型= 400 V
请参考Avago的应用笔记A004R :
静电放电,危害及防治。
RFIN
L
RFOUT
C
C
图1.简化示意图
MGA- 31189绝对最大额定值
[1]
T
A
=25°C
符号
I
D, MAX
V
D, MAX
P
d
P
IN,最大
T
, MAX
T
英镑
热阻
绝对最大
150
5.5
825
25
150
-65到150
参数
漏电流
器件电压
功耗
[2]
CW RF输入功率
结温
储存温度
单位
mA
V
mW
DBM
°C
°C
热阻
[3]
(V
d
= 5.0V ,T
c
= 85°C)
θ
jc
= 54.5 ° C / W
注意事项:
超过任何1.操作此设备的
这些限制可能会造成永久性的损害。
2.电路板温度(T
c
)为25℃ ,对于T
c
> 105℃
减免为18.3mW / ° C的温升,电源设备
在相邻的包装板的温度
底部。
利用红外测量3.热电阻
测量技术。
MGA- 31189电气规格
[1]
T
A
= 25 ° C,V
d
= 5V ,除非另有说明
符号
I
ds
NF
参数和测试条件
静态电流
噪声系数
频率
不适用
0.45GHz
0.9GHz
1.5GHz
0.45GHz
0.9GHz
1.5GHz
0.45GHz
0.9GHz
1.5GHz
0.45GHz
0.9GHz
1.5GHz
0.45GHz
0.9GHz
1.5GHz
0.45GHz
0.9GHz
1.5GHz
0.45GHz
0.9GHz
1.5GHz
0.45GHz
0.9GHz
1.5GHz
单位
mA
dB
分钟。
93
典型值。
111
2.7
2.0
1.8
21
21
20
41.5
42
41.3
23.7
24
24.4
42.7
42.5
44.3
22.9
15.6
15.9
10
12.8
16
27.9
27.6
27.5
马克斯。
128
2.6
收益
收益
dB
19
23
OIP3
[2]
输出三阶截点
DBM
39.2
P1dB
在1分贝增益压缩输出功率
DBM
22.3
PAE
在的P1dB功率附加效率
%
IRL
输入回波损耗
dB
ORL
输出回波损耗
dB
ISOL
隔离
dB
注意事项:
从图34中所描述的测试电路1得到的典型性能。
2. OIP3测试条件: F1 - F2 = 10MHz时,每个音在最坏的情况下,边带测量-12dBm的输入功率。
2
MGA- 31189的一致性分布图
(1, 2)
100
110
120
130
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
图2.独立同@ 900MHz的, VDD = 5V , LSL = 93毫安,标称= 111毫安, USL = 128毫安
图3. NF @ 900MHz的, VDD = 5V ,额定= 2分贝, USL = 2.6分贝
18
19
20
21
22
23
24
25
39
40
41
42
43
44
45
图4.增益@ 900MHz的, VDD = 5V , LSL = 19分贝,标称= 21分贝, USL = 23分贝
图5. OIP3 @ 900MHz的, VDD = 5V , LSL = 39.2dBm ,标称= 42dBm
注意事项:
1.数据样本量从4个不同的晶片取3500的样品和
2个不同批次。分配给该产品未来的晶片可以有
标称值的上限和下限之间的任何地方。
2.测量是在生产测试板,它代表了制作
最佳的增益, NF , OIP3和的OP1dB之间的权衡。电路损耗
已解嵌入从实际测量值。
22
23
24
25
26
图6的P1dB @ 900MHz的, VDD = 5V , LSL = 22.3dBm ,标称= 24dBm的
3
MGA- 31189应用电路数据的450MHz
T
A
= 25 ° C,V
d
= 5.0V ,我
d
= 111毫安
52
50
48
OIP3 ( dBm的)
46
44
42
40
38
36
150
250
350
450
550
频率(MHz)
650
750
85°C
25°C
-40°C
P1dB的( DBM)
25.0
24.5
24.0
23.5
23.0
22.5
22.0
21.5
21.0
150
250
350
450
550
频率(MHz)
650
85°C
25°C
-40°C
750
图7. OIP3与频率和温度
图8的P1dB与频率和温度
22
20
18
增益(dB )
16
14
12
10
150
250
350
450
550
频率(MHz)
650
85°C
25°C
-40°C
750
IRL ( dB)的
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
150
250
350
450
550
频率(MHz)
650
85°C
25°C
-40°C
750
图9.增益与频率和温度
图10. IRL与频率和温度
0
-5
-10
ORL ( dB)的
-15
-20
-25
-30
150
250
350
450
550
频率(MHz)
650
750
85°C
25°C
-40°C
隔离度(dB )
-26
-28
-30
-32
-34
-36
-38
150
250
350
450
550
频率(MHz)
650
85°C
25°C
-40°C
750
图11. ORL与频率和温度
图12.隔离与频率和温度
4
MGA- 31189应用电路数据的450MHz
(续)
10
9
8
7
NF( dB)的
6
5
4
3
2
1
150
250
350
450
550
频率(MHz)
650
750
85°C
25°C
-40°C
OIP3 ( dBm的)
46
44
42
40
38
36
34
32
30
28
26
85°C
25°C
-40°C
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0 10.0 12.0 14.0 16.0 18.0 20.0
的Pout ( dBm的)
图13.噪声系数与频率和温度
图14. OIP3与输出功率和温度,在450MHz的
140
120
100
IDD (MA )
80
60
40
20
0
85°C
25°C
-40°C
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
Vdd的(V)的
图15.电流与电压和温度
5
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