MGA-13116
高增益，高线性度，非常低噪声放大器
数据表
描述
Avago的MGA- 13116是一个两阶段的，易于
使用的GaAs MMIC低噪声放大器（ LNA ） 。 LNA具有
具有良好的输入回波损耗和高线性度低噪声
通过使用Avago Technologies公司propri-的实现
etary 0.25
Pm
GaAs增强模式pHEMT工艺。
所需的输入，输出和最小匹配
级间两LNA之间。
它是专为400 MHz之间的最佳利用，以1.5
千兆赫。为了获得最佳性能，在从更高频率
1.5到2.5GHz的MGA- 13216建议。两
MGA- 13116 & MGA- 13216采用相同的封装和
引脚排列配置。
特点
x
运行在400MHz频率优化 - 1.5 GHz的
x
非常低的噪声音响gure
x
高增益
x
高线性度性能
x
优良的隔离
x
的GaAs E - pHEMT技术
[1]
x
低成本的小型封装尺寸： 4.0× 4.0× 0.85毫米
3
特定网络阳离子
900兆赫; Q1 ： 5 V 55 mA（一般） Q2 ： 5 V 112 mA（一般）
x
x
x
x
x
0.51分贝噪声系数
38分贝增益
52分贝RFoutQ1到RFinQ2隔离
41.4 dBm的输出IP3
在1分贝增益压缩23.3 dBm的输出功率
引脚配置和封装标识
4.0× 4.0× 0.85毫米
3
16引脚QFN
13
14
15
16
安华高
13116
YYWW
XXXX
12
11
10
9
8
7
6
5
GND
1
2
3
4
针
2
针
3
引脚10
引脚11
引脚13
PIN码16
VBIAS
RFinQ1
RFoutQ2
RFoutQ2
RFinQ2
RFoutQ1
应用
x
低噪声放大器，用于蜂窝基础设施，包括
GSM，CDMA和W-CDMA 。
x
其他非常低噪声的应用。
所有其它照片
NC
–
没有连接
顶视图
底部视图
简化的原理图
Vdd1
C9
R3
C8
C10
R4
R2
C7
L3
C6
16
1
15
注意：
包装标识提供了方向和identi网络阳离子
“ 13116 ” =设备型号
“ YYWW ” =工作周和制造年份
“XXXX” =批号
Vdd2
C5
C4
R1
14 13
12
11
Q2
10
9
8
注意：遵守注意事项
处理静电敏感设备。
ESD机型号= 90 V
ESD人体模型= 300 V
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电，危害及防治。
C3
L1
RFIN C1
2 Q1bias
3
4
5
6
7
Q1
L2
C2
RFOUT
注：增强模式技术，采用正栅极偏置，
从而消除了与相关联的负栅极电压的需要
传统的耗尽型器件。
MGA- 13116绝对最大额定值
[1]
TA = 25°C
符号
Vdd1
Vdd2
Idd1
P
d
P
IN，最大
T
， MAX
T
英镑
热阻
[3]
单位
V
V
mA
W
DBM
°C
°C
参数
器件电压
器件电压
Q1漏极电流
功耗
(2)
CW RF输入功率
结温
储存温度
绝对最大
5.5
5.5
90
1.02
20
150
-65到150
(V
dd1
= 5.0V ，我
dd1
= 55毫安，V
dd2
=5.0V,
I
dd2
=112mA)
T
jc
= 41.9 ° C / W
注意事项：
超过任何1.操作此设备的
这些限制可能会造成永久性的损害。
2.电路板温度（T
c
）为25° C。适用于T
c
>100 ℃，
减免设备电源，每23.9毫瓦
℃，升高电路板温度毗邻
包底。
利用红外测量3.热电阻
测量技术。
电气规格
[1]
RF性能VDD1 = 5V ，V
dd2
= 5 V ， 900兆赫，T
A
= 25 ° C，演示板上测得。
符号
Idd1
Idd2
NF
收益
OIP3
[2]
OP1dB
IRL
ORL
|S12|
| ISOL
1-2
|
参数和测试条件
目前在Q1
目前在Q2
噪声系数
收益
输出三阶截点
1 dB增益压缩输出功率
输入回波损耗， 50
:
来源
输出回波损耗， 50
:
负载
反向隔离
Q1的输出引脚& Q2的输入引脚之间的隔离
单位
mA
mA
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
分钟。
42
92
–
36.5
37.5
22
–
–
–
–
典型值。
55
112
0.51
38
41.4
23.3
-19
-12
48
52
马克斯。
69
131
0.85
39.5
–
–
–
–
–
–
注意事项：
采用图7表描述组件列表演示板1.输入和输出跟踪丢失不脱嵌获得1测量
从测量。
2. OIP3测试条件：F
tone1
= 900兆赫，女
tone2
= 901 MHz的每个音-29 dBm的输入功率。
3.使用合适的偏置，散热器和降额，以确保最大通道温度不超标。见绝对最大额定值和应用
注意更多的细节。
2
产品的一致性分布图表
[1,2]
LSL
USL
LSL
USL
45
50
55
60
65
100
110
120
130
图1. IDD1 @ 900兆赫， VDD1 = 5 V ， LSL = 42毫安，标称为55毫安，
USL = 69毫安
图2. IDD2 @ 900兆赫， VDD2 = 5 V ， LSL = 92毫安，标称= 112毫安，
USL = 131毫安
USL
LSL
