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MDS35 / 50 /80系列
二极管/可控硅模块
主要特点：
符号
I
T（ RMS ）
V
DRM
/V
RRM
I
GT
价值
50-70-85
800和1200
50和100
单位
A
V
mA
描述
包装ISOTOP模块的MDS系列
基于半桥的SCR-二极管配置。
它们适合于高功率应用中，
采用相控桥梁，如软启动
电路，焊接设备，电动机速度
控制器。该ISOTOP的紧凑
包允许高功率密度和优化
电源总线连接。由于其内部
陶瓷衬垫，它们提供高压绝缘
（ 2500V RMS ） ， UL标准符合（文件
编号： E81734 ） 。
引脚连接
ISOTOP
绝对额定值
（限制值）
价值
符号
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
I
FSM
I
t
的di / dt
I
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
V
RGM
RMS通态电流
平均通态电流
（单相电路中，每个器件的180°导通角）
TP = 8.3毫秒
不重复浪涌峰值通态
电流（ TJ初始= 25°C ）
TP = 10毫秒
I
为融合吨价
通态电流临界上升率
I
G
= 2×我
GT
， TR
≤
100纳秒
栅极峰值电流
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
最大反向峰值晶闸管的门极电压
TP = 10毫秒
F = 60赫兹
TP = 20微秒
TC = 85°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
参数
35
50
25
420
400
50
70
35
630
600
80
85
55
730
700
A
2
S
A / μs的
A
W
°C
V
1/7
A
A
A
单位
800 1800 2450
50
4
1
- 40 + 150
- 40至+ 125
5
ISOTOP是意法半导体的registred商标。
2000年12月 - 埃德： 4
MDS35 / 50 /80系列
电气特性
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
SCR
MDS
符号
I
GT
V
D
= 12 V
V
GT
V
GD
I
H
I
L
dv / dt的
V
D
= V
DRM
I
T
= 500毫安
I
G
= 1.2 I
GT
V
D
= 67% V
DRM
I
TM
= 80 A
V
TM
I
TM
= 110 A
I
TM
= 170 A
V
t0
R
d
I
DRM
I
RRM
门打开
TJ = 125°C
R
L
= 3.3 k
门打开
TJ = 125°C
R
L
= 30
测试条件
35
分钟。
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
马克斯。
分钟。
1.7
TJ = 25°C
马克斯。
-
-
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
马克斯。
马克斯。
马克斯。
11
5
50
1.3
0.2
80
120
1000
-
1.75
-
0.85
7.0
20
10
5.5
-
-
1.75
V
m
A
mA
V
50
80
10
100
V
V
mA
mA
V / μs的
mA
单位
TP = 380微秒
TP = 380微秒
TP = 380微秒
阈值电压
动态电阻
V
DRM
/ V
RRM
评级
二极管
MDS
符号
V
F
I
F
= 80 A
I
F
= 110 A
I
F
= 170 A
V
t0
R
d
I
R
阈值电压
动态电阻
V
R
= V
RRM
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
马克斯。
马克斯。
马克斯。
11
TJ = 25°C
马克斯。
测试条件
35
1.7
-
-
50
-
1.7
-
0.85
7.0
20
10
5.5
80
-
-
1.7
V
m
A
mA
V
单位
2/7
MDS35 / 50 /80系列
热阻
符号
R
日（J -C ）
结到外壳（ DC ）
参数
MDS35
MDS50
MDS80
价值
1.00
0.75
0.45
单位
° C / W
产品选择
电压（ XXX ）
产品型号
800 V
MDS35-xxx
MDS50-xxx
MDS80-xxx
X
X
X
1200 V
X
X
X
50毫安
50毫安
150毫安
ISOTOP
TM
灵敏度
包
订购信息
SCR
模块
系列
当前位置：
35: 50A
50: 70A
80: 85A
电压：
800: 800V
1200: 1200V
其他信息
产品型号
MDS35-xxx
MSDS50-xxx
MDS80-xxx
注意：
XXX =电压
记号
MDS35-xxx
MDS50-xxx
MDS80-xxx
重量
27.0 g
27.0 g
27.0 g
基地数量
10
10
10
包装方式
管
管
管
3/7
MDS35 / 50 /80系列
图。 1-1 ：
最大平均功耗
与平均通态电流（或晶闸管
二极管，正弦波） 。
图。 1-2 ：
最大平均功耗
与平均通态电流（或晶闸管
二极管，矩形波） 。
图。 1-3 ：
最大总功耗对比
电阻性或电感性负载输出电流
（单相桥式整流，两个包） 。
图。 1-4 ：
最大总功耗对比
输出电流（三相桥式整流器，三
包）。
图。 2-1 ：
通态平均电流与案例
温度（晶闸管或二极管，正弦
波形） 。
图。 2-2 ：
通态平均电流与案例
温度（晶闸管或二极管，矩形
波形） 。
4/7
MDS35 / 50 /80系列
图。 3 ：
热阻抗的相对变化
结到外壳与脉冲持续时间。
图。 4 ：
门极触发电流的相对变化，
保持电流和闭锁电流对
结温度（典型值）。
图。 5-1 ：
浪涌峰值通态电流 -
周期数（ MDS35和MDS50 ） 。
图。 5-2 ：
浪涌峰值通态电流 -
周期（ MDS80 ）的数量。
图。 6-1 ：
非重复浪涌峰值通态
电流的正弦脉冲宽度
TP < 10毫秒， I了相应的价值
（ MDS35和MDS50 ） 。
图。 6-2 ：
不重复浪涌峰值通态
电流的正弦脉冲宽度
TP < 10毫秒， I了相应的价值
(MDS80).
5/7
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