MF272
810纳米 - 70 MHz的高性能LED
数据表
2004年10月
订购信息
MF272
MF272 ST
MF272 SMA
MF272 FC
TO- 46封装
ST房屋
SMA房
房屋FC
-55
°
C至+ 125
°
C
注：额定光纤耦合功率仅适用于TO- 46
包，对于住房的选择光纤耦合功率
通常小于10 ％
特点
810纳米的面发射LED
70 MHz带宽
专为二百八十零分之二百微米光纤
描述
这种高速器件经过优化，在810纳米
波长是用在特别感兴趣的
抗辐射光纤。它在宽的
温度范围，并提供非常高的功率，以
200微米芯光纤，使之成为理想的航空电子设备和
军用数据通信应用。
应用
航空电子学
传感器
军事局域网
例
阴极
阳极
阴极
阳极
底部视图
阳极与所述壳体电接触
图1 - 引脚图
图2 - 功能原理图
1
卓联半导体公司
卓联， ZL和卓联半导体公司标识是卓联半导体公司的商标。
版权所有2001-2004 ，卓联半导体公司保留所有权利。
MF272
光学和电学特性 - 外壳温度25
°
C
参数
光纤耦合功率
（图3，图4，图5 ） （表1）
上升和下降时间（ 10-90 ％ ）
带宽（ 3分贝
el
)
峰值波长
谱宽（ FWHM ）
正向电压（图7）
反向电流
电容
注1 ：
数据表
符号
P
纤维
t
r
,t
f
f
c
λ
p
λ
V
F
I
R
C
分钟。
1300
典型值。
1600
7
70
马克斯。
单位
W
测试条件
I
F
= 100毫安
（注1 ）
I
F
= 100毫安
（无偏差）
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 1 V
V
R
-0V ， F = 1兆赫
纤维：
200/280
m
步
指数
10
ns
兆赫
790
810
50
2.2
250
830
2.4
20
nm
nm
V
A
pF
测定在100米的光纤的出射。
绝对最大额定值
参数
储存温度
工作温度（降额：图6）
电能损耗（降额：图6）
连续正向电流（ f<10千赫）
峰值正向电流（负载cycle<50 ％ ， f>1兆赫
反向电压
焊接温度（从10秒的情况下为2 mm。 ）
符号
T
英镑
T
op
P
合计
I
F
I
FRM
V
R
T
SLD
极限
-55到+125
°
C
-55到+125
°
C
250毫瓦
110毫安
180毫安
1.5 V
260
°
C
热特性
参数
热阻 - 无限大的散热器
热阻 - 无散热器
温度COEF网络cient - 光功率
温度系数 - 波长
符号
R
thJC
R
thJA
DP / DT
j
d
λ
/ DT
j
-0.4
0.3
分钟。
典型值。
马克斯。
100
400
单位
°
°
C / W
C / W
%/
°
C
纳米/
°
C
典型的光纤耦合功率
纤芯直径/包层直径数值孔径
50/125
m
0.20
60
W
62.5/125
m
0.275
150
W
100/140
m
0.29
600
W
200/230
m
0.37
2000
W
200/280
m
0.24
1600
W
2
卓联半导体公司
MF272
100
90
80
相对光纤耦合功率（ ％ ）
70
60
50
40
30
20
10
0
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
2.5
2.75
3
- 轴向Displacem纤维耳鼻喉科
(m)
)
(m m
数据表
r
z
的R - 最佳
C
= 200
m
图3 - 相对光纤耦合功率与 - 光纤轴向位移
100
r
z
相对光纤耦合功率（ ％ ）
80
- 最佳
C
= 200
m
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
的R - 径向Displacem纤维ENT （
m )
图4 - 相对光纤耦合功率对的R - 纤维径向位移
3
卓联半导体公司
QQ：2881677436 复制
