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MG150J1JS50
东芝GTR模块硅N沟道IGBT
MG150J1JS50
高功率开关应用
电机控制应用
l
所述电极从壳体分离。
l
高输入阻抗
l
包括在一个封装中一个完整的半桥。
l
增强型
l
高速：吨
f
= 0.30微秒（最大值） （我
C
= 150 A)
t
rr
= 0.15微秒（最大值） （我
F
= 150 A)
l
低饱和电压
: V
CE （SAT）
= 2.70 V（最大值） （我
C
= 150 A)
单位：mm
等效电路
E
1
/C
2
C
1
E
2
JEDEC
JEITA
―
―
2-95A2A
G
1
E
1
东芝
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
反向电压
集电极电流
DC
1毫秒
DC
1毫秒
符号
V
CES
V
GES
V
R
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
T
j
T
英镑
V
ISOL
―
等级
600
±20
600
150
300
150
300
780
150
40
到125
2500
（AC 1分钟）
3/3
单位
V
V
V
A
正向电流
A
W
°C
°C
V
N·m的
集电极耗散功率（ TC = 25 ° C）
结温
存储温度范围
隔离电压
螺丝扭矩（端子/安装）
1
2002-11-21
MG150J1JS50
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
导通延迟时间
上升时间
开关时间
开启时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
反向电流
正向电压
反向恢复时间
热阻
符号
I
GES
I
CES
V
GE （ OFF ）
V
CE （SAT）
C
IES
t
D（上）
t
r
t
on
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
I
R
V
F
t
rr
R
日（J -C ）
V
R
= 600 V
I
F
= 150 A，V
GE
= 0
I
F
= 150 A，V
GE
=
10
V
的di / dt = 200 A / μs的
晶体管级
二极管阶段
感性负载
V
CC
= 300 V
I
C
= 150 A
V
GE
= ±15 V
R
G
= 6.2
（注1 ）
测试条件
V
GE
= ±20 V, V
CE
= 0
V
CE
= 600 V, V
GE
= 0
I
C
= 15毫安， V
CE
= 5 V
I
C
= 150 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 10 V, V
GE
= 0中，f = 1 MHz的
民
―
―
5.0
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
7.0
2.10
14200
0.15
0.15
0.50
0.20
0.15
0.50
―
2.30
0.08
―
―
最大
±500
2.0
8.0
2.70
―
0.30
0.30
1.00
0.40
0.30
1.00
1.0
3.00
0.15
0.16
0.35
mA
V
s
° C / W
s
单位
nA
mA
V
V
pF
注1 ：开关时间测试电路&时序图
2
2002-11-21
MG150J1JS50
3
2002-11-21
MG150J1JS50
4
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MG150J1JS50
5
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MG150J1JS50
东芝GTR模块硅N沟道IGBT
MG150J1JS50
高功率开关应用
电机控制应用
l
所述电极从壳体分离。
l
高输入阻抗
l
包括在一个封装中一个完整的半桥。
l
增强型
l
高速：吨
f
= 0.30微秒（最大值） （我
C
= 150 A)
t
rr
= 0.15微秒（最大值） （我
F
= 150 A)
l
低饱和电压
: V
CE （SAT）
= 2.70 V（最大值） （我
C
= 150 A)
单位：mm
等效电路
E
1
/C
2
C
1
E
2
JEDEC
JEITA
―
―
2-95A2A
G
1
E
1
东芝
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
反向电压
集电极电流
DC
1毫秒
DC
1毫秒
符号
V
CES
V
GES
V
R
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
T
j
T
英镑
V
ISOL
―
等级
600
±20
600
150
300
150
300
780
150
40
到125
2500
（AC 1分钟）
3/3
单位
V
V
V
A
正向电流
A
W
°C
°C
V
N·m的
集电极耗散功率（ TC = 25 ° C）
结温
存储温度范围
隔离电压
螺丝扭矩（端子/安装）
1
2002-11-21
MG150J1JS50
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
导通延迟时间
上升时间
开关时间
开启时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
反向电流
正向电压
反向恢复时间
热阻
符号
I
GES
I
CES
V
GE （ OFF ）
V
CE （SAT）
C
IES
t
D（上）
t
r
t
on
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
I
R
V
F
t
rr
R
日（J -C ）
V
R
= 600 V
I
F
= 150 A，V
GE
= 0
I
F
= 150 A，V
GE
=
10
V
的di / dt = 200 A / μs的
晶体管级
二极管阶段
感性负载
V
CC
= 300 V
I
C
= 150 A
V
GE
= ±15 V
R
G
= 6.2
（注1 ）
测试条件
V
GE
= ±20 V, V
CE
= 0
V
CE
= 600 V, V
GE
= 0
I
C
= 15毫安， V
CE
= 5 V
I
C
= 150 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 10 V, V
GE
= 0中，f = 1 MHz的
民
―
―
5.0
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
7.0
2.10
14200
0.15
0.15
0.50
0.20
0.15
0.50
―
2.30
0.08
―
―
最大
±500
2.0
8.0
2.70
―
0.30
0.30
1.00
0.40
0.30
1.00
1.0
3.00
0.15
0.16
0.35
mA
V
s
° C / W
s
单位
nA
mA
V
V
pF
注1 ：开关时间测试电路&时序图
2
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MG150J1JS50
3
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MG150J1JS50
4
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MG150J1JS50
5
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