MultiGuard
（ 2 & 4元）
AVX多层陶瓷瞬态电压抑制
阵列 - ESD保护的CMOS和Bi极地系统
一般描述和评论
AVX的瞬态电压抑制（ TVS ）阵列地址
6趋势在今天的电子电路：（1）必需的ESD
保护，（2）强制电磁干扰控制，（3）信号的完整性
改进， （4 ）印刷电路板小型化，（5）还原成分
放置的成本，和（6）保护诱导慢
加速瞬时电压和电流。
AVX的MultiGuard产品提供了众多的优势，
其中包括更快的导通时间（ <1nS ） ，重复罢工
能力，并能节省空间。在某些情况下， MultiGuard
消耗所需的PCB面积小于75 ％
的分立芯片的当量数。这种规模优势，
再加上只有一个放置相关的节约
芯片，使得MultiGuard首选的TVS元件
的I / O线在便携设备和亲ESD保护
编程在蜂窝电话端口。其他应用程序
包括差分数据线路保护， ASIC和保护
LCD驱动保护便携式计算设备。
其中，多条线路所需要的ESD保护，上述4元件
0612或0508芯片是一个理想的解决方案。而2元件
0405 MultiGuard是最小的TVS阵列，4元件
0508 MultiGuard是最小的4元TVS器件可用
能够在当今市场。
可提供的高达5.6V标准工作电压为18V
在3种封装尺寸， AVX MultiGuard低电容
阵列提供了一个非常广泛的集成TVS解决方案
在设计界。
SIZE ： 0405
SIZE ： 0508
SIZE ： 0508
SIZE ： 0612
2元
4元
每个元件的电气特性
AVX
产品型号
MG042S05X150 _
工作工作击穿钳位
TEST
电压电压
电压
电压电流
（DC）的
（AC）的
对于V
C
5.6
14.0
18.0
5.6
9.0
14.0
18.0
≤18.0
5.6
9.0
14.0
18.0
≤18.0
5.6
9.0
14.0
18.0
≤18.0
4.0
10.0
14.0
4.0
6.4
10.0
14.0
≤14.0
4.0
6.4
10.0
14.0
≤14.0
4.0
6.4
10.0
14.0
≤14.0
8.5±20%
18.5±12%
不适用
8.5±20%
12.7±15%
19.5±12%
25.5±10%
不适用
8.5±20%
12.7±15%
19.5±12%
25.5±10%
不适用
8.5±20%
12.7±15%
19.5±12%
25.5±10%
不适用
V
W
（DC）的
V
W
（AC）的
V
B
V
B
托尔
最大
泄漏
当前
35
15
10
35
25
15
10
10
35
25
15
10
10
35
25
15
10
10
V
C
I
VC
I
L
E
T
I
P
帽
短暂
能源
等级
0.05
0.02
0.02
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.05
0.05
0.05
0.05
0.02
0.10
0.10
0.10
0.05
0.10
PEAK
当前
等级
15
15
15
30
30
30
30
20
15
15
15
15
15
30
30
30
15
20
典型
帽
300
45
40
825
550
425
225
50
400
300
150
120
50
825
550
425
120
75
18
32
50
18
22
32
42
50
18
22
32
42
50
18
22
32
42
50
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2元
MG042L14V400 _
0405芯片
MG042L18V500 _
MG052S05A150 _
MG052S09A200 _
2元
MG052S14A300 _
0508芯片
MG052S18A400 _
MG052L18X500 _
MG054S05X150 _
MG054S09X200 _
4元
MG054S14X300 _
0508芯片
MG054S18X400 _
MG054L18V500 _
MG064S05A150 _
MG064S09A200 _
4元
MG064S14A300 _
0612芯片
MG064S18A400 _
MG064L18X500 _
端接表面处理代码
包装代码
直流工作电压（ V）
交流工作电压（ V）
典型击穿电压
（V @ 1毫安
DC
)
V
B
公差为±从典型的价值
