三菱MEMORY CARD
静态RAM卡
5.总结
MF3XXX - J9CATXX系列是静态RAM卡里面有8/16位变化的数据总线宽度。
该卡有一个可更换的锂的主电池，以保持在存储器中的数据，并具有一个辅助电池
保持在存储器中的数据，同时将主电池被更换。当卡未使用或电源电压
下降时，主电池就会自动保持在存储器中的数据。
6.功能描述
卡的功能是由以下五个控制信号的组合来确定，
REG ＃ ， ＃ CE1 ， CE2 ＃ ， OE ＃ ， WE＃ ;低电平有效的信号。
（请
请参阅第10
功能表
第5页）
(
1 ）普通记忆功能
)
当REG ＃信号是高电平时，公共存储器区域被选中。
(
一）阅读模式
)
读， WE＃被设置为高级别和CE1 ＃或CE2 ＃被设置为低级别和存储器地址被施加在输入端
A0 - A21 （ 4MB ） 。设置OE ＃低电平执行读取与在数据总线输出。它是可用的，使
根据CE1 ＃和CE2 ＃结合以下功能。
当CE1 ＃被设置为低级别和CE2 ＃被设置为高电平，该卡可作为一个8位的数据总线宽度的卡。
的数据可以处理低数据总线（ D0-D7 ） 。
当两个CE1 ＃和CE2 ＃被设置为低电平，该卡作为一个16位的数据总线宽度卡。
在这种模式下的地址总线的LSB
(A0)
被忽略。
此外奇字节可以通过上数据总线进行访问（ D8 - D15 ），当CE1 ＃设置高电平和CE2 ＃是
设置为低电平。在16位数据总线接口，处理系统，仅奇数字节时，这种模式十分有用
(A0
is
忽略）。
当两个CE1 ＃和CE2 ＃被设置为高电平，则卡变为待机模式，其中所述卡消耗
低功率和数据总线被放置在高阻抗状态
（以上
的CE1 ＃和CE2 ＃功能是相同的
如下面的模式）。
当两个OE＃和WE＃被设置为高电平，则卡变成输出禁用模式下，数据总线是
置于高阻抗状态。
(
b）将MODE
)
写的存储器地址是在第一输入A0 -A21 （ 4MB）应用和数据被施加在输出管脚。
设置CE1 ＃或＃ CE2水平低， WE＃低电平， OE ＃高级别执行写入。
(
2 ）内存功能
)
当REG ＃被设置为低电平，则该属性存储区域中选择。 MF3XXX - J9CATXX系列暂无
属性存储，但较低的数据总线（ D0-D7 ）上输出FFh上满足以下条件时，将应用
（一）设置CE1 ＃低， CE2 ＃高， OE ＃低， WE＃高和低的A0
（二）设置CE1 ＃低， CE2 ＃为低， OE ＃低， WE＃高
(
3)BATTERY
)
当被用于长时间的卡，最终电池的消耗发生。如果这样的情况是
遇到了，请更换耗尽的电池用新的指示在第21.2
″
更换电池
″
（页面
14).
更换的电池型号是根据第21条指出
″
电池规格
“ （页
14).
7.写保护模式
当写保护开关接通时，此卡会进入一个写保护模式，可以读取但不能
写入数据。在这种模式中， WP引脚变为“H”电平。
在出货的写保护开关处于关闭状态（正常模式：该卡可以写入; WP引脚
指示“ L”电平） 。
三菱
电
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1999年4月修订版1.1
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