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分立半导体

数据表

MF1011B900Y

微波功率晶体管

产品speci fi cation

取代1994年12月数据

1997年02月18

飞利浦半导体

产品speci fi cation

微波功率晶体管

特点

适合短期和中期

脉冲应用的高达100

s

脉冲宽度，占空比10 ％

扩散发射极镇流电阻器

提高耐用性

相互交叉的发射极 - 基极

结构提供了高射

效率

镀金与障碍

实现了非常稳定的特性

和优良的一生

多单元的几何形状提高了电源

共享并降低热

阻力

内部输入和输出

prematching网络允许的

电路更简单的设计。

应用

针对常用基本用

C类宽带脉冲功率

放大器IFF ， TCAS与S模式

在应用程序

1030 MHz至1090 MHz频段。还

适用于中脉，重型

此频段内运行。

描述

NPN硅平面外延

在微波功率晶体管

SOT448A粘盖金属陶瓷

法兰封装，连接基地

法兰。

手册中， 4列

MF1011B900Y

快速参考数据

微波性能达至T

mb

= 25

°C

在一个共同的基类C的

窄带扩增fi er 。

的模式

手术

C类

条件

t

p

= 10

s;

δ

= 1%

f

（千兆赫）

1.09

V

CC

(V)

50

P

L

(W)

800

G

p

（ dB）的

≥6

η

C

(%)

≥40

钉扎 - SOT448A

针

1

2

3

集热器

辐射源

底座连接到FL法兰

描述

1

c

b

3

2

顶视图

3

e

MAM045

Fig.1简化外形和符号。

警告

产品和环境安全 - 有毒物质

本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的板坯不被损坏。

所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全

预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物

该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。

1997年02月18

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

微波功率晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

CES

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

P

合计

T

英镑

T

j

T

SLD

记

1.可达0.2毫米的陶瓷。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值集电极电流

总功耗

储存温度

结温

焊接温度

t

≤

10秒;注1

R

BE

= 0

开基

集电极开路

t

p

= 10

s; δ

= 1%

T

mb

< 75

°C;

t

p

≤

10

s; δ ≤

1%

条件

发射极开路

MF1011B900Y

分钟。

65

马克斯。

65

65

15

3

50

1750

+200

200

235

单位

V

V

V

V

A

W

°C

°C

°C

手册， halfpage

1800

MLC721

P合计

(W)

1200

600

0

50

0

50

100

150

200

o

牛逼MB （ C）

t

p

= 10

s; δ

= 1%.

图2功率降额曲线。

1997年02月18

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

微波功率晶体管

热特性

符号

R

日J- MB

R

日MB -H

Z

th

笔记

1.见

“安装建议的手册SC19a的通用部分” 。

根据脉冲微波操作条件2.等效热阻。

特征

T

mb

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

CES

I

EBO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CES

参数

集电极截止电流

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

条件

I

E

= 0; V

CB

= 50 V

V

BE

= 0; V

CE

= 50 V

I

C

= 0; V

EB

= 1.5 V

I

C

= 180毫安

I

C

= 180毫安; V

BE

= 0

参数

条件

MF1011B900Y

马克斯。

0.84

0.2

0.01

单位

K / W

K / W

K / W

结点的热阻在安装底座T

j

= 120

°C

从安装基座热阻散热器注1

从结点的热阻抗散热器

t

p

= 10

s; δ

= 1%;

注1和2

马克斯。

27

27

7

65

65

mA

mA

mA

V

V

单位

应用信息

微波性能达至T

mb

= 25

°C

在共基极测试电路，如图3所示。

的模式

手术

条件

t

p

= 10

s; δ

= 1%

C类

t

p

= 0.5

s; δ

= 50%

t

p

= 112

s; δ

= 1%

t

p

= 32

s; δ

= 1%

f

（千兆赫）

1.09

V

CC

(V)

50

P

L

(W)

≥800

（典型值）。 900

（典型值）。 750

（典型值）。 870

G

p

（ dB）的

≥6

（典型值）。 6.5

（典型值）。 5.7

（典型值）。 6.3

η

C

(%)

≥40

（典型值）。 48

（典型值）。 36

（典型值）。 46

1.03 1.09

1.09

50

50

1997年02月18

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

微波功率晶体管

MF1011B900Y

手册，全页宽

30

30

18.5

4.0

7.5

7.5

1.6 4.0

10.0

1.0 5.9

20.0

40

0.64

5.0

21.0

10.5

0.64

40

C4

VCC

C5

C2

L1

输入

R/L3

C3

产量

C1

L2

C6

C7

MLC720

尺寸（mm）。

基材： Epsilam 10 。

厚度： 0.635毫米。

介电常数：

ε

r

= 10.

图3宽带测试电路。

1997年02月18

5

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