三菱MEMORY CARD
静态RAM卡
8位/ 16位数据总线
静态RAM卡
连接器类型
两片式68针
MF365A-LCDATXX
MF365A-LSDATXX
MF3129-LCDATXX
MF3129-LSDATXX
MF3257-LCDATXX
MF3257-LSDATXX
MF3513-LCDATXX
MF3513-LSDATXX
MF31M1-LCDATXX
MF31M1-LSDATXX
MF32M1-LCDATXX
MF32M1-LSDATXX
MF34M1-LCDATXX
MF34M1-LSDATXX
静电放电protectiton到15kV的
缓冲接口。
68针连接器
8位和16位的数据宽度
写保护开关
电池电压引脚
LS型宽范围工作温度
TA = -20 70℃
描述
三菱的静态RAM卡提供大
存储器容量的设备上大致
信用卡（ 85.6毫米× 54毫米× 3.3毫米）的大小。
牛逼权证一个R D所的SuI发E一
8 / 1 6
位数据总线。设备
使用可更换的锂电池，以保持数据。
可在64K字节4M字节的能力，
三菱的静态RAM卡可使用
一个68针，两件式连接器。
特点
采用TSOP （薄型小尺寸封装），以
再加实现非常高的存储密度
具有高可靠性，而不加大卡
SIZE
产品列表
项
型号名称
MF365A-LCDATXX
MF3129-LCDATXX
MF3257-LCDATXX
MF3513-LCDATXX
MF31M1-LCDATXX
MF32M1-LCDATXX
MF34M1-LCDATXX
MF365A-LSDATXX
MF3129-LSDATXX
MF3257-LSDATXX
MF3513-LSDATXX
MF31M1-LSDATXX
MF32M1-LSDATXX
MF34M1-LSDATXX
内存
容量
64KB
128KB
256KB
512KB
1MB
2MB
4MB
64KB
128KB
256KB
512KB
1MB
2MB
4MB
8/16
NO
数据总线
宽度（比特）
属性
内存
应用
S
办公自动化
电脑
电信
数据通信
产业
消费者
Auxialiary
电池
内存
组织
256K位的SRAM
×
2
256K位的SRAM
×
4
1M位的SRAM
×
2
1M位的SRAM
×
4
1M位的SRAM
×
8
1 M B I T S R A M
×
16
概要
制图
主电池
持有人
NO
4M位的SRAM
×
8
256K位的SRAM
×
2
256K位的SRAM
×
4
1M位的SRAM
×
2
1M位的SRAM
×
4
1M位的SRAM
×
8
1 M B I T S R A M
×
16
4M位的SRAM
×
8
68P-003
螺杆式
三菱
电
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三菱MEMORY CARD
静态RAM卡
绝对最大额定值
符号
V
C C
Vi
V
o
T
opr1
T
opr2
T
英镑
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度1
工作温度2
储存温度
条件
相对于GND
读，写操作
数据保留
评级
-0.3~6.0
-0.3~V
C C
+0.3
0~V
C C
LC系列0 70
LS系列-20 70
LC系列0 70
LS系列-20 70
-30~80
单位
V
V
V
°C
°C
°C
°C
°C
RECOMMENDEDOPERATINGC ONDITIONS
（ LC系列的Ta = 0 55 ° C，除非另有说明）
（ LS系列的Ta = -20 70 ° C，除非另有说明）
范围
参数
符号
单位
分钟。
典型值。
马克斯。
V
C C
V
C C
电源电压
4.50
5.0
5.25
V
GND
系统接地
0
V
V
I H
高输入电压
3.5
V
C C
V
V
I L
低输入电压
0
0.8
V
三菱
电
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三菱MEMORY CARD
静态RAM卡
L E （C T） R I C A L C其特一个C T E R I S T我（C S）
（ L C发E R I （E S） T A = 0 5 ° C，V
CC
= 4 。 5 0 5 。 2 5 V ，U N L （E S） S 0吨 é R W我发E N 2 O T E D）
符号
V
OH
V
OL
I
IH
I
IL
I
OZH
I
OZL
参数
高输出电压
低输出电压
高输入电流
低输入电流
高输出电流
在关闭状态
低输出电流
在关闭状态
I
CC
1 1
主动供应
目前1
I
CC
1 2
主动供应
目前2
I
CC
2 1
待机电源电流1
I
CC
2 2
VBDET1
VBDET2
待机电源电流2
电池检测
参考电压1
电池检测
参考电压2
（L S S小è R I （E S） T A = - 2 0 7 0 ° C，V
CC
= 4 。 5 0 5 。 2 5 V ，U N L （E S） S 0吨 é R W我发E N 2 O T E D）
范围
测试条件
单位
M | N 。典型值。马克斯。
I
OH
= - 1 。 0米一
2.4
V
I
OL
= 1米
0.4
V
V
I
=V
CC
V
10
A
V
I
=0V
＃ CE1 ， CE2 ＃ ， WE＃ ， OE ＃ ， ＃ REG
-10
-70
A
其他投入
-10
权证1 ＃ =权证2 ＃ = V
IH
R 0 ＃ = V
IH
宽E ＃ = V
IH
,
10
A
V
O
=V
CC
权证1 ＃ =权证2 ＃ = V
IH
R 0 ＃ = V
IH
宽E ＃ = V
IH
,
-10
A
V
O
= 0 V
64KB~1MB
16bit
150
权证1 ＃ =权证2 ＃ = V
IL
8bit
110
吨 é R I氮，磷， ü吨 V
IH
诉
IL
2MB
16bit
160
mA
输出=开放
8bit
120
周期时间= 250ns的
4MB
16bit
200
8bit
160
64KB~1MB
16bit
140
CE1#=CE2#
≤
0.2V
8bit
100
其他投入
≤
0.2V或
2MB
16bit
150
mA
≥
V
CC
-0.2V
8bit
110
输出=开放
4MB
16bit
190
周期时间= 250ns的
8bit
150
权证1 ＃ =权证2 ＃ = V
IH
10
mA
吨 é R I氮，磷， ü吨S = V
IH
诉
IL
权证1 ＃ =权证2 ＃
≥
V
CC
- 0 . 2 V
64KB,128KB
0.15
0.30
其他投入
≤
0.2V或
256KB~1MB
0.15
0.45
mA
≥
V
CC
- 0 . 2 V
2MB,4MB
0.30
0.65
Vcc=5V,Ta=25
°C
V
2.37 2.47
2.27
Vcc=5V,Ta=25
°C
2.55
2.65
2.75
V
注2：流入集成电路电流取为正（无符号） 。
3：典型值在V测量
C C
= 5 V ， T A = 2 5 ℃。
引脚置位，当电池电压低于规定的水平。
三菱
电
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