飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MDE6IC9120N
牧师0 ， 11/2009
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MDE6IC9120N / GN宽带集成电路设计有
在 - 片上匹配，使得它可以使用从920到960MHz 。这种多 - 舞台
结构的额定电流为26至32伏的操作，涵盖所有典型蜂窝基站
站调制格式。
典型的Doherty单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，
I
DQ1A
= I
DQ1B
= 90 mA时，我
DQ2A
= 550毫安， V
G2B
= 1.6伏，P
OUT
= 25瓦
平均， IQ幅度裁剪，信道带宽= 3.84 MHz的输入信号
PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。
频率
920兆赫
940兆赫
960兆赫
G
ps
（ dB）的
32.5
32.0
31.3
PAE
(%)
38.4
38.0
37.7
PAR输出
（ dB）的
6.6
6.7
7.0
ACPR
（ DBC）
- 39.0
- 40.4
- 39.6
MDE6IC9120NR1
MDE6IC9120GNR1
920 - 960兆赫， 25 W的AVG ， 28 V 。
单W - CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 940兆赫， 146瓦CW
输出功率（从额定P 3 dB输入过载
OUT
） ，专为
增强耐用性
稳定到5： 1的VSWR。所有马刺低于 - 60 dBc的@ 100毫瓦至
120瓦CW P
OUT
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
]
120瓦CW
特点
产品测试在对称的Doherty配置
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗
参数和常见的源极S - 参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞）
集成的静态电流温度补偿与启用/禁用功能
(1)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米500台， 13英寸的卷轴
V
GS1A
RF
INA
支架
(2)
RF
out1
/V
DS2A
V
GS1A
GND
RF
INA
GND
GND
V
GS2A
V
DS1A
V
DS1B
V
GS2B
GND
GND
RF
INB
GND
V
GS1B
案例1866年至1802年
TO - 270 WBL - 16
塑料
MDE6IC9120NR1
CASE 1867至02年
TO - 270 WBL - 16 GULL
塑料
MDE6IC9120GNR1
V
GS2A
V
DS1A
V
DS1B
V
GS2B
RF
INB
V
GS1B
静态电流
温度补偿
(1)
高峰
(2)
RF
out2
/V
DS2B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
16
RF
out1
/V
DS2A
15
RF
out2
/V
DS2B
（ TOP VIEW ）
静态电流
温度补偿
(1)
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
2.峰值和载波方向由测试夹具的设计来确定。
飞思卡尔半导体公司， 2009年。保留所有权利。
MDE6IC9120NR1 MDE6IC9120GNR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
输入功率
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
P
in
价值
- 0.5, +66
- 0.5, +10
32, +0
- 65 + 150
150
225
30
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
DBM
表2.热特性
特征
最终达赫迪应用
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C，P
OUT
= 30瓦CW
1A期， 27伏直流，我
DQ1A
= 90毫安
阶段1B ， 27伏直流电，我
DQ1B
= 90毫安
第二期甲， 27伏直流电，我
DQ2A
= 550毫安
第二期乙， 27伏直流电，V
G2B
- 2.5伏
R
θJC
6.0
4.9
1.3
0.95
° C / W
符号
价值
(2,3)
单位
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1B （最低）
A（最小）
III （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
MDE6IC9120NR1 MDE6IC9120GNR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
第1阶段 - 断特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 66伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第1阶段 - 在特色
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 20
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 90 mA）的
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 90 mA时，测量功能测试）
第2阶段 - 断特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 66伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第2阶段 - 在特点
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 160
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ2A
= 550 MA）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ2A
= 550 mA时，测量功能测试）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 407毫安）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1
—
5.8
0.15
1.7
2.1
6.5
0.3
3
—
7.2
0.8
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
1
—
7.4
1.7
2.5
8.1
3
—
8.8
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(2,3,4)
（在飞思卡尔的Doherty测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 90 mA时，我
DQ2A
= 550毫安， V
G2B
=
1.6伏，P
OUT
= 25瓦的魅力， F = 940 MHz的单载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
CCDF 。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
功率附加效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
G
ps
PAE
PAR
ACPR
30.0
36.0
5.8
—
32.0
38.0
6.7
- 40.4
36.0
—
—
- 36.0
dB
%
dB
dBc的
典型的宽带性能
(3)
（在飞思卡尔的Doherty测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 90 mA时，我
DQ2A
=
550毫安，V
G2B
= 1.6伏，P
OUT
= 25瓦的魅力，单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移
频率
920兆赫
940兆赫
960兆赫
1.