钳位电压（V @我
VC
)
测试电流为V
C
（ A， 8x20μS ）
在工作电压最大漏电流（ μA ）
瞬态能量等级（J ， 10x1000μS ）
额定峰值电流（A ， 8x20μS ）
典型电容（pF） @ 1MHz至0.5 V
RMS
21
MultiGuard
（ 2 & 4元）
AVX多层陶瓷
瞬态电压抑制阵列
ESD保护CMOS和Bi极地系统
物理尺寸和PAD布局
2元MULTIGUARD
W
P
S
S
S
W
P
S
P
4元MULTIGUARD
W
X
S
S
X
P
X
S
S
W
X
T
T
T
BW
BW
C / L
芯片
BW
C / L芯片
BW
C / L芯片
T
C
L
C
L
C / L
芯片
C
L
C
L
BL
BL L
BL L
L
BL
L
SIZE ： 0405
SIZE ： 0508
SIZE ： 0508
SIZE ： 0612
0405 2单元尺寸
L
1.00±0.15
毫米（英寸）
P
064 REF
0508 4单元尺寸
L
1.27±0.20
(0.050±0.008)
毫米（英寸）
P
0.508 REF
W
1.37±0.15
T
0.66 MAX
BW
0.36±0.10
BL
0.20±0.10
S
0.32±0.10
W
2.03±0.20
(0.080±0.008)
T
BW
BL
+0.25
-0.08
+.010
-.003
0.965 MAX 0.254 ± 0.10 0.18
（ MAX 0.038 ）（ 0.010 ± 0.004 ） （ 0.007
（ 0.039 ± 0.006 ） （ 0.054 ± 0.006 ） （ 0.026 MAX ） （ 0.014 ± 0.004 ） （ 0.008 ± 0.004 ） （ 0.025 REF ） （ 0.013 ± 0.004 ）
)
（ 0.020 REF ）
0508 2单元尺寸
L
1.25±0.20
毫米（英寸）
P
0.76 REF
0612 4单元尺寸
L
1.60±0.20
(0.063±0.008)
毫米（英寸）
P
0.76 REF
W
2.01±0.20
T
1.02最大
BW
0.41±0.1
BL
0.18
+0.25
-0.08
+.010
-.003
S
0.38±0.10
W
3.20±0.20
(0.126±0.008)
T
1.22 MAX
BW
0.41±0.10
BL
0.18
+0.25
-0.08
+.010
-.003
X
1.14±0.10
S
0.38±0.10
（ 0.049 ± 0.008 ） （ 0.079 ± 0.008 ） （ 0.040 MAX ） （ 0.016 ± 0.004 ） （ 0.007
)
（ REF 0.030 ）（ 0.015 ± 0.004 ）
（ MAX 0.048 ）（ 0.016 ± 0.004 ） （ 0.007
)
（ REF 0.030 ）（ 0.045 ± 0.004 ） （ 0.015 ± 0.004 ）
焊盘布局尺寸
A
0.46
(0.018)
毫米（英寸）
E
D
焊盘布局尺寸
D
毫米（英寸）
E
A
B
C
D
E
B
C
A
B
C
D
E
A
B
C
0405 2元
0.74
1.20
0.38
0.64
(0.029) (0.047) (0.015) (0.025)
0508 4元
0.64 1.27
1.91
0.28
0.51
(0.025) (0.050) (0.075) (0.011) (0.020)
E
D
E
D
A
0.89
(0.035)
B
C
D
E
B
C
A
A
0508 2元
1.27
2.16
0.46
0.76
(0.050) (0.085) (0.018) (0.030)
A
B
C
D
E
C
B
0612 4元
0.89 1.65
2.54
0.46
0.76
(0.035) (0.065) (0.100) (0.018) (0.030)
如何订购
MG
MultiGuard
04
例
SIZE
04 = 0405
05 = 0508
06 = 0612
2
CON组fi guration
2 = 2元
4 = 4元
L
风格
14
工作
A
能源
300
夹紧
电压
150 = 18V
200 = 22V
300 = 32V
400 = 42V
500 = 50V
T
包装
（个/卷）
D = 1,000
R = 4,000
T = 10,000
P
终止
完
P =镍/锡合金
