【MGA-30689为40MHz - 3000MHz的平坦增益高线性增益模块数据表描述Avago的MG】,IC型号MGA-30689-TR1G,MGA-30689-TR1G PDF资料,MGA-30689-TR1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

MGA-30689

为40MHz - 3000MHz的

平坦增益高线性增益模块

数据表

描述

Avago的MGA- 30689是一个平坦的增益，高

线性度，低噪声，是22dBm增益模块具有良好的OIP3

通过使用Avago Technologies公司propri-的实现

etary的0.25um GaAs增强模式pHEMT工艺。

设备所需的简单的直流偏压分量以

实现高带宽的性能。该温度

TURE补偿的内部偏置电路提供稳定的

当前温度和工艺的阈值电压

变化。

该MGA- 30689坐落标准SOT89内

封装（ 4.5× 4.1 ×1.5毫米）。

特点

平坦的增益14分贝+/- 0.5分贝， 40MHz至2600MHz的

高线性度

内置温度补偿内部偏置电路

不需射频匹配元件

的GaAs E - pHEMT技术

[1]

标准SOT89封装

单一的，固定的5V电源

优异的均匀度在产品规格

MSL - 2和无铅无卤素

高MTTF基站应用

应用

IF放大器， RF驱动放大器

通用增益模块

特定网络阳离子

900MHz的; 5V ， 104毫安（典型值）

- 14.3分贝增益

- 43 dBm的输出IP3

- 3.0分贝噪声系数

- 在1分贝增益压缩22.3 dBm的输出功率

1950MHz ， 5V ， 104毫安（典型值）

- 14.6 dB增益

- 40 dBm的输出IP3

3.3分贝噪声系数

- 在1分贝增益压缩22.5 dBm的输出功率

RFOUT

GND

RFIN

注意：

1.增强模式技术，采用正栅极电压，

从而消除负栅极电压的需要相关联的

与传统的耗尽型器件。

分量图像

6GX

RFIN

GND

顶视图

底部视图

注意事项：

包装标识提供了方向和identi网络阳离子

“ 6G ” =器件代码

“X” =月制造的

注意：遵守注意事项

处理静电敏感设备。

ESD机型号= 75 V

ESD人体模型= 450 V

请参考Avago的应用笔记A004R ：

静电放电，危害及防治。

绝对最大额定值

[2]

=25

°C

符号

DD ， MAX

IN，最大

DISS

， MAX

英镑

参数

器件的电压，射频输出接地

CW RF输入功率

总功耗

[4]

结温

储存温度

单位

DBM

°C

绝对最大值。

5.5

0.75

150

-65到150

热阻

[3]

= 53.5 ° C / W

（ VDD = 5V ， IDS = 100mA时锝= 85°C ）

注意事项：

2.操作此设备超过

任意这些限制可能造成

永久性损坏。

使用测量3.热电阻

红外测量技术。

4.这是由最高VDD和限制

IDS 。减免18.7毫瓦/ ℃， Tc>110 ℃。

产品的一致性分布图表

[5, 6]

LSL

USL

LSL

USL

100

110

120

13.5

14.5

15.5

16.5

图1.入侵检测系统， LSL = 80毫安，标称= 104毫安， USL = 125毫安

图2.增益， LSL = 13.7分贝，标称= 14.6分贝， USL = 16.7分贝

LSL

21.2

21.6

22.4

22.8

23.2

图3. OIP3 ， LSL = 37.5dBm ，标称= 41.5dBm

图4的P1dB ， LSL = 21.2dBm ，标称= 22.5dBm的

USL

注意事项：

5.分布数据样本大小是从3个不同的取500个样

晶圆批次和6个不同的晶圆。分配给这个未来的晶片

产品可以具有间的任何位置上与标称值

下限。

6.测量是在一个表征测试板，做这

代表最佳的OIP3 ，增益和P1dB的之间的权衡。电路

微量损失尚未解嵌从测量

以上。

2.8

3.2

3.4

3.6

3.8

图5. NF ，标称= 3.23分贝， USL = 4分贝

电气规格

[7]

= 25°C ， VDD = 5V

符号

IDS

收益

参数和测试条件

静态电流

收益

频率

不适用

40MHz

900MHz

1950MHz

40MHz

900MHz

1950MHz

40MHz

900MHz

1950MHz

40MHz

900MHz

1950MHz

40MHz

900MHz

1950MHz

40MHz

900MHz

1950MHz

40MHz

900MHz

1950MHz

单位

分钟。

典型值。

104

14.8

14.3

14.6

2.9

3.0

3.3

-13

-12

-15

-18

-15

-12

-20

-22

-25

21.8

22.4

22.5

马克斯。

125

13.7

DBM

37.5

–

16.7

OIP3

[8]

输出三阶截点

–

噪声系数

S11

输入回波损耗， 50Ω源

S22

输出回波损耗， 50Ω负载

S12

反向隔离

OP1dB

在1分贝增益压缩输出功率

DBM

21.2

–

注意事项：

用图30和31 40MHz的数据说明演示板获得7.测量是采取为40MHz - 2GHz的应用测试电路，

900MHz的数据与0.2GHz - 3GHz的应用测试电路和1.95GHz数据的1.5GHz - 2.6GHz的应用测试电路分别。

8. OIP3测试条件：F

RF1

– F

RF2

= 10MHz时，每个音的差边带测量-15dBm的输入功率。

9.使用适当的偏置电压，散热器和降额，以确保最大通道温度不超过。见绝对最大额定值和应用

附注（如适用）了解更多详情。

典型性能（为40MHz - 2GHz的）

TA = + 25 ° C， VDD = 5V ，输入信号= CW 。应用测试电路示于图30和表1中。

120

110

增益（dB ）

IDS （毫安）

100

15.5

14.5

13.5

12.5

-40 -30 -20 -10 0

10 20 30 40 50 60 70 80 90

温度（℃）

0.0

0.2

0.4 0.6

0.8 1.0 1.2 1.4

频率（GHz ）

85°C

25°C

-40°C

1.6 1.8

2.0

图6. IDS在整个温度范围

图7.增益在频率和温度

OIP3 （ dBm的）

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8 1.0 1.2

频率（GHz ）

1.4

1.6

85°C

25°C

-40°C

1.8

2.0

P1dB(dBm)

0.0

0.2

0.4 0.6

0.8 1.0 1.2 1.4

频率（GHz ）

1.6

85°C

25°C

-40°C

1.8

2.0

图8. OIP3在频率和温度

图9. P1dB为在频率和温度

典型性能（为40MHz - 2GHz的）

TA = + 25 ° C， VDD = 5V ，输入信号= CW 。应用测试电路示于图30和表1中。

-5

-10

S11（ dB）的

S22 （ dB）的

85°C

25°C

-40°C

-5

-10

-15

-20

-25

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8 1.0 1.2 1.4

频率（GHz ）

1.6

1.8

2.0

-30

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8 1.0 1.2 1.4

频率（GHz ）

1.6

1.8

2.0

85°C

25°C

-40°C

-15

-20

-25

-30

图10. S11在频率和温度

图11. S22在频率和温度

-18

-19

-20

-21

S12 （ dB）的

NF（ dB）的

-22

-23

-24

-25

-26

-27

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8 1.0 1.2 1.4

频率（GHz ）

1.6

1.8

2.0

85°C

25°C

-40°C

6.0

5.5

5.0

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8 1.0 1.2 1.4

频率（GHz ）

1.6

1.8

2.0

85°C

25°C

-40°C

图12. S12在频率和温度

图13.噪声系数随频率和温度

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