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MF443
1310纳米, 1550纳米, 155 Mbps的
PIN与前置放大器
数据表
2004年1月
订购信息
MF443
MF443ST
MF443PT
TO- 46镜头
的ST插座
猪尾含1.4米
50/125毫米多模光纤
和SC连接器
-40 ° C至+ 85°C
注:额定响应率适用于所有选项。
特点
一三一○年至1550年纳米PIN / TIA
数据速率高达200 Mbps
TIA与AGC
低功耗
描述
此装置由PIN光电二极管和一个中
跨阻放大器装配在TO -46
封装。它是专为FDDI , ATM和SDH / SONET
高达155 Mbps的。的AGC(自动增益控制)
确保宽的动态范围。它的双透镜的光学
系统设计用于单模光纤以及用于
多模网络误码率与核心直径达62.5
m.
应用
SONET OC- 3
FDDI
ATM 155 Mbps的
通用
数据输出
V
DD
V
DD
数据输出
数据
数据
OUT
数据输出
数据
例
V
SS
底部视图
V
SS
图1 - 引脚图
图2 - 功能原理图
1
卓联半导体公司
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版权所有2004年,卓联半导体公司保留所有权利。
MF443
光学和电学特性 - 外壳温度25
0
C
参数
响应,单
迪FF erential
输出电压
(差分,峰到峰)
带宽( 3分贝
el
)
噪声等效功率
灵敏度( BER 10
-9
)
动态范围
输出电阻
(差分)
电源电流
R
0
I
DD
符号
R
V
o
fc
NEP
S
36
140
15
-39
40
50
32
40
分钟。
典型值。
100
200
1.2
马克斯。
单位
千伏/ W
V
兆赫
nW
DBM
dB
mA
P
f
= 1
W
数据表
测试条件
λ
= 1300纳米
注1
λ
= 1300纳米
λ
= 1300纳米
消光比= 0
工作条件:
见附表。光纤:单模多模62.5 / 125
m.
注1 :
粉煤= 1微瓦的平均功率为10 MHz / 50 %的占空比。
绝对最大额定值
参数
电源电压
工作温度
储存温度
推荐工作条件
参数
电源电压
输出差分负载
符号
V
DD
-V
SS
R
L
分钟。
4.5
1
典型值。
5.0
3
马克斯。
5.2
单位
V
k
符号
V
DD
-V
SS
T
op
T
英镑
分钟。
0
-40
-55
马克斯。
6.0
+85
+125
单位
V
o
C
o
C
典型响应度
纤芯直径/包层直径数值孔径
10/125
m
0.11
单身
迪FF erential
100千伏/ W
200千伏/ W
50/125
m
0.20
100千伏/ W
200千伏/ W
62.5/125
m
0.275
100千伏/ W
200千伏/ W
2
卓联半导体公司
MF443
数据表
r
100
z
相对响应率(%)
80
的R - 最佳
C
= 62.5
m
60
40
20
0
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
2.5
2.75
3
- 光纤轴向Displacem ENT (NM )
图3 - Z - 纤维的轴向位移
r
100
z
相对响应率(%)
80
- 最佳
C
= 62.5
m
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
的R - 纤维径向Displacem ENT ( M M )
图4 - R的 - 光纤径向位移
3
卓联半导体公司