（镀）
M =镍/锡铅（电镀）
电压
等级
S =标准
建设05 = 5.6VDC A = 0.10焦耳
09 = 9.0VDC V = 0.02焦耳
L =低
电容14 = 14.0VDC X = 0.05焦耳
18 = 18.0VDC
22
MultiGuard
（ 2 & 4元）
AVX多层陶瓷
瞬态电压抑制阵列
ESD保护CMOS和Bi极地系统
典型性能曲线 -
电压/电流特性
多层结构，提高晶粒结构导致
超过30优异的瞬态钳位特性
安培（ 20安培上MG064L18X500 ）的峰值电流，同时
保持在直流操作非常低的漏电流
5.6V
25
50
条件。下面将VI曲线表示了电压/电流
为5.6V的特性，9V， 14V和18V份与电流
租金从微安培的分数到几十安培。
9.0V和14.0V
20
电压（V）的
40
电压（V）的
10
-6
MG064S05A150
10
-3
电流（A ）
10
+0
10
+3
15
30
10
20
5
10
0
10
-9
0
10
-9
10
-6
MG064S09A200
10
-3
电流（A ）
MG064S14A300
10
+0
10
+3
18V
100
MG064L18X500
70
60
50
电压（V）的
40
30
20
80
电压（V）的
60
40
20
0
10
-9
10
-6
MG064S18A400
10
-3
电流（A ）
10
+0
10
+3
10
10
-9
10
-6
MG064L18X500
10
-3
电流（A ）
10
+0
10
+3
典型性能曲线 -
温度特性
MultiGuard抑制器的设计在整个温度范围：-55 ° C至+ 125°C的工作。
电压的温度依赖性
电压的百分比
平均击穿电压
100
90
80
70
60
50
40
0.8
节能减额
1.25
典型的能量降额与温度
1.0
30
20
0.6
0.4
10
10
-9
10
-8
10
-7
10
-6
电流（A ）
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
0.2
-40 C
25 C
85 C
125 C
0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
100 120
140 160
温度（
o
C)
典型击穿（V
B
)
和钳位（V
C
）电压
典型击穿（V
B
)
和钳位（V
C
）电压
典型故障和钳位电压
- 温度 - 5.6V
20
V
C
15
典型故障和钳位电压
- 温度 - 18V
50
40
30
20
-55
(
V
C
)
5.6V
10
5
-55
18V
V
B
(
V
B
)
-40
-20
0
20
40
60
温度（
o
C)
80
100
120
140
150
-40
-20
0
20
40
60
温度（
o
C)
80
100
120
140
150
23
MultiGuard
（ 2 & 4元）
AVX多层陶瓷瞬态电压抑制
阵列 - ESD保护的CMOS和Bi极地系统
一般描述和评论
AVX的瞬态电压抑制（ TVS ）阵列地址
6趋势在今天的电子电路：（1）必需的ESD
保护，（2）强制电磁干扰控制，（3）信号的完整性
改进， （4 ）印刷电路板小型化，（5）还原成分
放置的成本，和（6）保护诱导慢
加速瞬时电压和电流。
AVX的MultiGuard产品提供了众多的优势，
其中包括更快的导通时间（ <1nS ） ，重复罢工
能力，并能节省空间。在某些情况下， MultiGuard
消耗所需的PCB面积小于75 ％
的分立芯片的当量数。这种规模优势，
再加上只有一个放置相关的节约
芯片，使得MultiGuard首选的TVS元件
的I / O线在便携设备和亲ESD保护
编程在蜂窝电话端口。其他应用程序
包括差分数据线路保护， ASIC和保护
LCD驱动保护便携式计算设备。
其中，多条线路所需要的ESD保护，上述4元件
0612芯片是一个理想的解决方案。 2元0405 MultiGuard
可在当今市场上最小的TVS阵列设备。
可提供的高达5.6V标准工作电压为18V
在3种封装尺寸， AVX MultiGuard低电容
阵列提供了一个非常广泛的集成TVS解决方案
在设计界。
SIZE ： 0405
SIZE ： 0508
SIZE ： 0612
2元
4元
每个元件的电气特性
AVX
产品型号
MG042S05X150 _
