特点
矩阵具有高达480K盖茨全系列
0.5微米CMOS拉， 3金属层，盖茨海
RAM和DPRAM编译器
库优化的合成，平面图和自动测试生成（ ATG ）
3和5伏特操作;单电源或双电源模式
高速性能
- 420 ps的最大NAND2传播延迟为4.5V ， 670 PS的2.7和FO = 5
- 最小650 MHz的切换频率在4.5V和340 MHz的频率， 2.7V
可编程PLL可根据要求提供
高系统频率偏移控制通过时钟树综合软件
低功耗：
- 1.96 μW /门/ MHz的电压为5V
- 0.6 μW /门/ MHz的电压为3V
集成的上电复位
矩阵与484完全可编程垫一个最大
标准3 ， 6 ， 12和24毫安的I / O
通用的I / O单元：输入，输出， I / O ，电源，振荡器
CMOS / TTL / PCI接口
ESD （ 2 KV）和闭锁保护I / O
高噪声和电磁兼容抗扰度：
- I / O与压摆率控制
- 内部解耦
- 外围与核心之间的信号滤波
- 应用程序依赖供应路由和几个独立的供应来源
的密封和塑料封装范围广
交货裸片形式与94.6微米焊垫间距
先进的CAD技术支持：平面图，专有延迟模型，时序驱动布局，
电源管理
韵律
明导
，生命和Synopsys
参考平台
EDIF和VHDL参考格式
可在商业，工业和军事质量等级（空间应用
看到MG2RT和MG2RTP规格）
QML Q与SMD 5962-00B02
350K二手盖茨
0.5微米CMOS
盖茨的海
MG2
描述
该MG2系列是0.5微米，基于阵列的CMOS产品系列。多个阵列最多
到480K门涵盖大部分的系统集成的需求。该MG2采用制造
一个0.5微米的拉伸， 3金属层的CMOS工艺制造，称为SCMOS 3/2 。
在MG2系列的基本单元结构提供了逻辑高可布线与
极为密集的编译回忆： RAM和DPRAM 。可以生成的ROM
使用综合工具。
时钟分配的精确控制可以通过PLL硬件和CTS实现
（时钟树合成）的软件。新的噪声防治技术应用在
阵列和外围：三个或更多个独立的建筑材料，内部解耦，
自定义依赖电源布线，噪声滤波，歪斜控制的I / O ，低
摆幅差分I / O的，都有助于提高噪声抑制能力，降低
排放水平。
该MG2是基于业界先进的软件环境支持标
dards连接专有和商业工具。 Verilog的，的ModelSim ，设计编译器
为参考的前端工具。与时序驱动布局布局规划相关
提供了一个简短的后端周期。
该MG2库允许从盖茨的MG1海直向前迁移。网络表
基于这个库可以模拟为任何MG2 ，或MG2RT或MG2RTP 。
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表1中。
可用MG2矩阵列表
TYPE
MG2044
(1)
MG2091
(1)
MG2194
MG2265
(1)
MG2360
MG2480
总盖茨
44616
91464
193800
264375
361680
481143
典型的可用
门
31200
64000
135600
185000
253100
336800
共有垫
173
237
333
385
445
507
最大可编程的I / O
150
214
310
362
422
484
注意：
1.不适用于新设计。
图书馆
该MG2的单元库已被设计为利用由两个所提供的特性充分利用
逻辑和测试综合工具。
可测性设计是有保证的全面支持扫描， JTAG （ IEEE 1149 ）和BIST的
方法。
更复杂的宏功能是在VHDL中可获得的，例如： I2C，UART ，
定时器等。
座发电机
座发电机用于创建一个特定于客户的仿真模型和金属化巳
燕鸥进行定期的功能，如RAM和DPRAM 。基本单元架构允许每一个比特
电池为RAM和DPRAM 。这些发电机的主要特性总结如下。
表2中。
块生成能力
最大
大小（位）
32k
32k
典型特性（ 16K位） 5V
位/字
1-36
1-36
访问时间（纳秒）
8
8.6
二手细胞
20 k
23 k
功能
内存
DPRAM
2
MG2
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MG2
I / O缓冲器接口
I / O灵活性
输入
所有的I / O缓冲器可以被配置为输入，输出，双向，振荡器或电源。 A级
翻译靠近每个缓冲区。
输入缓冲器与CMOS或TTL阈值相和功能版本，以及与 -
出滞后。该CMOS和TTL输入缓冲器可内置上拉或下拉
终止符。用于特殊目的，缓冲器允许直接输入到矩阵核心是可用的。
几种CMOS和TTL输出驱动器提供：快缓冲器， 3 ， 6 ， 12和24毫安
驱动电压为5V ，低噪声缓冲12 mA驱动电压为5V 。
输出
时钟发生器和PLL
时钟发生器
Atmel提供6种不同类型的振荡器： 4高频晶体振荡器和2 RC振荡器
器。对于所有器件，脉冲间隔比优于40/60的启动时间小于10
女士。
频率（MHz）
振荡器
XTAL 7M
XTAL 20M
XTAL 50M
XTAL 100M
RC 10M
RC 32M
5V最大
12
28
70
130
10
32
最大3V
7
17
40
75
10
32
典型
5V
1.2
2.5
7
16
2
3
消耗（mA ）
3V
0.4
0.8
2
5
1
1.5
PLL
联系工厂。
3
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电源
和噪声
保护
的SCMOS3 / 2技术的速度和密度引起很大的开关电流尖峰，为
例如，当：
16高电流输出缓冲器同时进行切换，
或48万门10％的开关内的1纳秒的窗口。
尖锐的边缘和高电流造成在包装某些寄生元件变得显
着的。在这个频率范围内，该封装电感和串联电阻应该采取
考虑。众所周知，一个电感减慢当前和原因的沉降时间
电压下降的电源线。这些水滴会影响电路本身的行为
或者扰乱外部应用程序（地弹） 。
为了改善在MG芯基质的抗噪声能力，几种机制已经
在MG阵列内部实现。两种保护已添加： 1 ，以限制I / O的
缓冲开关噪声，保护我的另一/ O缓冲区对开关噪声来
来自矩阵。
I / O缓冲器
开关
保护
三功能被实现，以限制通过开关的电流所产生的噪声：
输入和输出缓冲器的电源是分开的。
输出缓冲器的上升和下降时间可以通过内部调节器来控制。
关于连接到同一电源线缓冲区的数量一种设计规则
已经实行。
矩阵切换
这种噪声干扰是由门大量同时切换造成的。为了让
电流保护
这不会影响电路的功能，三个新功能已被添加：
去耦电容器是直接在硅集成，以减少电源压降。
一个供电网络已在基体中得到落实。该解决方案降低了
寄生元件如电感和电阻的数目，并构成一个人工
VDD和地平面。该网络的一个网孔提供大约150细胞。
一个低通滤波器具有基体和输入到输出缓冲器之间被添加。这
限制了噪音的传输从地面或VDD电源矩阵的到来
经由输出缓冲器的外部世界。
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MG2
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