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MGA-16116

双路低噪声放大器的平衡施用450 - 1450兆赫

数据表

描述

Avago的MGA- 16116是一款超低噪声

高线性放大器对带内置有源偏置和

关断特性，在900均衡的应用

MHz频段。关断的功能可通过一个实现

单一的直流电压输入pin.High线性度达到

通过使用Avago Technologies公司专有的GaAs

增强模式pHEMT工艺

[1]

。它坐落在一个

小型4.0× 4.0× 0.85毫米16引脚四方扁平无引线

（ QFN ）。在紧凑的空间再加上超低噪音

和高线性度使得MGA- 16116的理想选择

基站发射器和接收器。

申请> 1450兆赫，建议使用

MGA- 16216 1440至2350年兆赫和MGA- 16316 1950-4000

兆赫。所有的3款产品共享相同的封装和引脚输出

配置。

特点

超低噪声系数

可变偏置和关机功能

高IIP3 ： +19 dBm的典型值。

的GaAs E - pHEMT技术

[1]

小封装尺寸： 4.0× 4.0× 0.85毫米

RoHS和MSL1标准。

典型的表演

900兆赫@ 4.8 V ， 60.9毫安（每个放大器典型值）

增益： 18.4分贝

NF ： 0.27分贝

[2]

IIP3 ： 19.1 dBm的

P1dB为21.2 dBm的

关闭电压VSD系列> 1.6 V

总的关断电流（ Vsd1 ， Vsd2 = 3 V ）： 1.84毫安

分量图像

4.0× 4.0× 0.85毫米

16引脚QFN

安华高

16116

YYWW

XXXX

注意：

包装标识规定的方向和

鉴定

“ 16116 ” =器件代码

“ YYWW ” =日期代码标识一年

制造业每周工作时间

“XXXX” =最后4位数字的组装不少

数

应用

基站接收器和发射器的平衡

配置。

超低噪声射频放大器。

注意事项：

1.增强模式技术，采用积极的Vgs ，从而

消除了与相关联的负栅极电压的需要

传统的耗尽型器件。

2.测得打包部分RFIN引脚，其他损失deembedded 。

3.良好的RF实践要求所有未使用的引脚接地。

引脚配置

PIN码16

引脚15

引脚14

引脚13

引脚使用

1 RFIN1

2 GND

3 GND

4 RFIN2

6 Vsd2

7 Bias_in2

引脚使用

10 GND

11 GND

12 RFOUT1

13未使用

15 Vsd1

16 Bias_out1

– –

销1

销2

3脚

引脚4

5脚

引脚6

7针

引脚8

PIN码17

引脚12

引脚11

引脚10

9针

5 Bias_out2 14 Bias_in1

8未使用17 GND

9 RFOUT2

注意：遵守注意事项

处理静电敏感设备。

ESD机型号= 60 V

ESD人体模型= 300 V

请参考Avago的应用笔记A004R ：

静电放电，危害及防治。

从山顶

绝对最大额定值

[1]

= 25° C

符号

国际直拨电话

VSD

英镑

热阻

[3]

单位

DBM

°C

参数

漏极电压， RF输出到地

漏电流

关断电压

CW RF输入功率与低噪声放大器在

CW RF输入功率与低噪声放大器关闭

功耗

结温

储存温度

绝对最大

5.5

100

5.5

550

150

-65到150

（ VD = 4.8 V ，国际长途= 53毫安，T

=100° C)

= 58.6 ° C / W

注意事项：

1.操作此设备是超出任何

这些限制可能会造成永久性

损害。

2.源铅温度为25°C降额

17毫瓦/ ℃，锝> 118 ° C。

用150 ℃测量3.热电阻

红外显微技术。

电气规格

= 25°C ， VDD1 = VDD2 = 4.8 V ， Vsd1 = Vsd2 = 0 V时Rbias两端= 1.5千欧，射频性能在900MHz ， CW操作，除非

另有说明。

符号

VDD

国际直拨电话

收益

[1]

OP1dB

IIP3

[2]

S11

S22

S12

S31

Vsd1,2

[3]

Vsd1,2

[3]

IDQ

[4]

ISD

[4]

IBIAS

[4]

