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MG200J6ES61
Powerex公司,公司, 200 E.希利斯街,扬伍德,宾夕法尼亚15697-1800 ( 724 ) 925-7272
六IGBTMOD
紧凑型IGBT
系列模块
200安培/ 600伏
A
D
J
H
N
P
L
K
U
G
详细信息"A"
M
C
U
V
W
B
F
E
H
Q
N
P
Q
R
S
T
V
W
X
P
4
R
P
CN-2
2
CN-1
1
3
5
7
CN- 1:7 CN- 1:6
CN- 1:4
CN- 1:2的
3
2
1
Y
4
6
8
Y
CN- 1:8 CN- 1:5的
CN- 1:3
CN- 1:1的
U
V
W
Z
AA
详细信息"A"
CN - 1信号端子
1 E( W)
2 G (W)的
3 E( V)
4 G( V)
5 E( U)
6 G( U)
7 TH1
8 TH2
CN- 2:3
CN- 2:4
N
CN- 2:2
CN- 2:1的
描述:
POWEREX六IGBTMOD
紧凑型IGBT模块系列
用于开关的设计
应用程序。每个模块由
两个IGBT晶体管在一个半
桥CON连接配置中,每个
有一个晶体管反接
连超快速恢复
续流二极管。所有组件
和互连从隔离
该散热底座,提供
简化的系统组装及
热管理。
产品特点:
集成热敏电阻
低V
CE ( SAT )
隔离式底座,方便
散热
应用范围:
交流电动机的控制
运动/伺服控制
UPS
焊接电源
激光电源
订货信息:
例如:选择完整
从下表中的部分数
-i.e. MG200J6ES61是
600V (V
CES
) , 200安培
六IGBTMOD 紧凑型IGBT
系列模块。
TYPE
MG
额定电流
安培
200
V
CES
伏( ×10 )
60
CN- 2信号端子
1 G( Z)
2 G( Y)
3 G( X)
4 E( L)
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
4.80±0.04
1.97±0.01
1.61±0.03
4.33±0.01
2.44±0.04
2.32±0.02
0.81±0.03
0.39±0.03
0.55
0.39
0.24
0.22直径。
M5
MILLIMETERS
122.0±1.0
50.0±0.3
42.0±0.8
110.0±0.3
62.0±1.0
59.0±0.5
20.5±0.8
10.0±0.8
14.0
10.0
6.0
5.5直径。
M5
尺寸
英寸
MILLIMETERS
P
0.79±0.03
20.0±0.8
Q
0.86±0.03
22.0±0.8
R
1.12±0.03
28.5±0.8
S
0.55±0.03
13.9±0.8
T
0.24拉德。
6.0 Rad公司。
U
0.53
13.6
V
1.02 -0.01/+0.04 26.0-0.3/+1.0
W
0.32
8.2
X
4.69±0.02
119.0±0.5
Y
0.88
22.5
Z
0.21
5.35
AA
0.42
10.7
5/05
1
Powerex公司,公司, 200 E.希利斯街,扬伍德,宾夕法尼亚15697-1800 ( 724 ) 925-7272
MG200J6ES61
六IGBTMOD
紧凑型IGBT模块系列
200安培/ 600伏
绝对最大额定值,
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
特征
功率器件结温
储存温度
安装扭矩, M5螺丝安装
安装扭矩, M5主接线螺丝
模块重量(典型)
隔离电压, AC 1分钟, 60Hz的正弦
符号
T
j
T
英镑
V
ISO
MG200J6ES61
-20-150
-40至125
31
31
375
2500
单位
°C
°C
在磅
在磅
IGBT逆变器行业
集电极 - 发射极电压(V
D
= 15V, V
CIN
= 15V)
栅极 - 发射极电压
集电极电流(T
C
= 25°C)
峰值集电极电流(T
C
= 25°C)
发射极电流(T
C
= 25°C)
峰值发射极电流(T
C
= 25°C)
集电极耗散(T
C
= 25°C)
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
E
I
EM
P
C
600
±20
200
400
200
400
1000
安培
安培
安培
安培
电气和机械特性,
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
特征
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
IGBT逆变器行业
栅极漏电流
集电极 - 发射极截止电流
极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
感性负载
开关
反向恢复时间
发射极 - 集电极电压
I
GES
I
CES
V
GE (关闭)
V
CE ( SAT )
C
IES
t
D(上)
t
关闭
t
f
t
rr
V
EC
I
E
= 200A
V
CC
= 300V ,我
C
= 200A,
V
GE
= ± 15V ,R
G
= 10Ω
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
CE
= 5V ,我
C
= 200毫安
V
GE
= 15V ,我
C
= 200A ,T
j
= 25°C
V
GE
= 15V ,我
C
= 200A ,T
j
= 125°C
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V , F = 1MHz的
5.0
6.5
2.0
40,000
2.2
±500
1.0
8.0
2.4
2.6
1.0
1.2
0.5
0.3
2.6
nA
mA
pF
s
s
s
s
热特性
特征
零功率电阻
B值
结到外壳热阻
接触热阻
符号
R25
B25/85
R
日(J -C ) Q
R
日(J -C )D
R
TH( C-F )
条件
I
TM
= 0.2毫安
T
C
= 25 ° C / T
C
= 85°C
IGBT (每1/6模块)
FWDI (每1/6模块)
分钟。
典型值。
100
4390
0.05
马克斯。
0.125
0.195
单位
K
° C /瓦
° C /瓦
° C /瓦
推荐的使用条件
特征
电源电压
栅极电压
开关频率
2
符号
V
CC
V
GE
f
C
条件
整个P -N端应用
价值
≤400
0 ~ 20
单位
千赫
5/05
13.5 16.5伏特
Powerex公司,公司, 200 E.希利斯街,扬伍德,宾夕法尼亚15697-1800 ( 724 ) 925-7272
MG200J6ES61
六IGBTMOD
紧凑型IGBT模块系列
200安培/ 600伏
集电极 - 发射极
饱和电压特性
(典型值)
输出特性
(典型值)
续流二极管特性
(典型值)
500
集电极电流,I
