三菱MEMORY CARD
闪存卡
MF82M1-GMCAVXX
8位/ 16位数据总线
闪存卡
MF84M1-GMCAVXX
MF88M1-GMCAVXX
MF816M-GMCAVXX
MF820M-GMCAVXX
MF832M-GMCAVXX
连接器类型
MF82M1-GNCAVXX
MF84M1-GNCAVXX
MF88M1-GNCAVXX
MF816M-GNCAVXX
MF820M-GNCAVXX
MF832M-GNCAVXX
两片式68针
描述
该MF8XXX - GMCAVXX是闪存卡
它采用8兆或16兆闪存
电可擦除及可编程只读
存储器IC的共同记忆和一个64千比特
电可擦除及可编程只读
M E M O对R A S一吨吨R I B ü T E M E M O对R 。
该MF8XXX - GNCAVXX是闪存卡
它采用8兆或16兆闪存
电可擦除及可编程只读
存储器IC的。
特点
68引脚JEIDA / PCMCIA
8/16可控的数据总线宽度
缓冲接口。
TTL电平接口
通过软件编程/擦除操作
指挥控制
100,000编程/擦除周期
写保护开关
peratingtemperature = 0 7 0 ℃，
。无V pprequired （ 5 V的Vcc只能操作）
一个P P L I C A T I NS
笔记本电脑打印机
工控机
产品列表
项
型号名称
MF82M1-GMCAVXX
MF84M1-GMCAVXX
MF88M1-GMCAVXX
MF816M-GMCAVXX
MF820M-GMCAVXX
MF832M-GMCAVXX
MF82M1-GNCAVXX
MF84M1-GNCAVXX
MF88M1-GNCAVXX
MF816M-GNCAVXX
MF820M-GNCAVXX
MF832M-GNCAVXX
内存
容量
2MB
4MB
8MB
16MB
20MB
32MB
2MB
4MB
8MB
16MB
20MB
32MB
属性
内存
数据总线
宽度（比特）
ACCESS
时间（纳秒）
内存
IC的
8Mbit
概要
制图
是的
16Mbit
8/16
150
8Mbit
68P-013
无（F F H ）
16Mbit
三菱
电
1/22
1999年2月修订版2.0
三菱MEMORY CARD
闪存卡
功能说明
该卡的工作模式由以下因素决定
5低电平有效控制信号（ REG ＃ ， CE1 ＃ ，
位于CE2 ＃ ， OE ＃ ， WE＃ ） ，和控制寄存器
每个内存芯片。
共同记忆功能
当REG ＃信号被设置为高电平
常见的内存选择。
- 读取模式
当在该卡每一个存储器的IC被切换，
每个存储器芯片的控制寄存器被设定为
只读模式。
卡的操作然后取决于四个
的CE1 ＃和CE2 ＃可能的组合（注意WE＃
应该被设置为高电平时，该设备是在读
除了在组合（ 4 ）它的模式
条件是不重要的） ：
（1）如CE1 ＃设定为低电平和CE2 ＃被设置为一个
高电平时，该卡将作为一个8位的数据
总线宽度卡。数据可以通过被访问
数据总线的下半部分（D0至D7） 。
（2）如果两个CE1 ＃和CE2 ＃被设置为低电平时，数据
将通过全16位的数据总线可访问
宽的卡。在这种模式下地址总线的最低位
（ A0 ）将被忽略。
（3）如CE1 ＃被设定为高电平和CE2 ＃被设置
到低电平的奇数字节（仅）可以是
通过数据总线的上半部分（D8访问
到D15 ） 。处理时，这种模式十分有用
奇（上）在16位接口字节
系统。需要注意的是A0的也忽略在此
的操作条件。
（4）如CE1 ＃和CE2 ＃被设置为高电平时，该
卡将在待机模式下消耗
低功耗。数据总线保持在高阻抗。
当OE ＃被设置为低电平的数据可以读出
卡上，根据地址施加和
的CE1 ＃和CE2 ＃设定，如上所述，除
下组合（4）当OE ＃被设置为高电平
和WE＃被设置为高电平，卡处于输出
禁止模式
-W
R I T E M O对D E
通过使用CE1 ＃和CE2 ＃ 4的组合作为
只有上述相应的下读描述
数据输出和命令/数据总线选择可以
进行。
如果OE＃被设定为高电平和WE＃设定为低电平，
控制寄存器锁存器用于数据的命令
在WE＃信号的上升沿。需要注意的是更多
多于一个总线周期，可能需要锁存
命令和/或相关数据请参考
命令定义表。
如果OE＃设定为低电平和WE＃被设定为高
水平的卡数据可以从卡中读取
根据控制寄存器的状态。
锁存命令数据后，该卡将进入
编程，擦除或其他操作模式。为
详细信息，请参阅命令定义表，
每个单独的命令的定义，而
编程和擦除算法。
属性记忆功能
当REG ＃信号被设置为低电平的属性
存储器被选中。
GM系列