工作工作击穿钳位
TEST
电压电压
电压
电压电流
（DC）的
（AC）的
对于V
C
5.6
14.0
18.0
5.6
9.0
14.0
18.0
≤18.0
5.6
9.0
14.0
18.0
≤18.0
4.0
10.0
14.0
4.0
6.4
10.0
14.0
≤14.0
4.0
6.4
10.0
14.0
≤14.0
8.5±20%
18.5±12%
不适用
8.5±20%
12.7±15%
19.5±12%
25.5±10%
不适用
8.5±20%
12.7±15%
19.5±12%
25.5±10%
不适用
V
W
（DC）的
V
W
（AC）的
V
B
V
B
托尔
最大
泄漏
当前
35
15
10
35
25
15
10
10
35
25
15
10
10
V
C
I
VC
I
L
E
T
I
P
帽
短暂
能源
等级
0.05
0.02
0.02
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.05
0.10
PEAK
当前
等级
15
15
15
30
30
30
30
20
30
30
30
15
20
典型
帽
300
45
40
825
550
425
225
50
825
550
425
120
75
18
32
50
18
22
32
42
50
18
22
32
42
50
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2元
MG042L14V400 _
0405芯片
MG042L18V500 _
MG052S05A150 _
MG052S09A200 _
2元
MG052S14A300 _
0508芯片
MG052S18A400 _
MG052L18X500 _
MG064S05A150 _
MG064S09A200 _
4元
MG064S14A300 _
0612芯片
MG064S18A400 _
MG064L18X500 _
端接表面处理代码
包装代码
直流工作电压（ V）
交流工作电压（ V）
典型击穿电压
（V @ 1毫安
DC
)
V
B
公差为±从典型的价值
钳位电压（V @我
VC
)
测试电流为V
C
（ A， 8x20μS ）
在工作电压最大漏电流（ μA ）
瞬态能量等级（J ， 10x1000μS ）
额定峰值电流（A ， 8x20μS ）
典型电容（pF） @ 1MHz至0.5 V
RMS
46
MultiGuard
（ 2 & 4元）
AVX多层陶瓷
瞬态电压抑制阵列
ESD保护CMOS和Bi极地系统
物理尺寸和PAD布局
2元MULTIGUARD
W
P
S
S
S
W
P
S
P
4元MULTIGUARD
W
X
S
S
X
T
T
T
BW
BW
C / L
芯片
BW
C / L芯片
C
L
C
L
C / L
芯片
C
L
BL
BL L
BL L
L
SIZE ： 0405
SIZE ： 0508
SIZE ： 0612
0405 2单元尺寸
L
1.00±0.15
毫米（英寸）
P
064 REF
0612 4单元尺寸
L
1.60±0.20
(0.063±0.008)
毫米（英寸）
P
0.76 REF
W
1.37±0.15
T
0.66 MAX
BW
0.36±0.10
BL
0.20±0.10
S
0.32±0.10
W
3.20±0.20
(0.126±0.008)
T
1.22 MAX
BW
0.41±0.10
BL
0.18
+0.25
-0.08
+.010
-.003
X
1.14±0.10
S
0.38±0.10
（ 0.039 ± 0.006 ） （ 0.054 ± 0.006 ） （ 0.026 MAX ） （ 0.014 ± 0.004 ） （ 0.008 ± 0.004 ） （ 0.025 REF ） （ 0.013 ± 0.004 ）
（ MAX 0.048 ）（ 0.016 ± 0.004 ） （ 0.007
)
（ REF 0.030 ）（ 0.045 ± 0.004 ） （ 0.015 ± 0.004 ）
0508 2单元尺寸
L
1.25±0.20
毫米（英寸）
P
0.76 REF
W
2.01±0.20
T
1.02最大
BW
0.41±0.1
BL
0.18
+0.25
-0.08
+.010
-.003
S
0.38±0.10