2.
3.
4.
G
ps
（ dB）的
32.5
32.0
31.3
PAE
(%)
38.4
38.0
37.7
PAR输出
（ dB）的
6.6
6.7
7.0
ACPR
（ DBC）
- 39.0
- 40.4
- 39.6
设备的每一侧分别测得。
部分内部对输入和输出匹配两种。
测量在一个对称的Doherty配置进行与设备。
测量任何铅形成操作之前与设备直导线的配置应用。
（续）
MDE6IC9120NR1 MDE6IC9120GNR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
典型的表演
(1)
（在飞思卡尔的Doherty测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 90 mA时，我
DQ2A
= 550毫安，
V
G2B
= 1.6伏， 920 - 960 MHz带宽
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
IMD对称性@ 90瓦PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
`
30 dBc的
上，下之间（增量IMD三阶互调
边带> 2分贝）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
在整个温度范围静态电流精度
(2)
用4.3 kΩ的门饲料电阻（ - 3085 ℃）下
增益平坦度在40 MHz带宽@ P
OUT
= 25瓦的魅力。
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
第1阶段
第2阶段
P1dB
IMD
符号
—
—
120
8
—
—
W
兆赫
VBW
水库
ΔI
QT
G
F
ΔG
ΔP1dB
—
—
—
—
—
—
50
0.02
0.03
1.2
0.04
0.02
—
—
—
—
—
—
兆赫
%
dB
分贝/°C的
dBm的/°C的
1.测量在一个对称的Doherty配置进行与设备。
2.请参阅AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977或
AN1987.
MDE6IC9120NR1 MDE6IC9120GNR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R3
V
G1
C3
MDE6IC9120N
转2A
V
D2
C19
C13
C27
R5
C9 C5
C6
C7
R1
C12
V
D1
V
G2
C2
C28
C10 C8
R6
C1
C21
C23
C25
C26
C24
C22
C17
V
G2
V
D1
耦合器1
C11
切出区
C18
C14
R4
V
G1
C4
V
D2
C20
注意：元件号C15， C16和R 2不被使用。
图3. MDE6IC9120NR1 （ GNR1 ）测试电路元件布局
表6. MDE6IC9120NR1 （ GNR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1, C2, C5, C6, C7, C8
C3, C4, C9, C10, C11, C12
C13, C14, C27, C28
C17, C18
C19, C20
C21, C22
C23, C24
C25, C26
耦合器1
R1
R3, R4, R5, R6
PCB
描述
0.01
μF,
50 V贴片电容
1.0
μF,
35 V贴片电容
39.0 pF的贴片电容
10.0
μF,
35 V贴片电容
220
μF,
50 V电解电容器
15.0 pF的贴片电容
1.6 pF的贴片电容
2.7 pF的贴片电容
50
Ω,
3分贝混合耦合
50
Ω,
10 W终端
4.3 KΩ 1/4 W码片电阻
0.020″,
ε
r
= 3.50
产品型号
GCM2195C1H103JA16D
GRM32RR71H105KA01K
ATC600F390JT250XT
GRM55DR61H106KA88L
EMVY500ADA221MJA0G
ATC600F150GT250XT
ATC600F1R6JT250XT
ATC600F2R7JT250XT
GSC362- HYB0900
RFP - 060120A15Z50- 2
CRCW12064K30FKEA
RO4350B
生产厂家
村田
村田
ATC
村田
日本贵弥功 - 精读
ATC
ATC
ATC
双信
安伦
日前，Vishay
罗杰斯
MDE6IC9120NR1 MDE6IC9120GNR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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