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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2953页 > MG200Q2YS60A
MG200Q2YS60A
三菱IGBT模块
MG200Q2YS60A(1200V/200A
2in1)
高功率开关应用
电机控制应用
集成了完整的半桥功率电路和故障信号输出电路在一个封装中。
（短路和过温）
所述电极从壳体分离。
低热阻
V
CE （SAT）
= 2.4 V （典型值）。
等效电路
Ｃ1
5
6
7
F
O
E1/C2
4
1
2
3
OT
F
O
E2
信号端子
1.
5.
G（ L）的
G（高）
2.
6.
F
O
(L)
F
O
(H)
3.
7.
E（ L）
E（高）
4.
8.
V
D
开放
2004-10-01
1/8
MG200Q2YS60A
包装尺寸
1.
5.
G（ L）的
G（高）
2.
6.
F
O
(L)
F
O
(H)
3.
7.
E（ L）
E（高）
4.
8.
V
D
开放
信号端子布局
7
5
8
2.54
25.4
±
0.6
6
1.
5.
G（ L）的
G（高）
2.
6.
F
O
(L)
F
O
(H)
3.
7.
E（ L）
E（高）
4.
8.
V
D
开放
3
1
4
2.54
2
2.54
重量： 375克
2004-10-01
2/8
MG200Q2YS60A
最大额定值
（大
=
25°C)
舞台
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
逆变器
正向电流
1毫秒
集电极耗散功率（TC
=
25°C)
控制电压（ OT ）
控制
故障输入电压
故障输入电流
结温
存储温度范围
模块
工作温度范围
隔离电压
螺杆转矩
DC
1毫秒
DC
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
V
D
VF
O
IF
O
T
j
T
英镑
T
OPE
V
ISOL
等级
1200
±20
200
400
200
A
400
2000
20
20
20
150
40~125
20~100
2500 （AC 1分钟）
3 (M5)
W
V
V
mA
°C
°C
°C
V
N½m
单位
V
V
A
电气特性
(T
j
=
25°C)
1.变频器阶段
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
导通延迟时间
开关时间
打开-O FF时间
下降时间
反向恢复时间
正向电压
符号
I
GES
I
CES
V
GE （ OFF ）
V
CE （SAT）
C
IES
t
D（上）
t
关闭
t
f
t
rr
V
F
I
F
=
200 A
V
CC
=
600 V，I
C
=
200 A
V
GE
= ±15
V ，R
G
=
10
（注1 ）
测试条件
V
GE
= ±20
V, V
CE
=
0
V
GE
= +10
V, V
CE
=
0
V
CE
=
1200 V, V
GE
=
0
V
CE
=
5 V，I
C
=
200毫安
V
GE
=
15 V,
I
C
=
200 A
Tj
=
25°C
Tj
=
125°C
民
6.0
0.10
典型值。
7.0
2.4
15000
2.4
最大
+3/4
100
1.0
8.0
2.8
3.2
1.00
2.00
0.50
0.50
2.8
V
s
pF
单位
mA
nA
mA
V
V
V
CE
=
10 V, V
GE
=
0, f
=
1兆赫
注1 ：开关时间测试电路&时序图
2.控制
（ TC
=
25°C)
特征
故障输出电流
过温
故障输出延迟时间
符号
OC
OT
t
D（ FO）
测试条件
V
GE
=
15 V
V
CC
=
600 V, V
GE
= ±15
V
民
240
100
典型值。
最大
125
8
单位
A
°C
s
2004-10-01
3/8
MG200Q2YS60A
3.模块
（ TC
=
25°C)
特征
结到外壳热阻
案例鳍热阻
符号
R
日（J -C ）
R
TH（ C-F ）
测试条件
逆变器IGBT阶段
逆变器FRD阶段
随着硅化合物
民
典型值。
0.013
最大
0.062
0.136
° C / W
单位
° C / W
开关时间测试电路
R
G
V
GE
I
F
V
CC
I
C
R
G
L
时序图
90%
10%
V
GE
90% I
rr
I
rr
I
C
t
rr
20% I
rr
90%
10%
t
D（上）
t
D（关闭）
10%
t
f
2004-10-01
4/8
MG200Q2YS60A
备注
<Short电路功能condition>
短路能力6
s
后故障输出信号。
请遵守以下条件使用故障输出信号。
V
CC
＆ LT ;
750 V
=
14.8 V
＆ LT ;
V
GE
＆ LT ;
17.0 V
=
=
＆ GT ;
10
R
G
=
T
j
＆ LT ;
125°C
=
<Gate voltage>
使用本产品，V
GE
必须大于14.8 V.提供更高
如果V
GE
小于14.8 V时，故障信号F
O
可能没有，即使在错误情况输出。
对于application> <Recommended条件
特征
P -N电源端子电压
栅极电压
栅极电阻
开关频率
符号
V
CC
V
GE
R
G
fc
民