USL
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
37
38
39
图3.噪声系数@ 900兆赫， VDD1 = 5 V ， VDD2 = 5 V ，额定= 0.51分贝，
USL = 0.85分贝
图4.增益@ 900兆赫， VDD1 = 5 V ， VDD2 = 5 V ， LSL = 36.5分贝，
额定= 38 dB时， USL = 39.5分贝
LSL
LSL
38
39
40
41
42
43
22
22.5
23
23.5
图5. OIP3 @ 900兆赫， VDD1 = 5 V ， VDD2 = 5 V ， LSL = 37.5 dBm时，
额定= 41.4 dBm的
图6的OP1dB @ 900兆赫， VDD1 = 5 V ， VDD2 = 5 V ， LSL = 22 dBm时，
额定= 23.3 dBm的
注意事项：
1.数据样本大小是从3个不同的晶片取10026样本。分配给该产品未来的晶片可具有标称值的任何地方
间的上限和下限。
2.测量是在生产测试板，它代表了最佳的增益，NF和OIP3之间的OP1dB权衡作出。电路损耗有
被去嵌入从实际测量值。
3
演示电路板布局
VDD1
VDD2
GND
VBIAS
GND
演示电路板原理图
Vdd1
R5
C10 C12
R2
Vdd2
GND
R4b
R4a
C9b
C9a
R3
C8
C11
C1 L1
L4
C9
R3
C8
C10
R4
R2
C7
L3
C6
16
1
15
IN
C5b
C7 L3
C5a
C4
C6 R1
C3
OUT
L2
C2
L5
C13
C5
C4
R1
14 13
12
11
Q2
10
9
8
C3
2011年1月
安华高
技术
L1
RFIN C1
2 Q1bias
3
4
5
6
7
Q1
L2
C2
RFOUT
红树林
图7.演示板布局图。
图8.演示板的原理图。
- 推荐的PCB材料是10密耳罗杰斯R04350 。
- 建议的元件值可根据布局和PCB材料而有所不同。
表1.组件列表900MHz的匹配
部分
C1, C6
C2
C3
C4
C5a
C7
C9A ， C9B
C8, C10
L1
L2
L3
R3, R1
R2
R4b
SIZE
0402
0402
0402
0402
0603
0402
不适用
0402
0402
0402
0402
0402
0402
0402
价值
100pF电容（村田制作所）
为12pF （村田制作所）
一个10pF （村田制作所）
0.1uF的（村田制作所）
2.2uF的（村田制作所）
33pF的（村田制作所）
未使用
4.7uF的（村田制作所）
18nH （桃红）
39nH （桃红）
39nH （桃红）
0欧姆（兴亚）
10欧姆（罗门哈斯）
6.8K欧姆（兴亚）
详细型号
GRM1555C1H101JD01E
MCH155A120JK
GRM1555C1H100JZ01E
GRM155R61A104KA01D
GRM188R61A225KE34D
GRM1555C1H330JZ01E
未使用
GRM155R60E475ME760
LL1005-FHL18NJ
LL1005-FHL39NJ
LL1005-FHL39NJ
RK73Z1ELTP
MCR01J100
RM73B1E682J
笔记
隔直流电容器
隔直流电容器
旁路电容
旁路电容
旁路电容
旁路电容
旁路电容
旁路电容
输入匹配NF
输出匹配Q2
输出匹配Q1
桥接电阻器
稳定电阻Q1
偏置电阻为Q1
4
MGA- 13116在演示板为900 MHz的典型性能
T
A
= 25 ° C，V
dd1
= 5.0 V, V
dd2
= 5.0 V，I
dd1
= 55 mA时，我
dd2
= 112毫安
1.2
1.0
0.8
增益（dB ）
NF
（ dB）的
0.6
0.4
30
0.2
0.0
300
500
700
900
1100
频率（MHz）
1300
1500
25
300
500
700
900
1100
频率（MHz）
1300
1500
35
85° C
25° C
-40°
C
45
85° C
25° C
-40°
C
40
图9. NF与频率和温度
图10.增益与频率和温度
50
45
40
35
30
25
300
85° C
25° C
-40°
C
500
700
900
1100
频率（MHz）
1300
1500
OP1dB
（ dBm的）
OIP3
（ dBm的）
28
26
24
22
20
18
16
300
500
700
900
1100
频率（MHz）
85° C
25° C
-40°
C
1300
1500
图11. OIP3与频率和温度
图12的OP1dB与频率和温度
60
IRL ，
ORL ，
GAIN ，
转
ISOL （分贝）
40
20
0
-20
-40
-60
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
S11
S22
S21
S12
5
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
85° C
25° C
-40°
C
的K - 系数
0
2
4
6
8
10 12
频率（GHz ）
14
16
18
20
图13.输入回波损耗，输出回波损耗，增益， &反向隔离
与频率
图14. K系数随频率和温度
5
QQ：2880707522 复制