该卡包括一个字节宽属性内存
包括8K字节的E
2
P ，R 0 M L ℃的T E D A吨吨 E E V简
当卡中的8位地址
操作模式。它位于顺序
上的数据总线时的下半部地址
该卡是在16位工作模式即是A0
忽略不计。
要访问该属性的内存，第一套CE1 ＃和
CE2 ＃ 。设置CE1 ＃为低电平和CE2 ＃为高电平
8位模式或＃ CE1和CE2 ＃为低电平16
位模式。然后选择所需的地址。记
请小心，在8位模式A0必须设置低
对于属性的内存访问即偶数地址
应用。在16位模式下，它不在于是否A0重要
是高还是
低。数据然后可以通过设置OE＃为低读
与WE级别设置为高电平。
写入属性存储器可以实现
仅在字节模式。写入属性内存集
OE ＃为高电平和WE ＃为低电平。该数据
写在WE＃上升沿被锁存。
那么，除非我们＃变回
从高电平到低电平超过100 μ秒的
自动擦除/编程操作开始这将
完成10ms以内。
也请记住，对于属性的内存是A0
不适用，它应该被设置为低，甚至
只有处理，在8位模式或忽略16位
模式。
GN系列
该卡然后的下半部输出FFH
数据总线（D0到D7 ）在以下条件时
应用;
（ 1 ） CE1 ＃ =低的水平， CE2 ＃ =高电平， OE ＃ =低
水平， WE＃ =高层次， A0 =低的水平。
（ 2 ） CE1 ＃ =低的水平， CE2 ＃ =低电平， OE ＃ =低
水平， WE＃ =高的水平。
三菱
电
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1999年2月修订版2.0
三菱MEMORY CARD
闪存卡
命令定义
该卡的相应存储器被设置为
读/写模式，并且操作
命令定义表
命令
读/复位
课程设置/
节目
删除设置/
擦除确认
节目
暂停/恢复
擦除挂起/
简历
阅读状态
注册
清除状态
注册
阅读设备
识别码
公共汽车
周期M O对D E
1
写
2
2
2
2
2
1
2
写
写
写
写
写
写
写
第一总线周期
地址
DATA IN
ZA
FFH （ FFFFH）
PA
BA
PA
BA
ZA
ZA
ZA
40(4040)h
20(2020)h
B0(B0B0)h
B0(B0B0)h
70(7070)h
50(5050)h
90(9090)h
第二个总线周期
地址
DATA IN
-
-
PA
BA
PA
BA
ZA
-
迪亚
PD
D0(D0D0)h
D0(D0D0)h
D0(D0D0)h
-
-
-
书面的软件指令控制
控制寄存器。
模式
-
写
写
写
写
读
-
读
数据输出
-
-
-
-
-
RD
-
DID
注3 ：指示命令的基本功能，不应该写另一个命令。
参阅操作的算法。
信号状态的函数表和总线状态的定义。
括号中的数据显示， 16位工作模式下的数据。
ZA =一个存储器区的地址（请参考存储器区）
PA =编程地址
PD =编程数据
BA =一个存储器块的地址（请参阅内存块）
RD =的状态寄存器的数据
DIA =设备标识符地址
0 0 0 0 0 0 0 hformanufacturercode 0 0 0 0 2 hfor设备代码
DID =设备标识符数据
2MB =制造商代码： 89 （ 8989 ）H
设备代码： A6H （ A6A6 ）H
其他=制造商代码： 89 （ 8989 ）H
设备代码： AA （ AAAA ）H
读/复位
在该卡的存储器被切换通过阅读模式
写FFH （FFFFH 16位运算）到
控制电阻。这个模式被保持
直到寄存器的内容被改变。这
模式需要被写入到每
它需要访问存储区。
P R 0克R A M M （E S） （E T） ü P /计划
安装程序命令设置的卡
编程。这是16加时40H （ 4040h
位操作）写入控制寄存器。
节目将于后自动
锁存它们可被用于在该地址和数据
的WE＃上升沿。
programmecanbeconfirm edby的完成
读状态寄存器。
（有关详细信息，请参阅算法）
清除设置/擦除CONFIRM
擦除设置是一个命令来设置内存
阻塞擦除。编写安装程序擦除命令20H
（ 2020h为16位操作）在控制寄存器
其次擦除确认命令D0H （ D0D0h
16位操作）将启动一个擦除
操作。擦除会自动发生
之后WE＃上升沿由内部控制
定时器。的完成
删除可以通过读状态寄存器进行确认。
（有关详细信息，请参阅算法）
这些命令不会删除的所有数据
内存卡并应重复进行所有的
所需的内存块。在八位访问
模式应当注意到的一个擦除
存储器块将导致奇数字节或甚至字节
擦除。
三菱
电
5/22
1999年2月修订版2.0
QQ：2881677436 复制