14.8
10
典型值。
600
15
最大
750
17
20
单位
V
V
千赫
2004-10-01
5/8
MG200Q2YS60A
东芝IGBT模块的硅N沟道IGBT
MG200Q2YS60A
（ 1200V / 200A二合一）
高功率开关应用
电机控制应用
·
·
·
·
集成了完整的半桥功率电路和故障信号输出电路在一个封装中。
（短路和过温）
所述电极从壳体分离。
低热阻
V
CE （SAT）
=
2.4 V （典型值）。
等效电路
Ｃ1
5
6
7
F
O
E1/C2
4
1
2
3
OT
F
O
E2
信号端子
1.
5.
G（ L）的
G（高）
2.
6.
F
O
(L)
F
O
(H)
3.
7.
E（ L）
E（高）
4.
8.
V
D
开放
1
2001-08-28
MG200Q2YS60A
包装尺寸： 2-123C1B
单位：mm
10.5 0.8
122 1.0
110 0.3
R6
15.3
4–
日本
E2
C1
5.5
15.24
20.5 0.8
20.5 0.8
25.4 0.5
50 0.3
8–
0.64
4
–
6
16
13
36 0.8
59 0.5
4.
8.
V
D
开放
2.54
7
5
3
1
8
6
4
2
10.5 0.8
3 – M6
20 0.8
26 0.8 26 0.8 36.7 0.8
2 – 3.0
1.0
0.5
1.0
0.3
2.54
C2E1
1.0
0.3
26
119 0.5
1.
5.
G（ L）的
G（高）
2.
6.
F
O
(L)
F
O
(H)
3.
7.
E（ L）
E（高）
20 0.8
26
4.
8.
37.5
V
D
开放
信号端子布局
7
5
8
2.54
25.4
±
0.6
6
1.
5.
G（ L）的
G（高）
2.
6.
F
O
(L)
F
O
(H)
3.
7.
E（ L）
E（高）
3
1
4
2.54
2
2.54
重量： 375克
2
2001-08-28
62 1.0
MG200Q2YS60A
最大额定值
（大
=
25°C)
舞台
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
DC
集电极电流
逆变器
正向电流
1毫秒
集电极耗散功率（TC
=
25°C)
控制电压（ OT ）
控制
故障输入电压
故障输入电流
结温
存储温度范围
模块
工作温度范围
隔离电压
螺杆转矩
1毫秒
DC
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
V
D
VF
O
IF
O
T
j
T
英镑
T
OPE
V
ISOL
等级
1200
±20
200
A
400
200
A
400
2000
20
20
20
150
-40~125
-20~100
2500 （AC 1分钟）
3 (M5)
W
V
V
mA
°C
°C
°C
V
N½m
单位
V
V
电气特性
(T
j
=
25°C)
1.变频器阶段
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
导通延迟时间
开关时间
打开-O FF时间
下降时间
反向恢复时间
正向电压
符号
I
GES
I
CES
V
GE （ OFF ）
V
CE （SAT）
C
IES
t
D（上）
t
关闭
t
f
t
rr
V
F
I
F
=
200 A
V
CC
=
600 V，I
C
=
200 A
V
GE
= ±15
V ，R
G
=
10
W
（注1 ）
测试条件
V
GE
= ±20
V, V
CE
=
0
V
GE
= +10
V, V
CE
=
0
V
CE
=
1200 V, V
GE
=
0
V
CE
=
5 V，I
C
=
200毫安
V
GE
=
15 V,
I
C
=
200 A
Tj
=
25°C
Tj
=
125°C
民
6.0
0.10
典型值。
7.0
2.4
15000
2.4
最大
+3/-4
100
1.0
8.0
2.8
V
3.2
1.00
2.00
0.50
0.50
2.8
V
ms
pF
单位
mA
nA
mA
V
V
CE
=
10 V, V
GE
=
0, f
=
1兆赫
注1 ：开关时间测试电路&时序图
2.控制
（ TC
=
25°C)
特征
故障输出电流
过温
故障输出延迟时间
符号
OC
OT
t
D（ FO）
测试条件
V
GE
=
15 V
V
CC
=
600 V, V
GE
= ±15
V
民
240
100
典型值。
最大
125
8
单位
A
°C
ms
3
2001-08-28
MG200Q2YS60A
3.模块
（ TC
=
25°C)
特征
结到外壳热阻
案例鳍热阻
符号
R
日（J -C ）
R
TH（ C-F ）
测试条件
逆变器IGBT阶段
逆变器FRD阶段
随着硅化合物
民
典型值。
0.013
最大
0.062
0.136
° C / W
单位
° C / W
开关时间测试电路
R
G
-V
GE
I
F
V
CC
I
C
R
G
L
时序图
90%
10%
V
GE
90% I
rr
I
rr
I
C
t
rr
20% I
rr
90%
10%
t
D（上）
t
D（关闭）
10%
t
f
4
2001-08-28
MG200Q2YS60A
备注
<Short电路功能condition>
l
短路能力6
ms
后故障输出信号。
请遵守以下条件使用故障输出信号。
·
V
CC
＆ LT ;
750 V