参数和测试条件

电源电压

每个放大器的总电源电流（ IDQ +的Ibias ）

收益

噪声系数

在1分贝增益压缩输出功率

输入三阶截点

输入回波损耗， 50

来源

输出回波损耗， 50

负载

反向隔离

RFin1和RFin2之间的隔离

所需的最大关断电压开启LNA

所需的最小关断电压关闭LNA

电流电压Vdd与VSD = 0 V

电流电压Vdd与VSD = 3 V

目前在VSD与VSD = 0 V

目前在VSD与VSD = 3 V

目前在V偏压与VSD = 0 V

目前在V偏压与VSD = 3 V

单位

DBM

分钟。

17.2

典型值。

4.8

60.9

18.4

0.27

21.2

马克斯。

19.4

0.45

19.1

-10.9

-17.5

-22.4

-36.8

0.5

1.6

58.6

0.01

220

2.3

1.61

注意事项：

1.噪声系数在DUT RF输入端子，电路板损耗deembedded 。

2. IIP3测试条件： FRF1 - FRF2 = 1 MHz的每个音-20 dBm的输入功率。

3. Vsd1和Vsd2为低电平有效。

4.参见图6的更多细节。

产品的一致性分布图表

LSL

USL

0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6

图1.国际直拨电话， LSL = 48毫安，标称= 60.9毫安， USL = 72毫安

图2. NF ，标称= 0.27 dB时， USL = 0.45分贝

LSL

USL

16.9

17.2

17.5

17.8 18 18.2

18.5

18.8 19 19.2

19.5

图3. IIP3 ， LSL = 17 dBm时，标称= 19.1 dBm的

图4.增益， LSL = 17.2分贝，标称= 18.4分贝， USL = 19.4分贝

注意事项：

1.分配数据的样本量为12个不同的晶圆批次取6500的样品。分配给该产品未来的晶片可具有标称值

间的上限和下限的任何地方。

2.电路迹损失的NF已经被解嵌从测量的上方。

演示电路板布局

Vsd2

Vdd1

Vsd1

Vdd2

2011年4月

R10

C24

C25

C19

C22

演示电路板原理图

C20

C23

RFIN

C16

RFOUT

C12

C13

C21

C26

MGA-16X16

演示板

(4-Port)

REV 1

RO4350

DK 3.48

10MIL

W 0.58毫米

摹0.45毫米

图6.演示板原理图

图5.演示板布局图

注意事项：

1.推荐的PCB材料为10密耳罗杰斯RO4350 。

2.建议的元件值可根据布局和PCB材料而有所不同。

3.输入板的损耗在900 MHz的是0.056分贝

4.示意性示出与类似印刷电路板被用于所有的MGA - 16116 ， MGA- 16216和MGA- 16316的假设。

5.详细需要该产品的组分示于表1中。

6. R1和R6是对于低频率稳定性。

7.偏置到各个低噪声放大器可调使用R 3和R 8 （参见图6）。增加R3和R8将减少偏置电流（ IDD），反之亦然。

8. R9 / R10的是，可以不需要在实际应用中的稳定性提高电阻。它们被包括在演示板，以提供隔离

从电源噪声。

9.中心焊盘接地。

表1.组件列表900 MHz的匹配

部分

C1, C12

C2, C13, C8, C22

C3, C9, C16, C19

C6, C20, C23, C34

C7, C21

C25, C26

L1, L2

L3, L4

R1, R6

R3, R8

R4, R7

R9, R10

SIZE

0402

0805

0402

价值

20 pF的

0.1

100 pF的

4.7

12 pF的

未使用

68 nH的

120 nH的

51欧姆

1.5千欧

0欧姆

10欧姆

详细型号

GJM1555C1H200GB01

GRM155R71C104KA88D

GRM1555C1H101JD01E

GRM21BR60J475KA11L

GJM1555C1H120GB01

–

LQW15AN68NG00

LQW15ANR12J00

RK73B1ETTP510J

RK73B1ELTP152J

RK73B1ETTP0R0J

RK73B1ETTP100J

表2.下面是表显示调整为最大的OIP3 ， VDD = 4.8 V的MGA- 16116反射系数参数，

每个放大器的IDD = 35 mA的电流。输入伽玛调整为FMIN 。反射系数是对于单个放大器。

伽玛加载位置

频率（MHz）

450

700

835

950

1450

大小

0.51

0.643

0.386

0.514

角

44.1

34.9

46.5

40.0

86.4

IIP3 （ dBm的）

17.38

22.09

25.18

23.20

25.77

增益（dB ）

20.02

16.8

15.1

16.62

14.39

表3.下面是表显示调整为最大的OIP3 ， VDD = 4.8 V的MGA- 16116反射系数参数，

每个放大器的IDD = 60 mA的电流。输入伽玛调整为FMIN 。反射系数是对于单个放大器。

伽玛加载位置

频率（MHz）

450

700

835

950

1450

大小

0.514

0.39

0.515

0.386

0.643

角

43.2

40.5

57.6

20.0

92.9

IIP3 （ dBm的）

21.32

23.15

26.90

26.71

29.83

增益（dB ）

20.34

18.6

16.1

16.31

13.98

表4.下面是表显示调整为最大的OIP3 ， VDD = 4.8 V的MGA- 16116反射系数参数，

每个放大器的IDD = 75 mA的电流。输入伽玛调整为FMIN 。反射系数是对于单个放大器。

伽玛加载位置

频率（MHz）

450

700

835

950

1450

大小

0.128

0.257

0.128

0.257

角

59.8

30.1

149.9

180

29.9

IIP3 （ dBm的）

21.07

24.33

23.80

24.74

28.73

增益（dB ）

22.75

19.16

18.46

17.98

15.03

注意事项：

1. IIP3测试条件： FRF1 - FRF2 = 1 MHz的每个音-20 dBm的输入功率。

2.独立同可通过改变VG1 / VG2获得。请参考图7 。

注意事项：

1.最大的OIP3测量共面波导就0.010

英寸厚ROGER 4350 。

图7. RFinput和RFoutput参考面