【MG300Q2YS65H东芝IGBT模块的硅N沟道IGBTMG300Q2YS65H大功率&高】,IC型号MG300Q2YS65H,MG300Q2YS65H PDF资料,MG300Q2YS65H经销商,ic,电子元器件-51电子网

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MG300Q2YS65H

东芝IGBT模块的硅N沟道IGBT

MG300Q2YS65H

大功率&高速开关

应用

·

·

·

高输入阻抗

增强型

所述电极从壳体分离。

单位：mm

等效电路

E1

E2

C1

E2

G1 E1 / C2

G2

JEDEC

JEITA

东芝

―

―

2-109C4A

最大额定值

（大

=

25°C)

特征

集电极 - 发射极电压

栅极 - 发射极电压

集电极电流

DC

1毫秒

DC

1毫秒

符号

V

CES

V

GES

I

C

I

CP

I

F

I

FM

P

C

T

j

T

英镑

V

ISOL

终奌站

MOUNTING

重量：430克（典型值）。

等级

1200

±20

300

600

300

600

2700

150

-40

到125

2500

（AC 1分钟）

3

3

单位

V

V

A

正向电流

集电极耗散功率

（ TC

=

25°C)

结温

存储温度范围

隔离电压

螺杆转矩

A

W

°C

°C

V

N·m的

1

2003-03-11

MG300Q2YS65H

电气特性

（大

=

25°C)

特征

栅极漏电流

集电极截止电流

栅极 - 发射极截止电压

集电极 - 发射极饱和电压

输入电容

导通延迟时间

上升时间

开关时间

开启时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

打开-O FF时间

正向电压

反向恢复时间

热阻

开启

开关损耗

打开-O FF

符号

I

GES

I

CES

V

GE （ OFF ）

V

CE （SAT）

C

IES

t

D（上）

t

r

t

on

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

V

F

t

rr

R

日（J -C ）

E

on

E

关闭

I

F

=

300 A，V

GE

=

0

I

F

=

300 A，V

GE

= -10

V,

的di / dt

=

1000 A / MS

晶体管级

二极管阶段

感性负载

V

CC

=

600 V，I

C

=

300 A

V

GE

= ±15

V ，R

G

=

2.7

W

Tc

=

125°C

感性负载

V

CC

=

600 V，I

C

=

300 A

V

GE

= ±15

V ，R

G

=

2.7

W

测试条件

V

GE

= ±20

V, V

CE

=

0

V

CE

=

1200 V, V

GE

=

0

V

CE

=

5 V，I

C

=

300毫安

I

C

=

300 A,

V

GE

=

15 V

Tc

=

25°C

Tc

=

125°C

民

4.0

典型值。

3.0

3.6

25600

0.08

0.09

0.17

0.55

0.05

0.60

2.4

0.15

30

26

最大

±500

2.0

7.0

4.0

0.15

3.0

0.045

0.1

mJ

V

ms

° C / W

ms

单位

nA

mA

V

V

pF

V

CE

=

10 V, V

GE

=

0, f

=

1兆赫

注意：开关时间测量电路和输入/输出波形

R

G

-V

GE

I

C

R

G

I

F

V

GE

0

90%

10%

t

rr

L

V

CC

I

C

V

CE

0

10%

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

10%

t

D（上）

t

on

t

r

90%

90%

2

2003-03-11

MG300Q2YS65H

I

C

– V

CE

600

20 V

18 V

12 V

15 V

600

I

C

– V

CE

20 V

12 V

18 V

10 V

15 V

(A)

450

(A)

集电极电流

I

C

10 V

450

集电极电流

I

C

300

PC

=

2700 W

300

VGE

=

8 V

150

150

VGE

=

8 V

共发射极

Tc

=

25°C

2

4

6

8

10

0

0

0

0

共发射极

Tc

=

125°C

2

4

6

8

10

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

V

CE

– V

GE

16

共发射极

Tc

=

25°C

16

V

CE

– V

GE

共发射极

Tc

=

125°C

(V)

V

CE

12

V

CE

集电极 - 发射极电压

(V)