=
＆ LT ;
·
14.8 V
=
V
GE
＆ LT ;
17.0 V
=
＆ GT ;
10
W
·
R
G
=
·
T
j
＆ LT ;
125°C
=
<Gate voltage>
l
使用本产品，V
GE
必须大于14.8 V.提供更高
如果V
GE
小于14.8 V时，故障信号F
O
可能没有，即使在错误情况输出。
5
2001-08-28
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MI-QC6ZZ-MUY
M15G2212
MTA35HFVM
M295V100-T70XN3R
MTB55N03N3
MC-182
MC28U256HCCC-0QC00
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    MG200Q2YS60A
    -
    -
    -
    -
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MG200Q2YS60A
TOSHIBA
19+
355
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一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
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MG200Q2YS60A
TOSHIBA
MODULE
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电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MG200Q2YS60A
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电话：0755-83268779
联系人：吴
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611（本公司为一般纳税人，可以开17%增值税）
MG200Q2YS60A
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N/A
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代理销售模块，原装正品，现货库存，欢迎咨询洽谈
深圳市宏世佳电子科技有限公司
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电话：0755- 82556029/82532511
联系人：高小姐/李先生
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区鹏基上步工业厂房102栋西620
MG200Q2YS60A
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575
MODULE
全新原装、公司现货热卖
瀚佳科技（深圳）有限公司
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电话：0755-23915992/23140719
联系人：李
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
MG200Q2YS60A
TOSHIBA
24+
2177
MODULE
公司大量 现货随时可以发货
瀚佳科技（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3449124707 复制 点击这里给我发消息 QQ：3441530696 复制 点击这里给我发消息 QQ：2480898381 复制

电话：0755-23140719/23915992
联系人：李先生 李小姐
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
MG200Q2YS60A
TOSHIBA
24+
2177
MODULE
公司大量 现货随时可以发货
瀚佳科技（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3449124707 复制 点击这里给我发消息 QQ：3441530696 复制 点击这里给我发消息 QQ：2480898381 复制

电话：0755-23140719/23915992
联系人：李先生 李小姐
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
MG200Q2YS60A
TOSHIBA
24+
2176
MODULE
公司大量现货 随时可以发货
深圳市众诚发电子有限公司
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电话：0755-83231869
联系人：张
地址：福田区上步工业区505栋六楼608室(钟表市场楼上)
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2020+
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