（ 0.049 ± 0.008 ） （ 0.079 ± 0.008 ） （ 0.040 MAX ） （ 0.016 ± 0.004 ） （ 0.007
)
（ REF 0.030 ）（ 0.015 ± 0.004 ）
焊盘布局尺寸
A
0.46
(0.018)
毫米（英寸）
E
D
焊盘布局尺寸
E
D
毫米（英寸）
B
C
D
E
B
C
A
A
B
C
D
E
B
C
A
0405 2元
0.74
1.20
0.38
0.64
(0.029) (0.047) (0.015) (0.025)
0612 4元
0.89 1.65
2.54
0.46
0.76
(0.035) (0.065) (0.100) (0.018) (0.030)
E
D
A
0.89
(0.035)
B
C
D
E
B
C
A
0508 2元
1.27
2.16
0.46
0.76
(0.050) (0.085) (0.018) (0.030)
如何订购
MG
MultiGuard
04
例
SIZE
04 = 0405
05 = 0508
06 = 0612
2
CON组fi guration
2 = 2元
4 = 4元
L
风格
14
工作
A
能源
300
夹紧
电压
150 = 18V
200 = 22V
300 = 32V
400 = 42V
500 = 50V
T
P
电压
等级
S =标准
建设05 = 5.6VDC A = 0.10焦耳
09 = 9.0VDC V = 0.02焦耳
L =低
电容14 = 14.0VDC X = 0.05焦耳
18 = 18.0VDC
包装终止
完
（个/卷）
D = 1,000
R = 4,000
T = 10,000
P =镍/锡合金
（镀）
47
MultiGuard
（ 2 & 4元）
AVX多层陶瓷
瞬态电压抑制阵列
ESD保护CMOS和Bi极地系统
典型性能曲线 -
电压/电流特性
多层结构，提高晶粒结构导致
超过30优异的瞬态钳位特性
安培（ 20安培上MG064L18X500 ）的峰值电流，同时
保持在直流操作非常低的漏电流
5.6V
25
50
条件。下面将VI曲线表示了电压/电流
为5.6V的特性，9V， 14V和18V份与电流
租金从微安培的分数到几十安培。
9.0V和14.0V
20
电压（V）的
40
电压（V）的
10
-6
MG064S05A150
10
-3
电流（A ）
10
+0
10
+3
15
30
10
20
5
10
0
10
-9
0
10
-9
10
-6
MG064S09A200
10
-3
电流（A ）
MG064S14A300
10
+0
10
+3
18V
100
MG064L18X500
70
60
50
电压（V）的
40
30
20
80
电压（V）的
60
40
20
0
10
-9
10
-6
MG064S18A400
10
-3
电流（A ）
10
+0
10
+3
10
10
-9
10
-6
MG064L18X500
10
-3
电流（A ）
10
+0
10
+3
典型性能曲线 -
温度特性
MultiGuard抑制器的设计在整个温度范围：-55 ° C至+ 125°C的工作。
电压的温度依赖性
电压的百分比
平均击穿电压
100
90
80
70
60
50
40
0.8½
节能减额
1.25½
典型的能量降额与温度
1.0½
30
20
0.6½
0.4½
10
10
-9
10
-8
10
-7
10
-6
电流（A ）
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
0.2½
-40 C
25 C
85 C
125 C
0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
100 120
140 160
o
＆ frac12 ;温度（ ＆ frac12 ; C）
典型击穿（V
B
)
和钳位（V
C
）电压
典型击穿（V
B
)
和钳位（V
C
）电压
典型故障和钳位电压
- 温度 - 5.6V
20
V
C
15
典型故障和钳位电压
- 温度 - 18V
50
40
30
20
-55
(
V
C
)
5.6V
10
5
-55
18V
V
B
(
V
B
)
-40
-20
0
20
40
60
温度（
o
C)
80
100
120
140
150
-40
-20
0
20
40
60
温度（
o
C)
80
100
120
140
150
48
QQ：2880707522 复制