C
(安培)
正向电流I
F
(安培)
500
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE ( SAT )
(伏)
12
V
GE
= 0V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TJ = -40°C
T
j
= 25°C
400
300
200
100
0
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
400
300
200
100
0
10
I
C
= 400A
8
I
C
= 200A
6
4
2
0
I
C
= 100A
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
5
10
15
20
集电极 - 发射极电压,V
CE ( SAT )
(伏)
正向电压,V
F
(伏)
栅极 - 发射极电压V
GE
(伏)
集电极 - 发射极
饱和电压特性
(典型值)
集电极 - 发射极
饱和电压特性
(典型值)
传输特性
(典型值)
12
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE ( SAT )
(伏)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE ( SAT )
(伏)
12
10
I
C
= 400A
集电极电流,I
C
(安培)
500
T
j
= -40°C
T
j
= 125°C
10
I
C
= 400A
400
300
200
100
0
8
I
C
= 200A
8
I
C
= 200A
V
CE
= 5V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= -40°C
6
4
2
0
I
C
= 100A
6
4
2
0
I
C
= 100A
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
12
14
栅极 - 发射极电压V
GE
(伏)
栅极 - 发射极电压V
GE
(伏)
栅极 - 发射极电压V
GE
(伏)
开关损耗(OFF)的VS.
集电极电流
(典型值)
切换损失(ON ) VS.
集电极电流
(典型值)
开关损耗(OFF)的VS.
栅极电阻
(典型值)
10
2
开关损耗, ê
(关闭)
(兆焦耳/脉冲)
开关损耗, ê
(上)
(兆焦耳/脉冲)
10
2
开关损耗, ê
(关闭)
(兆焦耳/脉冲)
10
2
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 10
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 10
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 10
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
10
1
10
1
10
1
10
0
0
50
100
150
200
250
10
0
0
50
100
150
200
250
10
0
0
5
10
15
20
25
集电极电流,I
C
(安培)
集电极电流,I
C
(安培)
栅极电阻,R
G
, (
)
5/05
3
Powerex公司,公司, 200 E.希利斯街,扬伍德,宾夕法尼亚15697-1800 ( 724 ) 925-7272
MG200J6ES61
六IGBTMOD
紧凑型IGBT模块系列
200安培/ 600伏
切换损失(ON ) VS.
栅极电阻
(典型值)
电容与
集电极 - 发射极电压
(典型值)
反向偏置安全工作区
(典型值)
10
2
开关损耗, ê
SW (ON)的
(兆焦耳/脉冲)
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
( NF)
10
5
集电极电流,I
C
(安培)
500
C
IES
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 200A
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
400
300
200
100
0
V
GE
= ±15V
R
G
= 10
T
j
125°C
10
4
C
OES
10
1
10
3
V
GE
= 0V
F = 1MHz的
T
C
=
25°C
C
水库
10
0
5
10
15
20
25
30
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
100 200 300 400 500 600 700
集电极 - 发射极电压,V
CE
(伏)
栅极电阻,R
G
, (
)
栅极 - 发射极电压V
CE
(伏)
栅电荷VS.
集电极 - 发射极电压
(典型值)
集电极 - 发射极电压,V
CE
(伏)
栅电荷VS.
栅极 - 发射极电压
(典型值)
瞬态热
阻抗特性
(IGBT)
500
400
300
200
100
0
栅极 - 发射极电压V
GE
(伏)
I
C
= 200A
20
16
12
8
4
0
I
C
= 200A
瞬态阻抗的Rth
(J -C )
10
1
T
C
= 25°C
10
0
200V
300V
100V
V
CE
= 0V
10
-1
单脉冲
标准值= R
日(J -C )
D = 0.125 ° C / W
0
500
1000
1500
2000
2500
0
500
1000
1500
2000
2500
10
-2
10
-3
10
-2
10
-1
TIME , (S )
10
0
10
1
栅极电荷,Q
G
( NC )
栅极电荷,Q
G
( NC )
瞬态热
阻抗特性
( FWDI )
10
1
T
C
= 25°C
瞬态阻抗的Rth
(J -C )
10
0
10
-1
单脉冲
标准值= R
日(J -C )
D = 0.195 ° C / W
10
-2
10
-3
10
-2
10
-1
TIME , (S )
10
0
10
1
4
5/05
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MG200F6ES61
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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MG200F6ES61
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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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