12

集电极 - 发射极电压

8

8

IC

=

600 A

4

300 A

IC

=

600 A

4

300 A

150 A

0

0

4

8

12

16

20

150 A

0

0

4

8

12

16

20

栅极 - 发射极电压V

GE

(V)

栅极 - 发射极电压V

GE

(V)

I

C

– V

GE

600

共发射极

VCE

=

5 V

600

共阴极

VGE

=

0

I

F

– V

F

500

(A)

450

(A)

Tc

=

125°C

I

C

集电极电流

300

正向电流I

F

400

300

Tc

=

125°C

200

25°C

25°C

150

-40°C

100

0

0

4

8

12

16

0

0

1

2

3

4

栅极 - 发射极电压V

GE

(V)

正向电压

V

F

(V)

3

2003-03-11

MG300Q2YS65H

开关时间 - 我

C

1

共发射极

VCC

=

600 V

VGE

= ±15

V

Rg

=

2.7

W

1

开关时间 - 我

C

吨

花花公子

TD （关闭）

（女士）

开关时间

0.1

TD （上）

开关时间

（女士）

0.1

tr

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

100

1000

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

100

tf

0.01

10

0.01

10

共发射极

VCC

=

600 V

VGE

= ±15

V

RG

=

2.7

W

1000

集电极电流

I

C

(A)

集电极电流

I

C

(A)

开关时间 - R的

G

1

吨

10

开关时间 - R的

G

（女士）

（女士）

花花公子

1

TD （关闭）

开关时间

0.1

tr

TD （上）

开关时间

0.1

tf

共发射极

VCC

=

600 V

IC

=

300 A

VGE

= ±15

V

10

100

0.01

1

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

10

共发射极

VCC

=

600 V

IC

=

300 A

VGE

= ±15

V

100

：TC

=

25°C

0.01

1

：TC

=

125°C

门阻抗R

G

(9)

门阻抗R

G

(9)

开关损耗 - 我

C

100

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

100

开关损耗 - R的

G

宙

EOFF

（兆焦耳）

宙

EOFF

10

Edsw

共发射极

VCC

=

600 V

VGE

= ±15

V

RG

=

2.7

W

100

1000

开关损耗

开关损耗

（兆焦耳）

10

Edsw

1

10

1

1

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

10

共发射极

VCC

=

600 V

IC

=

300 A

VGE

= ±15

V

100

集电极电流

I

C

(A)

门阻抗R

G

(9)

4

2003-03-11

MG300Q2YS65H

V

CE

, V

GE

– Q

G

1600

共发射极

RL

=

2

W

Tc

=

25°C

1200

VCE

=

0 V

800

600 V

400 V

200 V

400

4

8

12

16

100000

- V

CE

(V)

V

CE

(V)

资本投资者入境计划

栅极 - 发射极电压V

GE

（PF ）

10000

卓越中心

集电极 - 发射极电压

电容C

CRES

1000

共发射极

VGE

=

0

f

=

1兆赫

Tc

=

25°C

100

0.01

0

0

600

1200

1800

2400

0

3000

0.1

1

10

100

电荷Q

G

（ NC ）

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

短路SOA

6

1000

反向偏置SOA

（X额定电流）

5

(A)

集电极电流

I

C

4

3

2

VCC

＆ LT ;

900 V

=

1

Tj

＆ LT ;

125°C

=

tw

=

5

ms

0

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

100

10

集电极电流

1

Tj

＆ LT ;

125°C

=

VGE

= ±15

V

RG

=

2.7

W

0.1

0

500

1000

1500

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

R

日（T ）

– t

w

1

瞬态热阻

R

日（T ）

（ ° C / W）

二极管阶段

0.1

晶体管级

0.01

Tc

=

25°C

0.001

0.001

0.01

0.1

1

10

脉冲宽度

t

w

(s)

5

2003-03-11

MG300Q2YS65H

东芝IGBT模块的硅N沟道IGBT

MG300Q2YS65H

大功率&高速开关

应用

·

·

·

高输入阻抗

增强型

所述电极从壳体分离。

单位：mm

等效电路

E1

E2

C1

E2

G1 E1 / C2

G2

JEDEC

JEITA

东芝

―

―

2-109C4A

最大额定值

（大

=

25°C)

