MFC-PO13811
37-40GHz集成下变频器
GaAs单片微波IC
描述
在MFC- PO13811是一个多功能的芯片，
它集成了一个平衡的冷FET混频器，
时间2乘法器，以及一个射频低噪声放大器。这是
设计用于广泛的应用范围，
典型的商业通讯系统。
在芯片的背面是两个RF和DC
接地。这有助于简化装配
流程。
该电路带有PM -HEMT制造
过程中， 0.25μm的栅极长度，导通孔
通过在基片和空气桥。
它是在芯片的形式提供。
LO
I
X2
VGX
Q
VDX
VGM
VDL
RF
主要特点
■
宽带性能37-40GHz
■
13分贝增益
■
16dBc镜像频率抑制
■
ESD保护
■
DC功耗： 4V ， 140毫安
■
芯片尺寸： 2.45 X 2.45 X 0,1mm
主要特点
环境温度Tamb = 25° Vd的= 4V
C,
符号
F
RF
F
LO
F
IF
G
c
参数
RF频率范围
LO频率范围
IF频率范围
转换增益
民
37
17.5
DC
13
典型值
最大
40
21
3.5
单位
GHz的
GHz的
GHz的
dB
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSMFC - PO138117092 - 07年4月2日
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
MFC-PO13811
电气特性
37-40GHz MFC下变频器
环境温度Tamb = 25° VDX = VDL = 4V ，典型Vgx的= -0.9V & VGM = -0.7V
C,
符号
F
RF
F
LO
F
IF
G
c
P
LO
图燮
NF
IIP3
LO
VSWR
RF
VSWR
Id
参数
RF频率范围
LO频率范围
IF频率范围
转换增益
LO输入功率
图像抑制（ 1）
噪声系数
输入IP3
LO输入VSWR
射频输入VSWR
偏置电流（ 2）
民
37
17.5
DC
典型值
最大
40
21
3.5
单位
GHz的
GHz的
GHz的
dB
DBM
dBc的
dB
DBM
13
1
16
4.5
-5
2.0:1
2.0:1
140
mA
（1）在外部的I / Q 90 °混合耦合器
（ 2 ）通常情况下， IDL = 60毫安，并按Idx = 80毫安
绝对最大额定值
(1)
Tamb=+25°
C
符号
Vd
Id
Vg
P_RF
P_LO
总胆固醇
Ta
TSTG
参数
最大漏极偏置电压
最大漏极偏置电流
栅极偏置电压
最大RF输入功率
最大的LO输入功率
最大通道温度
工作温度范围
存储温度范围
值
4.5
200
-2.0到+0.4
10
10
175
-40至+85
-55到+125
单位
V
mA
V
DBM
DBM
°
C
°
C
°
C
（ 1 ）本设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
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37-40GHz MFC下变频器
芯片组装和机械数据
MFC-PO13811
LO
IN
I
OUT
120pF
要VGX直流电源门
X2
120pF
要VDX DC漏极供电
Q
OUT
120pF
要VGM直流电源门
120pF
要VDL DC漏极供电
RF
IN
注意：
供应饲料应电容旁路。为25μm直径的金导线，推荐。
焊盘位置
（芯片厚度： 100μm的所有尺寸都在微米）
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MFC-PO13811
记
:
37-40GHz MFC下变频器
由于ESD保护， LO和RF访问是直流接地，外部
电容可能被要求以隔离外部电压，可能是该产品
目前RF上访问。
VGX
VDX VGM
VDL
X2
RF
LO
I
Q
ESD保护也实施了门访问： Vgx的和VGM 。
订购信息
芯片形式：
MFC-PO13811-99F/00
提供的资料被认为是准确和可靠。但
联合单片半导体
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对使用这些信息的后果也不对任何侵权行为概不负责
第三方专利或可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或
否则，下的任何专利或专利权
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特定网络阳离子
本出版物中提到如有变更，恕不另行通知。本出版物取代并替换所有
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产品不授权使用
未经明确的书面许可，生命支持设备或系统的关键组件
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