CYStech电子股份有限公司
特性曲线
在区域特征
100
规格。编号： C430J3
发行日期： 2008.10.20
修订日期： 2009.02.04
页页次： 3/7
ON- R G C交流 TIC
ION HAR TE IS
5V
导通电阻变化与漏电流和栅极电压
IS
与漏极电流和栅极电压ON- RES TANCE变化
3
V
GS
3.5V
=
I
D
，漏源电流（A ）
我，漏 - S
环境允许电流（A）
80
R
DS （ ON）
归一漏极
R，归一化
源导通电阻
ISTANCE
漏极 - S
环境允许ON - RES
10V
7V
6V
2.5
4.5V
2
4.5V
60
4V
5V
5.5V
40
1.5
6V
7V
10V
20
GS
3.5V
V = 3.0V
DS
（上）
1
D
0
0
0.5
1
0.5
V
DS
，漏源电压（V ）
DS
2.5
3
3.5
1.5
2
V， DR
AIN- S·C VOLTAG （ V）
我们的电子
E
4
4.5
5
0
20
D
40
60
80
100
I
D
，漏电流（ A）
我，漏极电流（ A）
导通电阻变化与门源电压
导通电阻
EVARIATION与温度
ON- R 5 TANC
随温度的变化
e是
1.8
I
D
= 25A
V
GS
= 10V
ON- R 5 TANC VAR
e是
IATIO WITHG -TO摄氏度VO
N
ATE -S UR ê LTAG
E
0.030
I
D
= 25A
R
DS （ ON）
归一漏极
R，归一化
源导通电阻
漏极 - S
环境允许ON - RES TANCE
IS
R
DS （ ON）
,
，导通电阻（ OHM ）
导通电阻（ OHM ）
R
1.6
0.025
1.4
0.020
DS
（上）
1.2
0.015
T = 125°
C
A
T = 25°
C
A
1.0
DS
（上）
0.010
0.8
0.6
0
-50
-25
j
0
25
50
75
100
125
150
175
2
T J
结温（ ℃ ）
T
J
,
,
恩膏温度（℃ ）
VGS ，门源电压（ V）
BODYDIODEFOR
战争
和温度
S·C
D
与我们的E E IATION
源出电流
VOLTAG VAR
C R NTAND TE ê ATUR
乌尔ê
MP
E
60
6
4
V
S
，G TOS VO
吃
我们的电子LTAG
E
G
8
10
转让
HAR TE是S
TR FE
特征
ANS
AC TIC
50
V
DS
= 10V
40
体二极管正向电压的变化与
I
S
， REVERS
漏
电流（A
I
S
，反
ê排水
电流（A ）
)
V
DS
=10V
T
A
= -55 °C
25 °C
125 °C
V
GS
=0V
10
V
S
= 0V
G
T
A
= 125°C
I
D
，漏电流
A )
I
D
，漏极电流（
A)
1
25°C
-55°C
0.01
30
0.1
20
10
0.001
0
0.0001
0
3
4
2
1
吃
我们的电子
E
V
GS
，G TOS VOLTAG
V
GS
，门源电压（ V）
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
，体二极管正向
电压（V）的
S
V
D
， BODYDIODEFOR
WAR VOLTAG （ V）
D
E
CYStek产品规格
MEN09N03BJ3
CYStech电子股份有限公司
特性曲线（续）
栅极电荷特性
G A T E H A R G è ] C H A R A C T E R为叔IC S
12
I
D
= 2 5 A
规格。编号： C430J3
发行日期： 2008.10.20
修订日期： 2009.02.04
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CA PA CI T A CE CH A RA CT ERIST ICS
10
4
电容特性
V
GS
，栅源
电压（V）的
V
GS
，栅源
电压（V）的
10
电容（pF）
8
V
DS
=5V
10V
15V
C-电容（pF ）
慈SS
10
3
6
合作SS
铬不锈钢
4
10
2
2
F = 1M的赫兹
V
的s
= 0 V
0
0
Q
g
10
20
， G A T E H A R G E（N C）
30
0
5
10
15
20
25
30
V
S
- D RA IN - T O服务 - 你还是你RCE V LT A G E（ V）
300
200
100
50
和最大S OPE ATINGAR一
AFE
R
E
最大安全工作区
it
LIM
10
μ
s
100
μ
s
3000
单脉冲最大
DIS IPATION
S
INGLEPULS最大POWE
功耗
E
R 5
S LEPULS
ING
E
R
JC
= 2.5°C
/W
θ
中T = 25℃
C
R
DS （
上）
2500
I
D
，沥干
I
电流（A ）
A )
，漏极电流（
1ms
20
10
5
2
1
功率（W）的
W )
功率（
10m
s
100m
DC S
2000
1500
1000
D
VGS=10V
单脉冲
V
S
= 10V
G
S LEPULS
ING
E
R
θJC
=25℃/W
θ
R
JC
= 2.5°C
/W
=25℃
C
T
C
TC = 25 ？
0.5 1
2
3
5
10
20
30
50
500
0.5
V， DR
DS
AIN- S·C VOLTAG
我们的电子
E
0
0.01
0.1
10
1
S LEPULS TIME （ S·C
ING
E
E)
100
1000
V
DS
，漏极 - 源极电压（V）的
瞬态热阻
瞬态热
反应的影响
URVE
单脉冲时间（秒）
1
R（T ） ，规范有效的瞬变
热阻
vd有效
R（T ） ，规范
瞬态热阻
0.5
0.3
0.2
值班C = 0.5
YCLE
0.2
0.1
0.1
0.05
0.05
0.03
0.02
0.02
0.01
S
英格尔P
ULSE
笔记
:
DM
1.Duty
ycle ， D =
t2
2.R = 2.5 ℃，
/W
θ
JC
t1
3.T - T
C
= P * R （ T）
J
θ
JC
0.01
-2
10
4. R （ T） = R（T ） * R
θ
JC
θ
JC
10
-1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
CYStek产品规格
t
1
，时间（秒）
MEN09N03BJ3
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