特征

集电极 - 发射极电压

栅极 - 发射极电压

集电极电流

DC

1毫秒

DC

1毫秒

符号

V

CES

V

GES

I

C

I

CP

I

F

I

FM

P

C

T

j

T

英镑

V

ISOL

终奌站

MOUNTING

重量：430克（典型值）。

等级

1200

±20

300

600

300

600

2700

150

-40

到125

2500

（AC 1分钟）

3

3

单位

V

V

A

正向电流

集电极耗散功率

（ TC

=

25°C)

结温

存储温度范围

隔离电压

螺杆转矩

A

W

°C

°C

V

N·m的

1

2003-03-11

MG300Q2YS65H

电气特性

（大

=

25°C)

特征

栅极漏电流

集电极截止电流

栅极 - 发射极截止电压

集电极 - 发射极饱和电压

输入电容

导通延迟时间

上升时间

开关时间

开启时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

打开-O FF时间

正向电压

反向恢复时间

热阻

开启

开关损耗

打开-O FF

符号

I

GES

I

CES

V

GE （ OFF ）

V

CE （SAT）

C

IES

t

D（上）

t

r

t

on

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

V

F

t

rr

R

日（J -C ）

E

on

E

关闭

I

F

=

300 A，V

GE

=

0

I

F

=

300 A，V

GE

= -10

V,

的di / dt

=

1000 A / MS

晶体管级

二极管阶段

感性负载

V

CC

=

600 V，I

C

=

300 A

V

GE

= ±15

V ，R

G

=

2.7

W

Tc

=

125°C

感性负载

V

CC

=

600 V，I

C

=

300 A

V

GE

= ±15

V ，R

G

=

2.7

W

测试条件

V

GE

= ±20

V, V

CE

=

0

V

CE

=

1200 V, V

GE

=

0

V

CE

=

5 V，I

C

=

300毫安

I

C

=

300 A,

V

GE

=

15 V

Tc

=

25°C

Tc

=

125°C

民

4.0

典型值。

3.0

3.6

25600

0.08

0.09

0.17

0.55

0.05

0.60

2.4

0.15

30

26

最大

±500

2.0

7.0

4.0

0.15

3.0

0.045

0.1

mJ

V

ms

° C / W

ms

单位

nA

mA

V

V

pF

V

CE

=

10 V, V

GE

=

0, f

=

1兆赫

注意：开关时间测量电路和输入/输出波形

R

G

-V

GE

I

C

R

G

I

F

V

GE

0

90%

10%

t

rr

L

V

CC

I

C

V

CE

0

10%

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

10%

t

D（上）

t

on

t

r

90%

90%

2

2003-03-11

MG300Q2YS65H

I

C

– V

CE

600

20 V

18 V

12 V

15 V

600

I

C

– V

CE

20 V

12 V

18 V

10 V

15 V

(A)

450

(A)

集电极电流

I

C

10 V

450

集电极电流

I

C

300

PC

=

2700 W

300

VGE

=

8 V

150

150

VGE

=

8 V

共发射极

Tc

=

25°C

2

4

6

8

10

0

0

0

0

共发射极

Tc

=

125°C

2

4

6

8

10

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

V

CE

– V

GE

16

共发射极

Tc

=

25°C

16

V

CE

– V

GE

共发射极

Tc

=

125°C

(V)

V

CE

12

V

CE

集电极 - 发射极电压

(V)

12

集电极 - 发射极电压

8

8

IC

=

600 A

4

300 A

IC

=

600 A

4

300 A

150 A

0

0

4

8

12

16

20

150 A

0

0

4

8

12

16

20

栅极 - 发射极电压V

GE

(V)

栅极 - 发射极电压V

GE

(V)

I

C

– V

GE

600

共发射极

VCE

=

5 V

600

共阴极

VGE

=

0

I

F

– V

F

500

(A)

450

(A)

