MF1 IC S20 05
锯撞到120微米晶圆编
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公众
1.概述
该MF1 IC S20 05是一种非接触式智能卡IC设计IC卡线圈继
“ Mifare卡IC线圈设计指南”，并有资格在NXP'阅读器正常工作
的环境中，这是根据NXP'规范构建的。
本说明书描述了晶片的电，物理和尺寸特性。
2.订购信息
表1中。
订购信息
包
名字
描述
订购代码
类型编号
MF1ICS2005W/U7D
死在片锯
9352 851 56005
3.机械规格
3.1晶片
直径：
厚度：
平整度：
PGDW ：
8”
120
m ±
15
m
不适用
24892
3.2晶片背面
材质：
治疗方法：
3.3芯片的尺寸
芯片尺寸：
划线：
1.11 X 1.06毫米
X线： 80
m
Y型线： 80
m
Si
地面和缓解压力
3.4钝化
类型：
材质：
夹层结构
PSG /氮化
恩智浦半导体
MF1 IC S20 05
锯撞到120微米晶圆编
500纳米/ 600纳米
厚度：
3.5金凸点
凸起材料：
凹凸硬度：
凸点的剪切强度：
凸点高度：
凸点高度一致性：
–
内模：
–
在晶片内：
–
晶圆片：
> 99.9 ％纯金
35 - 80 HV 0.005
> 70兆帕
18
m
± 2
m
± 3
m
± 4
m
± 1.5
m
104 x 104
m
89 x 104
m
± 5
m
溅射的TiW
凹凸平整度：
凹凸尺寸：
–
LA ， LB ， VSS
1
–
TESTIO
1
凹凸的尺寸变化：
凸点下金属化：
备注：
衬底连接到VSS。
3.6故障识别芯片
电子晶片图形覆盖的电测试结果和另外的结果
机械/目视检查。
没有inkdots被应用。
1.Pads VSS和TESTIO断开连接时，晶片锯。
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4.极限值
表2中。
极限值
[1][2][3]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）
符号
I
IN
P
合计
T
STOR
T
OP
V
ESD
I
LU
[1]
[2]
[3]
[4]
参数
输入电流
每个封装的总功耗
储存温度
工作温度
静电放电电压
闩锁电流
[4]
民
-
-
-55
-25
2
±
100
最大
30
200
125
70
-
单位
mA
mW
°C
°C
kV
mA
上面讲的一个限制值以上，可能会对设备造成永久性损坏
这些压力额定值只。该设备在这些或以上给出的任何其他条件的操作
该规范的特性部分，是不是暗示
暴露于长时间可能会影响器件的可靠性限制值
MIL标准883 -C的方法3015 ;人体模型： C = 100 pF的， R = 1.5千瓦
5.特点
表3中。
符号
f
IN
C
IN
t
W
t
RET
N
WE
[1]
[2]
[3]
电气特性
[1][2][3]
参数
输入频率
输入电容
（ LCR测试仪HP4258 ）
EEPROM的写入时间
EEPROM数据
保留
EEPROM写
耐力
22
°C,
的Cp -D
13.56兆赫， 2 V
-
10
10
5
2.9
-
ms
岁月
周期
条件
民
-
14.4
典型值
13.56
16.1
最大
-
17.4
单位
兆赫
pF
上面讲的一个限制值以上，可能会对设备造成永久性损坏
这些压力额定值只。该设备在这些或以上给出的任何其他条件的操作
该规范的特性部分，是不是暗示
暴露于长时间可能会影响器件的可靠性限制值
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7.参考
数据表中的“常规晶圆规格8 ”晶圆“
数据表“试验后标准IC卡MF1 IC S50存储器内容”
数据表“标准IC卡MF1 IC S50功能规范”
产品资质包“标准IC卡MF1 IC S50 05 ”
应用说明“ MIFARE ， IC卡线圈设计指南”
8.修订历史记录
表4 。
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莫迪科幻阳离子：
修订历史
数据表状态
产品数据表
变更通知
SUPERSEDES
2007年7月
文档ID发布日期
这个数据表格式已重新设计，以符合恩智浦的新的身份指引
半导体。
法律文本已适应了新的公司名称。
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