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MF436
1300纳米 - 50 MHz的高性能LED
数据表
2004年10月
订购信息
MF436
MF436 ST
MF436 FC
TO- 46封装
ST房屋
房屋FC
-40 ° C至+ 85°C
注:额定光纤耦合功率仅适用于TO- 46
包,对于住房的选择光纤耦合功率
典型地小于10%。
特点
1310纳米的面发射LED
50 MHz带宽
专为62.5 / 125微米光纤
高功率
描述
本设备会产生非常高的功率,这使得它
适用于多种传感器和信号传输
应用程序。它工作在很宽范围的
温度下,能够满足几乎任何
环保规范。双透镜光学
系统会导致权力的最佳耦合到
纤维。
应用
传感器
测试设备
信号传输
阳极
阴极
阳极
阴极
底部视图
图1 - 引脚图
图2 - 功能原理图
1
卓联半导体公司
卓联, ZL和卓联半导体公司标识是卓联半导体公司的商标。
版权所有2003-2004卓联半导体公司保留所有权利。
MF436
光学和电学特性 - 外壳温度25℃
参数
光纤耦合功率
(图3,图4和5) (表1)
符号
P
纤维
分钟。
20
典型值。
27
马克斯。
单位
W
数据表
测试条件
I
F
= 80毫安,注1
光纤: 50 / 125μm多
NA=0.20
I
F
= 80毫安,注1
光纤: 62.5 / 125μm多
NA=0.275
I
F
= 80毫安(无偏见)
I
F
=80mA
I
F
=80mA
I
F
=80mA
I
F
=80mA
V
R
=1V
V
R
-0V , F = 1MHz的
70
80
W
上升和下降时间( 10-90 % )
带宽( 3分贝
el
)
峰值波长
谱宽( FWHM )
正向电压(图5)
反向电流
电容
注1 :
t
r
,t
f
f
c
λ
p
λ
V
F
I
R
C
1270
7
50
1300
145
1.5
200
10
1350
165
2
100
ns
兆赫
nm
nm
V
A
pF
测定在100米的光纤的出射。
绝对最大额定值
参数
储存温度
工作温度
电能损耗(图4 )
连续正向电流( f<10千赫)
峰值正向电流(负载cycle<50 % , f>1兆赫
反向电压
焊接温度(从10秒的情况下2毫米。 )
符号
T
英镑
T
op
P
合计
I
F
I
FRM
V
R
T
SLD
极限
-55到+125
°
C
-40至+85
°
C
160毫瓦
90毫安
130毫安
0.5 V
260
°
C
热特性
参数
热阻 - 无限大的散热器
热阻 - 无散热器
温度COEF网络cient - 光功率
温度系数 - 波长
温度系数 - 光谱宽度
符号
R
thJC
R
thJA
DP / DT
j
d
λ
/ DT
j
d
λ
/ DT
j
-0.6
0.45
0.25
分钟。
典型值。
马克斯。
150
450
单位
°
C / W
°
C / W
%/
°
C
纳米/
°
C
纳米/
°
C
2
卓联半导体公司
MF436
典型的光纤耦合功率
纤芯直径/包层直径数值孔径
50/125
m
0.20
27
W
62.5/125
m
0.275
80
W
数据表
100/140
m
0.29
140
W
100
相对光纤耦合功率( % )
r
z
80
的R - 最佳
C
= 62.5
m
60
40
20
0
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
2.5
2.75
3
- 光纤轴向位移(毫米)
图3 - Z - 纤维的轴向位移
3
卓联半导体公司
MF436
100
90
数据表
r
z
相对光纤耦合功率( % )
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
- 最佳
C
= 62.5
m
的R - 径向Displacem纤维ENT (
m )
图4 - R的 - 光纤径向位移
100
相对光纤耦合功率( % )
80
占空比为50%
60
40
DC
20
热sinked
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
FORW ARD电流(M A)
图5 - 相对光纤耦合功率与正向电流
4
卓联半导体公司
MF436
数据表
300
马克斯。电能损耗(MW )
250
200
150
无散热器
无限
散热器
100
50
0
0
15
30
45
60
75
90
工作tem温度(
o
C)
105
120
135
150
图6 - 最大。电能损耗与工作温度
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
2.5
2.75
3
正向电流(mA )
FORW ARD电压(V )
图7 - 正向电流与正向电压
5
卓联半导体公司
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