Tc

=

125°C

I

C

集电极电流

300

正向电流I

F

400

300

Tc

=

125°C

200

25°C

25°C

150

-40°C

100

0

0

4

8

12

16

0

0

1

2

3

4

栅极 - 发射极电压V

GE

(V)

正向电压

V

F

(V)

3

2003-03-11

MG300Q2YS65H

开关时间 - 我

C

1

共发射极

VCC

=

600 V

VGE

= ±15

V

Rg

=

2.7

W

1

开关时间 - 我

C

吨

花花公子

TD （关闭）

（女士）

开关时间

0.1

TD （上）

开关时间

（女士）

0.1

tr

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

100

1000

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

100

tf

0.01

10

0.01

10

共发射极

VCC

=

600 V

VGE

= ±15

V

RG

=

2.7

W

1000

集电极电流

I

C

(A)

集电极电流

I

C

(A)

开关时间 - R的

G

1

吨

10

开关时间 - R的

G

（女士）

（女士）

花花公子

1

TD （关闭）

开关时间

0.1

tr

TD （上）

开关时间

0.1

tf

共发射极

VCC

=

600 V

IC

=

300 A

VGE

= ±15

V

10

100

0.01

1

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

10

共发射极

VCC

=

600 V

IC

=

300 A

VGE

= ±15

V

100

：TC

=

25°C

0.01

1

：TC

=

125°C

门阻抗R

G

(9)

门阻抗R

G

(9)

开关损耗 - 我

C

100

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

100

开关损耗 - R的

G

宙

EOFF

（兆焦耳）

宙

EOFF

10

Edsw

共发射极

VCC

=

600 V

VGE

= ±15

V

RG

=

2.7

W

100

1000

开关损耗

开关损耗

（兆焦耳）

10

Edsw

1

10

1

1

：TC

=

25°C

：TC

=

125°C

10

共发射极

VCC

=

600 V

IC

=

300 A

VGE

= ±15

V

100

集电极电流

I

C

(A)

门阻抗R

G

(9)

4

2003-03-11

MG300Q2YS65H

V

CE

, V

GE

– Q

G

1600

共发射极

RL

=

2

W

Tc

=

25°C

1200

VCE

=

0 V

800

600 V

400 V

200 V

400

4

8

12

16

100000

- V

CE

(V)

V

CE

(V)

资本投资者入境计划

栅极 - 发射极电压V

GE

（PF ）

10000

卓越中心

集电极 - 发射极电压

电容C

CRES

1000

共发射极

VGE

=

0

f

=

1兆赫

Tc

=

25°C

100

0.01

0

0

600

1200

1800

2400

0

3000

0.1

1

10

100

电荷Q

G

（ NC ）

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

短路SOA

6

1000

反向偏置SOA

（X额定电流）

5

(A)

集电极电流

I

C

4

3

2

VCC

＆ LT ;

900 V

=

1

Tj

＆ LT ;

125°C

=

tw

=

5

ms

0

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

100

10

集电极电流

1

Tj

＆ LT ;

125°C

=

VGE

= ±15

V

RG

=

2.7

W

0.1

0

500

1000

1500

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

R

日（T ）

– t

w

1

瞬态热阻

R

日（T ）

（ ° C / W）

二极管阶段

0.1

晶体管级

0.01

Tc

=

25°C

0.001

0.001

0.01

0.1

1

10

脉冲宽度

t

w

(s)

5

2003-03-11

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联系人：曾小姐

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深圳市银芯龙科技有限公司

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深圳勤思达科技有限公司

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地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611（本公司为一般纳税人，可以开17%增值税）

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500

主营模块

代理销售模块，原装正品，现货库存，欢迎咨询洽谈

深圳市宏世佳电子科技有限公司

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全新原装、公司现货热卖

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地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室

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联系人：李先生李小姐

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深圳市恒达亿科技有限公司

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联系人：夏先生朱小姐

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3200

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联系人：张小姐

地址：深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室（亚太地区XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿特拉）专业分销商！)

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【新到原装现货】诚信经营，热卖！量大可订货！可开17%增票!

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联系人：李经理

地址：深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210

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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：何小姐

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